MRAM即磁阻式隨機訪問存儲器的簡稱。經(jīng)過10多年不間斷的研發(fā)，飛思卡爾公司已于2006年成功地實現(xiàn)了MRAM的商業(yè)化生產(chǎn)并開始供貨。這只全球第一款正式量產(chǎn)并供貨的MRAM的型號為MR2A16A，它采用44腳的TSOP封裝，容量為4M比特。它采用一個3.3V的單電源供電，可以以高達28.5MHz的頻率進行讀/寫操作。

在當今的電子設(shè)備中，有各種各樣的存儲器件，包括SRAM、DRAM、閃存以及硬盤等。不同的存儲器件有不同的特性，它們在使用壽命、讀寫速度、存儲容量/密度以及使用方式和價格等各方面都存在很大的差異，是無法互相替代的。所以在一個設(shè)備中經(jīng)常有多種存儲器件存在。目前還沒有一種存儲技術(shù)能取代所有這些存儲器件，成為一種通用的存儲器。但MRAM的出現(xiàn)改變了這種狀況，MRAM集成了SRAM的高速讀寫性能與閃存存儲器的非易失性，它可以作為一個單一的存儲器件，用于既需要快速、大量存儲數(shù)據(jù)，又需要斷電后保持數(shù)據(jù)，并可快速恢復的系統(tǒng)中。

下載PDF格式全文