AM30LV0064D在單片機(jī)系統(tǒng)中的典型應(yīng)用

發(fā)布時(shí)間:2007/4/23 0:00:00 訪問(wèn)次數(shù):1343

摘要：AM30LV0064D是AMD公司生產(chǎn)的一種新型超與非（U1traNAND）結(jié)構(gòu)的閃速存儲(chǔ)器（Flash）。本文介紹它的工作原理，以及它與AT89LS8252單片機(jī)的硬件接口電路和PLD內(nèi)部邏輯控制設(shè)計(jì)的代碼，并對(duì)編程操作的軟件流程進(jìn)行了描述。

關(guān)鍵詞：AM30LV0064D U1traNAND 閃速存儲(chǔ)器

1 概述

AM30LV0064D是AMD公司生產(chǎn)的一種新型非易失性閃速存儲(chǔ)器�；蚍牵∟OR）結(jié)構(gòu)的Flash具有高速的隨機(jī)存取功能，但成本較高；新的UltraNAND結(jié)構(gòu)的Flash相對(duì)于NOR結(jié)構(gòu)的Flash，具有價(jià)格低，容量特別大的優(yōu)勢(shì)，支持對(duì)存儲(chǔ)器高速地連續(xù)存取。諞芯片工作電壓范圍在2.7～3.6V，特別適用于需要批量存儲(chǔ)大量代碼或數(shù)據(jù)的語(yǔ)音、圖形、圖像處理場(chǎng)合，在便攜式移動(dòng)存儲(chǔ)和移動(dòng)多媒體系統(tǒng)中應(yīng)用前景廣闊。

2 工作原理與命令字設(shè)置

AM30LV0064D采用與工業(yè)級(jí)NAND結(jié)構(gòu)兼容的UltraNAND結(jié)構(gòu)，內(nèi)部包含1024個(gè)存儲(chǔ)塊（單元容量為8K字節(jié)+256字節(jié)緩存)；存儲(chǔ)塊中的數(shù)據(jù)按頁(yè)存放，每頁(yè)可存儲(chǔ)512字節(jié)，還有16字節(jié)緩存用作與外部數(shù)據(jù)交換時(shí)的緩沖區(qū)，每塊共16頁(yè)。所以，主存儲(chǔ)區(qū)一共有16 384數(shù)據(jù)頁(yè)，相當(dāng)于64 Mbit的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。

圖1為AM30LV0064D的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和主要引腳示意圖。

圖1 AM30LV0064D的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和主要引腳示意圖

AM30LV0064D的主要引腳定義：

CE--片選使能輸入；

ALE--地址輸入使能；

CLE--命令字輸入使能；

SE--緩沖區(qū)使能輸入，低電平有效；

RE--讀使能輸入，低電平有效；

WE--寫(xiě)使能輸入，低電平有效；

WP--寫(xiě)保護(hù)輸入，低電平有效；

RY/BY--內(nèi)部空閑/忙信號(hào)輸出；

I/O7～0--8位數(shù)據(jù)輸入/輸出口；

VCC--3.3V核心電源；

VCCQ--I/O口電源；

VSS--地。

AM30LV0064D的讀、編程和擦寫(xiě)等操作都可以在3.3V單電源供電狀態(tài)下進(jìn)行，同時(shí)它提供的VCCQ引腳在接5V時(shí)，I/O口可兼容5V電平。AM30LV0064D支持對(duì)主存高速地連續(xù)存取和編程操作，連續(xù)讀取數(shù)據(jù)的時(shí)間可小于50ns/字節(jié)（隨機(jī)讀取數(shù)據(jù)的響應(yīng)時(shí)間為7μs，所以連續(xù)讀取時(shí)第一個(gè)數(shù)據(jù)的響應(yīng)時(shí)間也是7μs）；對(duì)Flash的編程是以頁(yè)為單位的，步驟是先寫(xiě)入數(shù)據(jù)，再執(zhí)行編程命令，編程速度為200μs/頁(yè)（平均約400ns/字節(jié)）；芯片擦除操作以存儲(chǔ)塊為單位，擦除其中某一塊對(duì)其它存儲(chǔ)塊的數(shù)據(jù)沒(méi)有影響，擦除時(shí)間2ms/存儲(chǔ)塊，而且還有延緩擦降/得擦除命令，允許用戶在必要時(shí)暫緩擦除操作，轉(zhuǎn)而處理對(duì)其它存儲(chǔ)塊進(jìn)行數(shù)據(jù)讀、寫(xiě)、編程等操作；此外，主機(jī)可以通過(guò)讀RY/BY引腳狀態(tài)的方法了解Flash內(nèi)部操作是否已經(jīng)完成，RY/BY也可用于實(shí)現(xiàn)硬件判忙接口。AM30LV0064D還具有寫(xiě)保護(hù)功能，這一功能通過(guò)將WP引腳設(shè)為低電平實(shí)現(xiàn)。

圖2 AM30LV0064D應(yīng)用電路

所有操作都建立在命令字基礎(chǔ)上。對(duì)主存操作時(shí)，所有命令字都通過(guò)芯片的8個(gè)I/O引腳寫(xiě)到命令寄存器中，激活狀態(tài)機(jī)進(jìn)行相應(yīng)的操作。存儲(chǔ)器地址以及數(shù)據(jù)也從8位I/O腳寫(xiě)入。對(duì)存儲(chǔ)器地址進(jìn)行連續(xù)操作或?qū)Υ鎯?chǔ)塊操作時(shí)都要先向地址寄存器寫(xiě)入1個(gè)起始地址。地址分3次寫(xiě)進(jìn)去，從低字節(jié)開(kāi)始傳送，具體的地址位傳送順序分配如表1所列。（由于對(duì)存儲(chǔ)器的讀操作分前后2個(gè)半頁(yè)，每半頁(yè)256字節(jié)，在命令字中已經(jīng)包含了此信息，而編程以頁(yè)為單位、擦除以塊為單位，所以傳送的地址位中不含A8）

表1 地址分配表