模塊創(chuàng)新封裝和三相全橋設計內(nèi)置1200V碳化硅MOSFET和熱敏電阻
發(fā)布時間:2024/9/13 0:16:47 訪問次數(shù):193
LPD模塊具有耐久、安全的性能優(yōu)勢，性價比超國外產(chǎn)品，適用于電動汽車、氫能源汽車、高速電機驅(qū)動、光伏風能發(fā)電等領域。
碳化硅MOS管-全碳SiC模塊產(chǎn)品應用、驅(qū)動、系統(tǒng)方案詳解2024.pdf (3.48 MB)
SiC MOSFET作為第三代功率半導體器件，以其阻斷電壓高、工作頻率高，耐高溫能力強、通態(tài)電阻低和開關損耗小等特點成為當前最具市場前景的半導體產(chǎn)品之一，正廣泛應用于新能源汽車、光伏逆變器、無線電能傳輸?shù)阮I域。
完善的安全控制策略及CPU保護策略(CPU protect policy)提高容錯能力，保證網(wǎng)絡的穩(wěn)定運行和鏈路的負載均衡；
設備支持自動DoS攻擊防范和SNMP，IEEE 802.1，生成樹和快速生成樹協(xié)議、鏈路聚合等功能。高級安全功能和高級服務質(zhì)量（QoS），可用作核心，分布或接入層交換機，具有高端口密度，易管理性。
全新LPD碳化硅三相全橋模塊2.5nH超低電感驚艷亮相:該模塊采用創(chuàng)新封裝和三相全橋設計，內(nèi)置1200V碳化硅MOSFET和熱敏電阻，雜散電感低至2.5nH，工作安全穩(wěn)定。工作電源電壓可達900V-1000V，工作頻率可達30kHz，輸出功率可達300kW。
全新PSoC™ 6 AI評估套件提供了構建智能消費、智能家居和物聯(lián)網(wǎng)應用所需的全部工具。該解決方案能夠在傳感器數(shù)據(jù)源旁執(zhí)行推理，與以云計算為中心的解決方案架構相比，它能夠為用戶帶來更佳的實時性能和能效等優(yōu)勢。
PSoC 6外形小巧，尺寸為35mmx45mm，成本更低且集成了多種傳感器和連接功能，非常適合本地數(shù)據(jù)采集、快速原型開發(fā)、模型評估和解決方案創(chuàng)建。
深圳市恒凱威科技開發(fā)有限公司http://szhkwkj.51dzw.com
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