1200V和2000V MOSFET模塊系列新添全新工業(yè)標準封裝產(chǎn)品。其采用成熟的62mm器件半橋拓撲設(shè)計并基于新推出的增強型M1H碳化硅（SiC）MOSFET技術(shù)。

封裝使SiC能夠應(yīng)用于250kW以上的中等功率等級應(yīng)用，而傳統(tǒng)IGBT硅技術(shù)在這一功率等級應(yīng)用的的功率密度已達極限值。

相比傳統(tǒng)的62mm IGBT模塊，其應(yīng)用范圍現(xiàn)已擴展至太陽能、服務(wù)器、儲能、電動汽車充電樁、牽引、商用感應(yīng)電磁爐和功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)等。

4系列B MSO具有多達6個輸入信道，非常適合執(zhí)行三相功率分析，且其特有的頻譜視圖功能可以實現(xiàn)與時域波形同步的多通道頻譜分析。

除了提升前面板的操作效率之外，經(jīng)過升級的處理器系統(tǒng)還能夠提升遠程操作的速度。

使用高頻電流、微波輻射和激光進行熱療以代替外科手術(shù)越來越受到醫(yī)學(xué)界的關(guān)注，而且傳感器的小尺寸在醫(yī)學(xué)應(yīng)用中是非常重要的，因為小的尺寸對人體組織的傷害較小，光纖溫度傳感器而正是目前為止能夠做到的最小的溫度傳感器。

面向汽車應(yīng)用的隔離器能夠在I級環(huán)境溫度條件下有效工作，可承受低至-40°C和高至+125°C的溫度，充分體現(xiàn)出它們的耐用性。

此外，其引腳之間相互兼容，增加了電源的穩(wěn)定性，進而提高了整個系統(tǒng)的可靠性。

這些隔離器善于在寬電源電壓范圍內(nèi)最大限度地降低信號噪聲，其精確的定時性能和兼容性有助于實現(xiàn)高功率密度的設(shè)計.半導(dǎo)體元器件級和系統(tǒng)級認證簡化了安全認證過程并加快了產(chǎn)品上市速度,使得ISOFACE數(shù)字隔離器成為穩(wěn)健、高效電子系統(tǒng)的理想選擇。

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