片上動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器為圖形顯示屏提供多個(gè)幀緩存區(qū)節(jié)省外部存儲(chǔ)芯片
發(fā)布時(shí)間:2024/9/16 12:17:48 訪問(wèn)次數(shù):1025
集成新的專(zhuān)用圖形加速器的STM32*微控制器(MCU),讓成本敏感的小型產(chǎn)品也能為用戶帶來(lái)更好的圖形體驗(yàn)。
3kV版本增加了開(kāi)關(guān)和線圈引腳之間的間隙,以適應(yīng)更高的電壓。可提供1個(gè)Form A、2個(gè)Form A和1個(gè)Form B配置,線圈可以選擇5V、12V或24V,具有可選的內(nèi)部二極管保護(hù)。根據(jù)需求還可以選擇其他構(gòu)建選項(xiàng),包括多種引腳配置。Pickering還提供定制負(fù)載測(cè)試來(lái)確保組件嚴(yán)格符合技術(shù)規(guī)格和用戶需求。
封裝也非常靈活,提供CSP,BGA兩種規(guī)格,尺寸小至10×10毫米,最大不過(guò)23×23毫米,中間有12×12毫米。
憑借10W,1000VDC的最大開(kāi)關(guān)電壓和2或3kV直流耐壓選項(xiàng),Pickering的144系列繼電器適用多種應(yīng)用。
舌簧繼電器的特點(diǎn)是使用真空簧片開(kāi)關(guān),觸點(diǎn)被密封在玻璃管內(nèi),相比于電磁繼電器具有更多優(yōu)勢(shì)。這種設(shè)計(jì)提供了一個(gè)保護(hù)屏障,可以防止環(huán)境因素如灰塵、水分和其他污染物的影響。相反地,電磁繼電器在結(jié)構(gòu)上是開(kāi)放的,其內(nèi)部組件暴露在外面。
隨著時(shí)間的推移,在高濕度或者空氣污染物環(huán)境中可能會(huì)導(dǎo)致氧化問(wèn)題,并嚴(yán)重影響低電平性能。與此同時(shí),舌簧繼電器易于長(zhǎng)期保持其性能和可靠性,在耐久性和壽命至關(guān)重要的應(yīng)用中成為首選。

超低功耗MCU STM32U5F9/G9和STM32U5F7/G7集成3MB片上動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器(SRAM),可以為圖形顯示屏提供多個(gè)幀緩存區(qū),以節(jié)省外部存儲(chǔ)芯片。
新產(chǎn)品還集成了NeoChromVG圖形處理器(GPU),實(shí)現(xiàn)的圖形效果可與更昂貴的高端微處理器相媲美。
隔離式比較器NSI22C12提供單芯片式隔離過(guò)流保護(hù)方案,能夠覆蓋更全面的故障場(chǎng)景,支持最大250ns的保護(hù)延時(shí),雙向過(guò)流保護(hù),同時(shí)提供高達(dá)150kV/μs的CMTI,大幅提升系統(tǒng)可靠性,支持客戶的工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)采用更高功率密度的設(shè)計(jì)。
深圳市恒凱威科技開(kāi)發(fā)有限公司http://szhkwkj.51dzw.com
集成新的專(zhuān)用圖形加速器的STM32*微控制器(MCU),讓成本敏感的小型產(chǎn)品也能為用戶帶來(lái)更好的圖形體驗(yàn)。
3kV版本增加了開(kāi)關(guān)和線圈引腳之間的間隙,以適應(yīng)更高的電壓?商峁1個(gè)Form A、2個(gè)Form A和1個(gè)Form B配置,線圈可以選擇5V、12V或24V,具有可選的內(nèi)部二極管保護(hù)。根據(jù)需求還可以選擇其他構(gòu)建選項(xiàng),包括多種引腳配置。Pickering還提供定制負(fù)載測(cè)試來(lái)確保組件嚴(yán)格符合技術(shù)規(guī)格和用戶需求。
封裝也非常靈活,提供CSP,BGA兩種規(guī)格,尺寸小至10×10毫米,最大不過(guò)23×23毫米,中間有12×12毫米。
憑借10W,1000VDC的最大開(kāi)關(guān)電壓和2或3kV直流耐壓選項(xiàng),Pickering的144系列繼電器適用多種應(yīng)用。
舌簧繼電器的特點(diǎn)是使用真空簧片開(kāi)關(guān),觸點(diǎn)被密封在玻璃管內(nèi),相比于電磁繼電器具有更多優(yōu)勢(shì)。這種設(shè)計(jì)提供了一個(gè)保護(hù)屏障,可以防止環(huán)境因素如灰塵、水分和其他污染物的影響。相反地,電磁繼電器在結(jié)構(gòu)上是開(kāi)放的,其內(nèi)部組件暴露在外面。
隨著時(shí)間的推移,在高濕度或者空氣污染物環(huán)境中可能會(huì)導(dǎo)致氧化問(wèn)題,并嚴(yán)重影響低電平性能。與此同時(shí),舌簧繼電器易于長(zhǎng)期保持其性能和可靠性,在耐久性和壽命至關(guān)重要的應(yīng)用中成為首選。

超低功耗MCU STM32U5F9/G9和STM32U5F7/G7集成3MB片上動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器(SRAM),可以為圖形顯示屏提供多個(gè)幀緩存區(qū),以節(jié)省外部存儲(chǔ)芯片。
新產(chǎn)品還集成了NeoChromVG圖形處理器(GPU),實(shí)現(xiàn)的圖形效果可與更昂貴的高端微處理器相媲美。
隔離式比較器NSI22C12提供單芯片式隔離過(guò)流保護(hù)方案,能夠覆蓋更全面的故障場(chǎng)景,支持最大250ns的保護(hù)延時(shí),雙向過(guò)流保護(hù),同時(shí)提供高達(dá)150kV/μs的CMTI,大幅提升系統(tǒng)可靠性,支持客戶的工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)采用更高功率密度的設(shè)計(jì)。
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