1200V耐壓鉗位探頭進行Vds測試得到更高電壓條件下鉗位測試結果

發(fā)布時間:2024/9/15 23:54:55 訪問次數(shù):156

平面結構氮化鎵功率器件實現(xiàn)高壓開關，主要難點是解決電流崩塌問題。

GaN功率器件在導通過程中的導通電阻值Rdson值被稱為動態(tài)導通電阻，其詳細定義和測試方法參見JEP173。常見的GaN器件，當工作電壓超過700V時，會出現(xiàn)電流崩塌。

產(chǎn)品為182系列2.0雙面單晶高效光伏組件，具有高可靠、更優(yōu)弱光性能、低衰減、低溫度系數(shù)、更優(yōu)抗LID性能等優(yōu)勢。

將持續(xù)致力于推動高效、綠色能源產(chǎn)品的創(chuàng)新發(fā)展，為全球能源結構轉型與可持續(xù)發(fā)展貢獻關鍵力量。

高壓氮化鎵器件，其額定工作條件提升至1200V/20A（70mΩ），在柵極電壓12V的條件下，輸出電流提升至20A以上。

這一性能的提升，使得GaN器件在工作性能上可與同規(guī)格的碳化硅（SiC）器件相媲美。

TO-247封裝GaN HEMT器件在1200V/15A條件下進行開關測試的波形，柵極電壓為0-12V，陪測器件使用一顆1200V SiC二極管。（測試條件：陪測管SiC二極管，Ron=Roff=10Ω，負載電感400uH，Vds: 800V，Vgs: 0~12V, Id: 15A）

SiliconAuto 的目標是希望在芯片推出之前為客戶提供虛擬參考平臺，以便對即將推出的先進駕駛輔助系統(tǒng) (ADAS) 系統(tǒng)級芯片 (SoC) 進行軟件預評估與開發(fā)。

1200V耐壓的鉗位探頭進行Vds測試，用來得到更高電壓條件下的鉗位測試結果。

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深圳市恒凱威科技開發(fā)有限公司http://szhkwkj.51dzw.com

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相關技術資料: 7-2高性能 32 位 RISC-V MCU技術參數(shù)設計; 7-2全新無線通信模組— ML3219D; 7-26納米制程射頻（RF）和藍牙先進連接芯片; 7-2先進芯片和功率芯片市場需求及發(fā)展趨勢; 7-2海思凌霄網(wǎng)絡760解決方案解讀; 7-2新型無線短距通信星閃技術（NearLink）; 7-1高速、單電源、軌到軌高通量放大器系列; 7-124位或16位模數(shù)轉換器（ADC0）; 7-1低功率、低噪聲、雙極輸入音頻運算放大器應用; 7-1步進電機控制器DRV8824; 7-1精密可編程24.5 MHz內(nèi)部振蕩器簡述; 7-1集成混合信號片上系統(tǒng)MCUC8051F350

相關IC型號: XRU74HC161F-G; LGHK10051N0S-T; STA003T013TR-3B; M1206K3011FBT; RD70HVF1; TMP47C635N-3976; STV5725; 1N6276A; SFH6943-3T; 24LC01BT-I/OT

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