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傳感器檢測電機(jī)軸位置和方向盤旋轉(zhuǎn)將數(shù)據(jù)發(fā)送到電子控制單元

發(fā)布時間:2024/9/22 20:32:36 訪問次數(shù):173

兩個不同的功率模塊:第一個模塊叫做GAP1,內(nèi)部裸片閾壓Vth的最大分布范圍是250mV(圍繞平均值+/-125mV),第二個模塊叫做GAP2,Vth的最大變化范圍是500mV(圍繞平均值+/-250mV)。

采用兩個不同的開關(guān)頻率進(jìn)行測試:電驅(qū)逆變器的典型工作頻率8kHz和12kHz。眾所周知,耗散功率的增加與開關(guān)頻率成正比。

相對于SiC在高耐壓和大工作電流方面具有的優(yōu)勢,GaN更有望在100~600V中等耐壓范圍內(nèi),憑借出色的擊穿場強(qiáng)和電子飽和速度,實現(xiàn)低導(dǎo)通電阻和高速開關(guān)(高頻率工作)性能。

12V電池會在車輛行駛期間充電,因此12V電壓軌的電流消耗不太重要。當(dāng)車輛停車且未進(jìn)行充電時,高壓接觸器會斷開,因此 >400V電池會與系統(tǒng)斷開連接,并且無法為12V電池充電。

12V電池仍需為BCU和其他常開功能供電,而且供電時長尚不確定。

低功耗對于這類常開設(shè)備非常重要。通常,對于所有常開功能,原始設(shè)備制造商希望從12V電池汲取的平均電流不超過100µA。

電動助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)由轉(zhuǎn)向柱、電子控制轉(zhuǎn)向電機(jī)以及電子感應(yīng)與控制機(jī)制組成。當(dāng)駕駛員轉(zhuǎn)動方向盤時,由電機(jī)(通常是無刷直流電機(jī))協(xié)助轉(zhuǎn)向,這取代了傳統(tǒng)的機(jī)械和液壓系統(tǒng)。

EPS 系統(tǒng)的優(yōu)點包括運(yùn)行更快且更智能、減少二氧化碳排放、提高燃油效率并增強(qiáng)用戶體驗。駕駛員在方向盤界面提供系統(tǒng)輸入。傳感器檢測電機(jī)軸的位置和方向盤的旋轉(zhuǎn),并將數(shù)據(jù)發(fā)送到電子控制單元 (ECU)。

氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)同屬第三代半導(dǎo)體,相比硅基半導(dǎo)體(Si),具有禁帶寬度更寬、高耐壓、熱導(dǎo)率、電子飽和速度更高的特點,能夠滿足現(xiàn)代電子技術(shù)對半導(dǎo)體材料提出的高溫、高功率、高壓、高頻要求。

而相對于SiC在高耐壓和大工作電流方面具有的優(yōu)勢,GaN更有望在100~600V中等耐壓范圍內(nèi),憑借出色的擊穿場強(qiáng)和電子飽和速度,實現(xiàn)低導(dǎo)通電阻和高速開關(guān)(高頻率工作)性能。

深圳市恒凱威科技開發(fā)有限公司http://szhkwkj.51dzw.com


兩個不同的功率模塊:第一個模塊叫做GAP1,內(nèi)部裸片閾壓Vth的最大分布范圍是250mV(圍繞平均值+/-125mV),第二個模塊叫做GAP2,Vth的最大變化范圍是500mV(圍繞平均值+/-250mV)。

采用兩個不同的開關(guān)頻率進(jìn)行測試:電驅(qū)逆變器的典型工作頻率8kHz和12kHz。眾所周知,耗散功率的增加與開關(guān)頻率成正比。

相對于SiC在高耐壓和大工作電流方面具有的優(yōu)勢,GaN更有望在100~600V中等耐壓范圍內(nèi),憑借出色的擊穿場強(qiáng)和電子飽和速度,實現(xiàn)低導(dǎo)通電阻和高速開關(guān)(高頻率工作)性能。

12V電池會在車輛行駛期間充電,因此12V電壓軌的電流消耗不太重要。當(dāng)車輛停車且未進(jìn)行充電時,高壓接觸器會斷開,因此 >400V電池會與系統(tǒng)斷開連接,并且無法為12V電池充電。

12V電池仍需為BCU和其他常開功能供電,而且供電時長尚不確定。

低功耗對于這類常開設(shè)備非常重要。通常,對于所有常開功能,原始設(shè)備制造商希望從12V電池汲取的平均電流不超過100µA。

電動助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)由轉(zhuǎn)向柱、電子控制轉(zhuǎn)向電機(jī)以及電子感應(yīng)與控制機(jī)制組成。當(dāng)駕駛員轉(zhuǎn)動方向盤時,由電機(jī)(通常是無刷直流電機(jī))協(xié)助轉(zhuǎn)向,這取代了傳統(tǒng)的機(jī)械和液壓系統(tǒng)。

EPS 系統(tǒng)的優(yōu)點包括運(yùn)行更快且更智能、減少二氧化碳排放、提高燃油效率并增強(qiáng)用戶體驗。駕駛員在方向盤界面提供系統(tǒng)輸入。傳感器檢測電機(jī)軸的位置和方向盤的旋轉(zhuǎn),并將數(shù)據(jù)發(fā)送到電子控制單元 (ECU)。

氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)同屬第三代半導(dǎo)體,相比硅基半導(dǎo)體(Si),具有禁帶寬度更寬、高耐壓、熱導(dǎo)率、電子飽和速度更高的特點,能夠滿足現(xiàn)代電子技術(shù)對半導(dǎo)體材料提出的高溫、高功率、高壓、高頻要求。

而相對于SiC在高耐壓和大工作電流方面具有的優(yōu)勢,GaN更有望在100~600V中等耐壓范圍內(nèi),憑借出色的擊穿場強(qiáng)和電子飽和速度,實現(xiàn)低導(dǎo)通電阻和高速開關(guān)(高頻率工作)性能。

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