三層單元（TLC）第九代V-NAND的量產(chǎn)，隨后又率先實現(xiàn)了QLC第九代V-NAND的量產(chǎn)，這進(jìn)一步鞏固了三星在高容量、高性能NAND閃存市場中的地位。

擴(kuò)大QLC第九代V- NAND的應(yīng)用范圍，從品牌消費(fèi)類產(chǎn)品開始，擴(kuò)展到移動通用閃存（UFS）、個人電腦和服務(wù)器SSD，為包括云服務(wù)提供商在內(nèi)的客戶提供服務(wù)。

功率半導(dǎo)體晶圓廠中，利用現(xiàn)有300mm硅生產(chǎn)設(shè)備的整合試產(chǎn)線，成功地生產(chǎn)出300 mm GaN晶圓。正通過現(xiàn)有的300mm硅和200mm GaN的成熟產(chǎn)能發(fā)揮其優(yōu)勢，同時還將根據(jù)市場需求進(jìn)一步擴(kuò)大GaN產(chǎn)能。憑借300mm GaN制程技術(shù)，將推動GaN市場的不斷增長。

在距上次TLC版本量產(chǎn)僅四個月后，QLC第九代V-NAND產(chǎn)品成功啟動量產(chǎn)，使我們能夠提供，能夠滿足人工智能時代需求的完整陣容的SSD解決方案。隨著企業(yè)級SSD市場呈現(xiàn)日益增長的趨勢，對人工智能應(yīng)用的需求更加強(qiáng)勁，我們將通過QLC和TLC第九代V-NAND繼續(xù)鞏固三星在該領(lǐng)域的市場地位。

工程師無需深入了解Hexagon NPU及其工具鏈即可通過該支持包利用 Hexagon 仿真器直接在Simulink中運(yùn)行處理器在環(huán)（PIL）仿真，在優(yōu)化的目標(biāo)代碼部署到實際硬件之前就可以確保其能夠正確、高效、可靠地運(yùn)行。

通過使用基于模型的設(shè)計和Hexagon NPU的高級功能,讓工程師更輕松地創(chuàng)建高質(zhì)量的NPU應(yīng)用。

我們與Qualcomm Technologies的協(xié)作旨在消除手動工作流，支持高度自動化工作流，以幫助工程團(tuán)隊縮短上市時間并確保最優(yōu)性能。

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