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電壓高達(dá)24V新型隔離漏極高壓器件和中閾值電壓選項(xiàng)1.8V MOS器件

發(fā)布時(shí)間:2024/9/17 22:55:44 訪問(wèn)次數(shù):222

XP018作為一款模塊化180納米高壓EPI技術(shù)解決方案,基于低掩模數(shù)5V單柵極核心模塊,支持-40°C至175°C的寬溫度范圍,并提供一系列可選的器件和模塊——包括高增益雙極器件、標(biāo)準(zhǔn)和高電容密度MIM電容器、多閾值(Vt)選項(xiàng)、肖特基二極管和耗盡型器件。

大功率共模電感是應(yīng)用非常廣泛的一種電感產(chǎn)品,它在電子電路中的是其他電子元器件無(wú)法替代的。要充分發(fā)揮大功率共模電感的作用,正確選型至關(guān)重要。封裝大小的選擇就是一個(gè)重要環(huán)節(jié)。

電感線圈在運(yùn)行過(guò)程中會(huì)產(chǎn)生溫升,尤其對(duì)于雙繞線電感線圈來(lái)說(shuō),溫升問(wèn)題就顯得更為明顯.

底部填充物是一種液態(tài)封裝物,通常是大量填充 SiO2 的環(huán)氧樹(shù)脂,用于倒裝芯片互連后的芯片和基底之間。固化后,硬化的底部填充物具有高模量、與焊點(diǎn)相匹配的低 CTE 、低吸濕性以及與芯片和基板的良好粘合性。

因此,設(shè)計(jì)者需要在芯片的布局和材料選擇上做出優(yōu)化,以提高散熱效率。

焊點(diǎn)上的熱應(yīng)力在芯片、底部填充物、基板和所有焊點(diǎn)之間重新分配,而不是集中在外圍焊點(diǎn)上。

連接器燈芯效應(yīng),焊錫穿過(guò)器件塑料本體進(jìn)入接插裝配區(qū),影響裝配接插性能,判定為不允收.

40V/60V器件外,該平臺(tái)還加入了5.3V齊納二極管,進(jìn)一步提升其性能。此款全新低漏電流的齊納二極管專為關(guān)鍵應(yīng)用中的柵氧提供有效保護(hù),如寬帶隙柵極驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用等。

此外,其還提供一系列最高電壓高達(dá)24V的新型隔離漏極高壓器件和中閾值電壓選項(xiàng)的1.8V MOS器件。

XP018此次升級(jí),展現(xiàn)X-FAB致力于加強(qiáng)成熟技術(shù)方面的決心,在汽車(chē)、工業(yè)和醫(yī)療等我們重點(diǎn)關(guān)注細(xì)分市場(chǎng)領(lǐng)域的新設(shè)計(jì)中得到廣泛應(yīng)用。這些極具競(jìng)爭(zhēng)力的高壓器件及其更新將使我們的客戶能夠打造更具創(chuàng)新性和成本效益的產(chǎn)品。

深圳市恒凱威科技開(kāi)發(fā)有限公司http://szhkwkj.51dzw.com

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大功率共模電感是應(yīng)用非常廣泛的一種電感產(chǎn)品,它在電子電路中的是其他電子元器件無(wú)法替代的。要充分發(fā)揮大功率共模電感的作用,正確選型至關(guān)重要。封裝大小的選擇就是一個(gè)重要環(huán)節(jié)。

電感線圈在運(yùn)行過(guò)程中會(huì)產(chǎn)生溫升,尤其對(duì)于雙繞線電感線圈來(lái)說(shuō),溫升問(wèn)題就顯得更為明顯.

底部填充物是一種液態(tài)封裝物,通常是大量填充 SiO2 的環(huán)氧樹(shù)脂,用于倒裝芯片互連后的芯片和基底之間。固化后,硬化的底部填充物具有高模量、與焊點(diǎn)相匹配的低 CTE 、低吸濕性以及與芯片和基板的良好粘合性。

因此,設(shè)計(jì)者需要在芯片的布局和材料選擇上做出優(yōu)化,以提高散熱效率。

焊點(diǎn)上的熱應(yīng)力在芯片、底部填充物、基板和所有焊點(diǎn)之間重新分配,而不是集中在外圍焊點(diǎn)上。

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40V/60V器件外,該平臺(tái)還加入了5.3V齊納二極管,進(jìn)一步提升其性能。此款全新低漏電流的齊納二極管專為關(guān)鍵應(yīng)用中的柵氧提供有效保護(hù),如寬帶隙柵極驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用等。

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