近年來，我國(guó)移動(dòng)電話市場(chǎng)發(fā)展迅猛。截止2000年十月，我國(guó)手機(jī)用戶已達(dá)6723萬戶，網(wǎng)絡(luò)規(guī)模居世界第二。據(jù)權(quán)威部門預(yù)測(cè)，2003年我國(guó)移動(dòng)用戶總數(shù)將超過1億戶，市場(chǎng)規(guī)模將會(huì)起過2000億元，國(guó)產(chǎn)手機(jī)廠商為贏得未來的手機(jī)市場(chǎng)紛紛加大了研發(fā)力度的投入，力爭(zhēng)實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)手機(jī)的整體突破。

射頻（RF）電路是手機(jī)設(shè)計(jì)中的難點(diǎn)、也是最為關(guān)鍵的部件之一，RF電路對(duì)供電電源的輸出紋波要求較高，為避免電源開關(guān)噪聲的影響、防止RF各部分電路之間相互干擾，需要用幾個(gè)低壓差線性穩(wěn)壓器（LDO）分別為發(fā)送器、接收器、頻率合成器等供電，本文所介紹的MAX1727一方面可為手機(jī)RF電路提供穩(wěn)定的供電，另一方面還可為GSM蜂窩電話/PCN終端的功率放大器（PA）提供功率控制，從而為PA管提供有效的保護(hù)。圖1所示為利用MAX1727為GSM/PCN終端RF電路供電并提供增益控制的實(shí)際電路。

1 MAX1727的結(jié)構(gòu)與原理

MAX1727內(nèi)部包括四組LDO（LDO1～LDO4）、兩個(gè)高速運(yùn)算放大器和三組開關(guān)，四組LDO用于提供手機(jī)射頻部分的供電，寬帶、高速運(yùn)算放大器則用于構(gòu)成PA的功率控制環(huán)路。

1.1 LDO

MAX1727內(nèi)的各組LDO均由誤差放大器、反饋取樣電路、P溝道MOSFET構(gòu)成。所有LDO共用同一基準(zhǔn)電壓源、其準(zhǔn)電壓為1.25V，誤差放大器將各LDO輸出電壓的取樣值與基準(zhǔn)電壓相比較，當(dāng)反饋電壓低于基準(zhǔn)電壓時(shí)，MOSFET的柵極被拉低、MOSFET導(dǎo)通，由電池提供的電流注入負(fù)載使輸出電壓升高，如果反饋至誤差放大器的取樣電壓高于基準(zhǔn)，則MOSFET柵極被拉高、僅有較小的電流被注入到負(fù)載。P溝道MOSFET所需要的柵極驅(qū)動(dòng)電流非常小，從而有效地降低了LDO的靜態(tài)電流。反饋取樣電路由芯片內(nèi)部的精密電阻分壓網(wǎng)絡(luò)構(gòu)成，各路LDO均具有高較高的PSRR和出色的負(fù)載穩(wěn)定度及線性穩(wěn)定度。LDO4的輸出與LDO3的輸入相連，并為L(zhǎng)DO3提供預(yù)隱壓。如果需要負(fù)載與輸入間保持高度隔離，則可由LDO3供電。

線性穩(wěn)壓器輸入與輸出之間的最小壓差確定了LDO可利用的最小電池電壓，一旦輸入與輸出之間的電壓差達(dá)到最小壓差，則調(diào)整管MOSFET完全導(dǎo)通，穩(wěn)壓差達(dá)到最小壓差，則調(diào)整管MOSFET完全導(dǎo)通，穩(wěn)壓環(huán)節(jié)被禁止，此時(shí)，輸出電壓將隨著輸入電壓的降低而減小，輸出與輸入之間的壓差為MOSFET漏源之間的導(dǎo)通電阻與負(fù)載電流的乘積。

獨(dú)立的限流電路用來為各路LDO提供短路保護(hù)，限流門限分別為：REG1=250mA、REG2/REG3/REG4=125mA。熱過載保護(hù)電路可限制芯片的總功耗，當(dāng)芯片溫度達(dá)到150℃時(shí)，溫度傳感器將關(guān)閉芯片內(nèi)的所有穩(wěn)壓器，而當(dāng)管芯溫度恢復(fù)到大約20℃時(shí)穩(wěn)壓器重新開啟。

MAX1727線性穩(wěn)壓器輸入電壓范圍為3.1V至5.5V，可采用單節(jié)Li+電池或3節(jié)NiMH電池供電，輸出電壓如下：

LDO1：2.9V/100mA,可為發(fā)送器、接收器或頻率合成器供電。

LDO2：2.75/50mA，可為TCXO及GSM/PCN的大功率VCO供電。

LDO3：2.75/20mA，可為UHF頻率合成器供電，也可通過內(nèi)部開關(guān)精確控制VCO的上電時(shí)間。

LDO4：2.95V/20mA，可為芯片內(nèi)部基準(zhǔn)電壓源供電，并為L(zhǎng)DO3提供預(yù)穩(wěn)壓。

MAX1727穩(wěn)壓器的外部電路包括LDO各輸出端的旁路電容和基準(zhǔn)源的旁路電容，LDO輸出電容建議選用1μF、最大等效串聯(lián)電阻（ESR）為0.4Ω的電容，為了改變?cè)肼曁匦裕部蛇x用10μF的電容，值得注意的是：有些陶瓷電容的電容值和ESR隨著溫度的變化而改變，選用電容時(shí)應(yīng)當(dāng)考慮這些因素，例如選用電介質(zhì)為Z5U、Y5V的電容時(shí)，電容值要高于2.2μF，以保證低溫條件下LDO的穩(wěn)定性�；鶞�(zhǔn)旁路電容連接在CBYP引腳與GND之間，推薦選用0.01μF的無極性電容，安裝應(yīng)盡量靠近CBYP引腳，而且該引腳不允許外接負(fù)載。

1.2 運(yùn)算放大器

MAX1727內(nèi)部所含的兩個(gè)獨(dú)立的、單位增益穩(wěn)定的運(yùn)算放大器的增益帶寬積為4MHz，壓擺率為1V/μs，當(dāng)輸出負(fù)載為1kΩ//100pF時(shí)，增益與相位裕量分別為8dB和63°。輸出級(jí)由差發(fā)CMOS晶體管構(gòu)成，具有極高的共模抑制比，輸入最大失調(diào)電壓為2mV、最大偏置電流