厚IMD選項使得汽車產(chǎn)品設計能夠承受超過15,000V的電壓
發(fā)布時間:2024/9/15 22:57:41 訪問次數(shù):168
第四代0.18微米BCD工藝符合汽車質(zhì)量標準AEC-Q100 Grade 1，確保集成電路(IC)能在125℃的高溫環(huán)境下穩(wěn)定運行，適用于汽車功率半導體，厚IMD（金屬間介質(zhì)）選項使得汽車產(chǎn)品設計能夠承受超過15,000V的電壓。
憑借從第三代0.18微米BCD工藝中積攢的量產(chǎn)經(jīng)驗以及客戶的高度信任，該公司期望第四代0.18微米BCD工藝能夠幫助延長移動設備的電池壽命、通過減少發(fā)熱實現(xiàn)穩(wěn)定的性能，并通過提高汽車用功率半導體的能源效率來改善整體性能。
這種模塊化的設計不僅提升產(chǎn)品的可靠性，還為用戶提供了高度的定制化空間，用戶可以根據(jù)不同應用場景，靈活組合模塊，實現(xiàn)個性化的產(chǎn)品配置。同時，其能夠與其他智能設備無縫連接和交互，實現(xiàn)智能控制和管理。
DEEBOT T50 PRO OMNI和T50 OMNI的氣旋梳齒防纏繞系統(tǒng)，可有效降低毛發(fā)纏繞的發(fā)生率。
FeRAM，即基于電容型的鐵電存儲器，因其與現(xiàn)有DRAM結構的相似性而最接近產(chǎn)業(yè)化應用。
它旨在提供非易失性存儲解決方案，以結合DRAM的快速訪問和低功耗特性，特別適合需要頻繁刷新的場景。FeFET，即基于晶體管型的鐵電存儲器，是我們團隊的研究重點。這種存儲器以其高集成密度、快速操作和低功耗而受到關注。
FeFET的優(yōu)勢在于其三端器件的設計，這使得它非常適合用于存算一體、神經(jīng)形態(tài)計算和安全應用等先進領域。
深圳市恒凱威科技開發(fā)有限公司http://szhkwkj.51dzw.com
第四代0.18微米BCD工藝符合汽車質(zhì)量標準AEC-Q100 Grade 1，確保集成電路(IC)能在125℃的高溫環(huán)境下穩(wěn)定運行，適用于汽車功率半導體，厚IMD（金屬間介質(zhì)）選項使得汽車產(chǎn)品設計能夠承受超過15,000V的電壓。
憑借從第三代0.18微米BCD工藝中積攢的量產(chǎn)經(jīng)驗以及客戶的高度信任，該公司期望第四代0.18微米BCD工藝能夠幫助延長移動設備的電池壽命、通過減少發(fā)熱實現(xiàn)穩(wěn)定的性能，并通過提高汽車用功率半導體的能源效率來改善整體性能。
這種模塊化的設計不僅提升產(chǎn)品的可靠性，還為用戶提供了高度的定制化空間，用戶可以根據(jù)不同應用場景，靈活組合模塊，實現(xiàn)個性化的產(chǎn)品配置。同時，其能夠與其他智能設備無縫連接和交互，實現(xiàn)智能控制和管理。
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它旨在提供非易失性存儲解決方案，以結合DRAM的快速訪問和低功耗特性，特別適合需要頻繁刷新的場景。FeFET，即基于晶體管型的鐵電存儲器，是我們團隊的研究重點。這種存儲器以其高集成密度、快速操作和低功耗而受到關注。
FeFET的優(yōu)勢在于其三端器件的設計，這使得它非常適合用于存算一體、神經(jīng)形態(tài)計算和安全應用等先進領域。
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