來源：電子設(shè)計(jì)應(yīng)用 作者：華南理工大學(xué)電子與信息學(xué)院 曾慶虹 晉建秀 楊時(shí)杰

摘要：本文介紹了高速雙MOSFET驅(qū)動(dòng)器MC34152的內(nèi)部結(jié)構(gòu)、工作原理以及由MC34152與CMOS邏輯器件組成的軟開關(guān)變換器驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)。

關(guān)鍵詞：驅(qū)動(dòng)電路；功率MOSFET；開關(guān)電源；變換器

引言
在高頻PWM開關(guān)變換器中，為保證功率MOSFET在高頻、高壓、大電流下工作，要設(shè)計(jì)可靠的柵極驅(qū)動(dòng)電路。一個(gè)性能良好的驅(qū)動(dòng)電路要求觸發(fā)脈沖應(yīng)具有足夠快的上升和下降速度，脈沖前后沿要陡峭；驅(qū)動(dòng)源的內(nèi)阻要足夠小、電流要足夠大，以提高功率MOSFET的開關(guān)速度；為了使功率MOSFET可靠觸發(fā)導(dǎo)通，柵極驅(qū)動(dòng)電壓應(yīng)高于器件的開啟電壓；為防止誤導(dǎo)通，在功率MOSFET截止時(shí)最好能提供負(fù)的柵-源電壓。而對(duì)于軟開關(guān)變換器，在設(shè)計(jì)驅(qū)動(dòng)電路時(shí)，還需考慮主開關(guān)與輔助開關(guān)驅(qū)動(dòng)信號(hào)之間的相位關(guān)系。本文以升壓ZVT-PWM變換器為例，用集成芯片MC34152和CMOS邏輯器件設(shè)計(jì)了一種可滿足以上要求的軟開關(guān)變換器驅(qū)動(dòng)電路。
　　
MC34152
MC34152是一款單片雙MOSFET高速集成驅(qū)動(dòng)器，具有完全適用于驅(qū)動(dòng)功率MOSFET的兩個(gè)大電流輸出通道，且具有低輸入電流，可與CMOS和LSTTL邏輯電路相容。

MC34152的每一通道包括邏輯輸入級(jí)和功率輸出級(jí)兩部分。輸入級(jí)由具有最大帶寬的邏輯電路施密特觸發(fā)器組成，并利用二極管實(shí)現(xiàn)雙向輸入限幅保護(hù)。輸出級(jí)被設(shè)計(jì)成圖騰柱 (totem pole)電路結(jié)構(gòu)形式�；鶞�(zhǔn)電壓為5.7V的比較器與施密特觸發(fā)器輸出電平的邏輯判定決定了與非門的輸出狀態(tài)(同相或反相輸出)，進(jìn)而決定了兩個(gè)同型輸出功率管的“推”或“挽”工作狀態(tài)。這種結(jié)構(gòu)使該芯片具有強(qiáng)大的驅(qū)動(dòng)能力及低的輸出阻抗，其輸出和吸收電流的能力可達(dá)1.5A，在1.0A時(shí)的標(biāo)準(zhǔn)通態(tài)電阻為2.4W，可對(duì)大容性負(fù)載快速充放電；對(duì)于1000pF負(fù)載，輸出上升和下降時(shí)間僅為15ns，邏輯輸入到驅(qū)動(dòng)輸出的傳輸延遲(上升沿或下降沿)僅為55ns，因而可高速驅(qū)動(dòng)功率MOSFET。每個(gè)輸出級(jí)還含有接到VCC的一個(gè)內(nèi)置二極管，用于箝制正電壓瞬態(tài)變化，而輸出端要接100KW降壓電阻，用于保證當(dāng)VCC低于1.4V時(shí)，保持MOSFET柵極處于低電位。
　　
軟開關(guān)變換器驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)
升壓ZVT-PWM變換器是一種零電壓轉(zhuǎn)換軟開關(guān)變換器，其結(jié)構(gòu)如圖1所示，由主電路和控制系統(tǒng)兩部分組成。在主電路中，S為主開關(guān)，S1為輔助開關(guān)，控制系統(tǒng)包括PWM信號(hào)產(chǎn)生電路及驅(qū)動(dòng)電路。

圖1 ZVT-PWM變換器結(jié)構(gòu)框圖


指標(biāo)要求
變換器：開關(guān)頻率fS=100KHz；輸入電壓Vi=12V；輸出電壓Vo=48V；輸出功率Po=100W。
驅(qū)動(dòng)電路：輸出峰值電流Iom<1A；輸出峰值電壓Vom>5V；驅(qū)動(dòng)脈沖上升時(shí)間tr和下降時(shí)間tf均<50ns；驅(qū)動(dòng)脈沖上升沿和下降沿的傳輸延遲(tPLH和tPHL)均<150ns。

電路設(shè)計(jì)
為滿足指標(biāo)要求，主、輔開關(guān)均選用MTM15N20，為功率MOSFET，其主要參數(shù)為：VDS=200V，ID=15A，VGS(th)=2V，RDS(ON)＝0.12W，Ciss=2000pF，Coss=700pF，Crss=200pF。設(shè)增益因子A=芕DS/芕GS=10，考慮到從柵極到漏極電容Crss引入的密勒效應(yīng)，則柵極回路總輸入電容為：
Cin≈Ciss+A.Crss=2000+10×200=4000pF
要求輸入電容電壓在tr(50 ns)時(shí)間內(nèi)柵極電壓達(dá)到10V，則柵極輸入電流為：
Ig=Cin.dv/dt=Cin.VGS/tr=4000×
10-12.10/50×10-9=0.8A
從MC34152的性能參數(shù)可見，采用MC34152可滿足MTM15N20對(duì)驅(qū)動(dòng)源內(nèi)阻小、電流大的要求。

主開關(guān)S的觸發(fā)信號(hào)可由集成PWM芯片產(chǎn)生，例如常用的TL494、LM3524等。適當(dāng)調(diào)整死區(qū)電壓，限制開關(guān)脈沖的最大寬度，以保證有足夠的時(shí)間安插輔助開關(guān)S1的觸發(fā)信號(hào)。輔助開關(guān)S1的觸發(fā)信號(hào)可采用D觸發(fā)器(如CD4013)構(gòu)成的單穩(wěn)態(tài)電路，結(jié)合邏輯反相器(如CD4069)對(duì)來自PWM芯片的脈沖進(jìn)行波形變換而獲得。綜合以上考慮, ZVT-PWM變換器的驅(qū)動(dòng)電路如圖2所示。

圖2 ZVT-PWM變換器驅(qū)動(dòng)電路

從圖2可見，由PWM控制芯片輸出的脈沖調(diào)制波經(jīng)CD4069反相整形后送至MC34152輸入端(引腳2)，由7引腳輸出，作為主開關(guān)的驅(qū)動(dòng)信號(hào)。與此同時(shí)，從PWM控制芯片輸出的脈沖調(diào)制波經(jīng)CD4069另一反相器整形后，輸入到CD4013的CLK端(3引腳)作為時(shí)鐘信號(hào)。信號(hào)上升沿觸發(fā)，使Q端(1引腳)輸出高電平，經(jīng)過可變電阻RP對(duì)電容C9充電。當(dāng)充電電壓達(dá)到VCC/2時(shí)，復(fù)位端起作用，使D觸發(fā)器復(fù)位，Q端電位變成低電平，電容C9經(jīng)過二極管D2迅速放電至零，準(zhǔn)備進(jìn)入下一個(gè)周期。因此，經(jīng)單穩(wěn)態(tài)電路，從CD4013的Q端輸出的脈沖信號(hào)經(jīng)CD4069再一次反