F-RAM存儲器具有固有的抗輻射性能，該技術(shù)非常適合滿足太空應(yīng)用不斷發(fā)展的任務(wù)要求，而這些應(yīng)用歷來使用的是速度較慢、不太堅(jiān)固的EEPROM非易失性存儲器。

與同類產(chǎn)品相比，產(chǎn)品的特點(diǎn)包括：更快的存儲器隨機(jī)存取速度；通過采用即時(shí)非易失性寫入技術(shù)提高數(shù)據(jù)安全性；低功耗、極低的編程電壓（低至2V）以及20mA最大工作電流。

F-RAM本身不受軟錯(cuò)誤、磁場或輻射效應(yīng)影響，且無需軟件來管理頁面邊界。其接近無限的耐用性（1013個(gè)寫入周期）意味著不需要損耗均衡。

主要特性

外形尺寸更小，使氣流能夠更好地流向PCB上的其他部件，同時(shí)節(jié)省寶貴的PCB空間.

彎式接頭、彎式插座和直式插座提供共面和背板應(yīng)用，提升設(shè)計(jì)靈活性.

大功率應(yīng)用中，每個(gè)端子的電流高達(dá)75A；小功率應(yīng)用中，每個(gè)端子的電流高達(dá)45A；信號端子提供出色的功率密度和電壓及信號要求，滿足關(guān)鍵的功率規(guī)格和各種應(yīng)用的要求.

設(shè)計(jì)靈活可擴(kuò)展，能夠節(jié)省模具成本.

隨著對小巧、高密度存儲器的需求激增，Teledyne e2v強(qiáng)調(diào)其最新的存儲器芯片能與當(dāng)下所有高端太空處理組件兼容，其中包括AMD/Xilinx VERSAL® ACAP處理器、宇航級FPGA、MPSOC、Microchip RT PolarFire®以及眾多的ASIC。

超快速、高密度的8GB宇航級DDR4存儲器，具有與先前的4GB產(chǎn)品有相同的外形尺寸和管腳兼容性，是優(yōu)化下一代星載開發(fā)應(yīng)用的理想之選。

現(xiàn)代衛(wèi)星的載荷按每分鐘、每小時(shí)來存儲和轉(zhuǎn)換大量數(shù)據(jù)；諸如地球觀測等任務(wù)都需要數(shù)十GB的存儲空間。

http://jhbdt1.51dzw.com深圳市俊暉半導(dǎo)體有限公司