加強(qiáng)版0805封裝抗浪涌厚膜電阻器Vishay Draloric RCS0805 e3，額定功率高達(dá)0.5W。

由于提高了額定功率，RCS0805 e3現(xiàn)在可替代四個(gè)標(biāo)準(zhǔn)0805封裝并聯(lián)電阻；兩個(gè)1206封裝并聯(lián)電阻；或者一個(gè)1210封裝電阻。

RCS0805 e3通過AEC-Q200認(rèn)證，阻值范圍1Ω至10MΩ，跳線阻值為0Ω，公差為±0.5 %、±1%和±5 %，TCR為±100ppm/K和±200ppm/K。電阻工作電壓150V，工作溫度-55°C至+155°C。

器件符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),無(wú)鹵素,適合在自動(dòng)貼片機(jī)上用符合IEC 61760-1波峰焊,回流焊或氣相焊工藝加工。

通過Secure Vault™技術(shù)和ARM TrustZone技術(shù)實(shí)現(xiàn)了最佳的安全性。利用定制化元件制造服務(wù)，xG26產(chǎn)品還可以在制造過程中使用客戶設(shè)計(jì)的安全密鑰和其他功能進(jìn)行硬編碼，從而進(jìn)一步增強(qiáng)其抵御漏洞的能力。

ARM® Cortex®-M33 CPU和用于射頻與安全子系統(tǒng)的專用內(nèi)核，以多核形式實(shí)現(xiàn)了性能更高的計(jì)算能力，有助于為客戶應(yīng)用釋放出主內(nèi)核。

設(shè)計(jì)師可在節(jié)省汽車、工業(yè)、通信和醫(yī)療應(yīng)用電路板空間的同時(shí)，減少元器件數(shù)量并降低加工成本。電阻脈沖負(fù)載性能和ESD浪涌特性優(yōu)于標(biāo)準(zhǔn)片式電阻，適用于高能和重復(fù)浪涌脈沖下的各種應(yīng)用。

封裝也非常靈活，提供CSP、BGA兩種規(guī)格，尺寸小至10×10毫米，最大不過23×23毫米，中間還有12×12毫米。

Spartan UltraScale+系列采用了經(jīng)過驗(yàn)證的16nm FinFET制造工藝，相比28nm工藝的前代產(chǎn)品Atrix 7系列，可將總功耗降低多達(dá)30％，接口連接功耗降低最多60％。

高能效之外更有高性能，對(duì)比Atrix 7系列架構(gòu)性能提高了最多1.9倍，同時(shí)I/O數(shù)量增加1.2倍、I/O邏輯單元增加2.4倍、內(nèi)存控制器帶寬增加5倍、PCIe帶寬增加4倍、收發(fā)器帶寬增加2.5倍。

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