來源：國外電子元器件 作者：湖北武漢高壓研究所 張蓬鶴摘要：at93c46/56/66是atmel公司生產的低功耗、低電壓、電可擦除、可編程只讀存儲器，采用cmos工藝技術制造并帶有３線串行接口，其容量分別為1kb/4kb，可重復寫100萬次，數據可保存100年以上。文中介紹了該存儲器的引腳功能和指令時序，給出了at93c46/56/66和單片機的接口應用電路和軟件程序。

關鍵詞：eeprom 存儲器 接口應用 程序 at93c46/56/66１６位單片機以其適于高速控制場合及功能多等優(yōu)點已在工業(yè)控制領域中占領了一定的市場。由于ｅｅｐｒｏｍ能在不脫離系統(tǒng)的情況下修改其存儲單元中的內容，故在１６位單片機中的應用愈來愈廣泛。本文結合１６位機的特點，詳細介紹ａｔ９３系列ｅｅｐｒｏｍ及其使用方法。

ａｔ９３ｃ４６／５６／６６是ａｔｍｅｌ公司推出的低功耗、低電壓電可擦除的可編程只讀存儲器。它采用ｃｍｏｓ技術和ｆａｉｒｃｈｉｌｄ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ 公司的ｍｉ-ｃｒｏｗｉｒｅ工業(yè)標準３線串行接口，具有１ｋｂ／２ｋｂ／４ｋｂ的容量，并可通過ｏｒｇ管腳配置成１２８×８／２５６×８／５１２×８或６４×１６／１２８×１６／２５６×１６等結構。該系列存儲器可靠性高，能夠重復寫１００萬次，數據可以保存１００年不丟失；采用８腳ｐｄｉｐ／ｓｏｉｃ封裝和１４腳ｓｏｉ封裝（ｓｏｉ封裝為ｊｅｄｅｃ和ｅｉａｊ標準），與并行的ｅｅｐｒｏｍ相比，ａｔ９３ｃ４６／５６／６６可大大節(jié)省印制板空間，且接線簡單，因而在多功能的精密測試儀中具有廣闊的前途。

１　引腳功能

ａｔ９３ｃ４６／５６／６６存儲器芯片的引腳排列如圖１所示。各引腳的功能如下：

ｃｓ：片選信號。高電平有效，低電平時進入等待模式。在連續(xù)的指令之間，ｃｓ信號必須持續(xù)至少２５０ｎｓ的低電平，才能保證芯片正常工作。

ｃｌｋ：串行時鐘信號。在ｃｌｋ的上升沿，操作碼、地址和數據位進入器件或從器件輸出。在發(fā)送序列時，ｃｌｋ最好不停止，以防止讀／寫數據的錯誤。

ｄｉ：串行數據輸入�？稍冢悖欤氲耐较螺斎腴_始位、操作碼、地址位和數據位。

ｄｏ：串行數據輸出。在ｃｌｋ同步下讀周期時，用于輸出數據；而在地址擦／寫周期或芯片擦／寫周期時，該端用于提供忙／閑信息。

ｖｓｓ：接地。

ｖｃｃ：接＋５ｖ電源。

ｏｒｇ：存貯器構造配置端。該端接ｖｃｃ或懸空時，輸出為１６位；接ｇｎｄ時，輸出為８位。

ｎｃ：空腳，不連接。

表1 at93c46/56/66系統(tǒng)指令

指 令

起始位

操作碼

地址位

數據位

備 注

*8 *16

空

read

1

10

anao anao

空

從指定的單元讀數

ewen

1

00

11xxxxx 11xxxx

空

允許寫指令

erase

1

11

an～ao an-1～ao

空

擦除指定單元

write

1

01

an～ao an-1～ao

d7～d0 d15～d0

寫入存儲單元

eral

1

00

10xxxxx 10xxxx

空

擦除存儲器所有單元

wral

1

00

01xxxx 01xxxx

d7～d0 d15～d0

寫入存儲器所有單元

ewds

1

00

00xxxxx 00xxxx

空

禁止寫指令

表中，93c46 n=6;93c56n=7; 93c66n=8

２　指令及時序ａｔ９３ｃ４６／５６／６６的指令如表１所列，各指令的具體含義如下：

（１）擦／寫允許指令（ｅｗｅｎ）

由于在上電復位后ａｔ９３ｃ４６／５６／６６首先將處于擦／寫不允許狀態(tài)。故該指令必須在所有編程模式前執(zhí)行，一旦該指令執(zhí)行后，只要外部沒有斷電就可以對芯片進行編程。

（２）地址擦指令（ｅｒａｓｅ）

該指令用于強迫指定地址中所有數據位都為“１”。一旦信息在ｄｉ端上被譯碼，就需使ｃｓ信號保持至少２５０ｎｓ的低電平，然后將ｃｓ置為高電平，這時，ｄｏ端就會指示“忙”標志。ｄｏ為“０”，表示編程正在進行；ｄｏ為“１”，表示該指定地址的寄存器單元已擦完，可以執(zhí)行下一條指令。

（３）地址寫指令（ｗｒｉｔｅ）

寫指令時，先寫地址，然后將１６位的或８位數據寫入到指定地址中。當ｄｉ端輸出最后一個數據位后，在ｃｌｋ時鐘的下一個上升沿以前，