IDT70V9289型高速同步雙口SRAM的原理及應(yīng)用
發(fā)布時(shí)間:2007/9/11 0:00:00 訪問次數(shù):493
摘要:IDT70V9289是IDT公司新推出的一款高速同步雙口靜態(tài)存儲(chǔ)器(SRAM),可實(shí)現(xiàn)不同傳輸方式的雙路高速數(shù)據(jù)流的無損傳輸。文中詳細(xì)介紹該電路的結(jié)構(gòu)和原理,給出IDT70V9289的典型應(yīng)用電路及設(shè)計(jì)時(shí)應(yīng)注意的問題。
關(guān)鍵詞:SRAM 同步 流通模式 流水線模式
1 引言
隨著科技的發(fā)展和高速設(shè)備的不斷涌現(xiàn),數(shù)據(jù)傳輸率也越來越高。而由于傳輸方式的不同,各種高速設(shè)備在連接時(shí)能否實(shí)現(xiàn)可靠的數(shù)據(jù)交換就顯得十分重要。高速雙口SRAM的出現(xiàn)為解決這一問題提供了一種有效途徑。IDT70V9289是IDT公司新推出的高速同步雙口靜態(tài)存儲(chǔ)器,其容量為64k×16bit,具有設(shè)計(jì)簡單,應(yīng)用靈活等特點(diǎn)。
2 IDT70V9289的結(jié)構(gòu)及功能
2.1 內(nèi)部結(jié)構(gòu)
圖1示出IDT70V9289的結(jié)構(gòu)框圖,它主要由I/O控制器、存儲(chǔ)器陣列、計(jì)數(shù)器/地址寄存器和一些邏輯電路組成。
圖1
2.2 功能特點(diǎn)
·真正的雙端口存儲(chǔ)器,完全同步操作
3.5ns時(shí)鐘建立時(shí)間,0ns保持時(shí)間(所有控制、數(shù)據(jù)和地址輸入)
具有數(shù)據(jù)輸入、地址和控制寄存器
·存儲(chǔ)容量達(dá)1024kbit(64k×16bit);
·高速數(shù)據(jù)存取,其TCD(時(shí)鐘上升沿與數(shù)據(jù)輸入/輸出的時(shí)延)為
商業(yè)級(jí):6/7.5/9/12ns(最大)
工業(yè)級(jí):9ns(最大)
·應(yīng)用IDT公司的高性能CMOS技術(shù),所耗低
工作時(shí):500mW(典型值)
待機(jī)時(shí):1.5mw(典型值)
·計(jì)數(shù)使能和重置功能
·通過FT/PIPE引腳選擇任意端口的流通(folw-through)或流水線輸出模式
·可對多路傳輸總線中的獨(dú)立高位字節(jié)和低位字節(jié)進(jìn)行控制
·LVTTL接口電平,3.3V(±0.3V)單電源供電
2.3 引腳功能(以左邊端口引腳為例)
VDD:電源輸入端,起濾波作用的旁路電容器應(yīng)盡可能靠近電源引腳,并直接連接到地;
VSS:接地引腳;
CE0L,CE1L:使能端,當(dāng)CE0L為低電平且CE1L為高電平時(shí),電路工作。該引腳可允許每個(gè)端口的片上電路進(jìn)入低功耗的待機(jī)模式;
R/WL:讀/寫使能,此端為高電平時(shí)讀出,為低電平時(shí)寫入;
OEL:異步輸出使能;
A0L-A15L:地址同步輸入端;
I/O0L-I/O15L:數(shù)據(jù)輸入/輸出端;
CLK::存儲(chǔ)器工作時(shí)鐘,所以輸入信號(hào)在該時(shí)鐘上升沿有效;
UBL:高位字節(jié)選擇,低電平有效;
LBL:低位字節(jié)選擇,低電平有效;
CNTENL:計(jì)數(shù)器使能,當(dāng)時(shí)鐘上升沿到來時(shí),如果該引腳為低電平,則地址計(jì)數(shù)器工作,優(yōu)先級(jí)高于其它引腳;
CNTRSTL:計(jì)數(shù)器重置,低電平有效,優(yōu)先級(jí)高于其他引腳;
FT/PIPEL:流通(flow-through)和流水線模式選擇,高電平有時(shí)為流水線模式,此時(shí)輸出有效發(fā)生在CE0L為低電平且CE1L為高電平的二個(gè)周期。
ADSL:地址選通使能,低電平有效,優(yōu)先級(jí)高于其他引腳。
3 應(yīng)用舉例
以IDT70V9289為核心,配以適當(dāng)?shù)目刂菩盘?hào),即可使不同傳輸方式的雙路高速數(shù)據(jù)流實(shí)現(xiàn)無損傳輸。下面以某高速誤碼儀與CY7C68013型高速USB單片機(jī)的連接為例,介紹IDT70V9289的應(yīng)用及應(yīng)注意的問題。
3.1 讀模式選擇
在設(shè)計(jì)中,高速誤碼儀的Virtex_II XC2V250與CY7C68013進(jìn)行數(shù)據(jù)交換,由于CY7C68013采用突發(fā)方式傳輸且傳輸速度高達(dá)300Mbit/s,而Virtex-II XC2V250只能檢測連續(xù)數(shù)據(jù)流的誤碼,因此正好可以應(yīng)用IDT70V9289實(shí)現(xiàn)高速數(shù)據(jù)流的無損傳輸。IDT70V9289提供二種讀數(shù)據(jù)模式(流通模式和流水線模式)。為了實(shí)現(xiàn)高速傳輸和降低時(shí)序設(shè)計(jì)的復(fù)雜度,設(shè)計(jì)選擇了流水線模式。下面簡述二種模式的區(qū)別。
(1)結(jié)構(gòu)差別
二者在寫入過程中完全一樣,都是通過輸入寄存器緩沖數(shù)據(jù),但在讀出過程中,流水線模式通過輸出寄存器緩沖數(shù)據(jù)而流通模式則沒有。如圖2所示,在流水線模式中輸入寄存器和輸出寄存器工作在同一時(shí)鐘邊沿。
(2)時(shí)序差別
結(jié)構(gòu)差別反映在時(shí)序關(guān)系上就是流通模式的數(shù)據(jù)輸出比流水線模式提前一周期,并與存儲(chǔ)器陣列的讀數(shù)據(jù)同在一個(gè)時(shí)鐘周期,并與存儲(chǔ)器陣列的讀數(shù)據(jù)同在一個(gè)時(shí)鐘周期,如圖3所示,這樣,可以實(shí)現(xiàn)地址輸入和數(shù)據(jù)輸出的同步,從而滿足一些電路的時(shí)序要求;而流水線模式由于有輸出寄存器,其輸出引腳上的讀數(shù)據(jù)在幾乎整個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)都是可用的,因而為器件取數(shù)據(jù)提供最佳的建立時(shí)間,并允許在更高的時(shí)鐘頻率下進(jìn)行操作,同時(shí)設(shè)計(jì)者也無需擔(dān)心電路設(shè)計(jì)技巧和定時(shí)通路。更要注意的是:由于存在這種時(shí)序差別,設(shè)計(jì)者在選擇讀模式時(shí),要考慮到相應(yīng)的時(shí)序變化,以免造成讀取數(shù)據(jù)錯(cuò)誤。
3.2 電路設(shè)計(jì)
由于本設(shè)計(jì)的數(shù)據(jù)傳輸率高達(dá)300Mbit/s,而IDT70V9289的容量僅有1024kbit,所以必須采取邊讀邊寫的方式緩沖數(shù)據(jù)。但是,IDT70V9289并不允許雙端口對同一地址同時(shí)進(jìn)行讀和寫,也沒有像以前的SRAM(如IDT7024)那樣設(shè)計(jì)操作忙邏輯,而是制定了一套讀寫規(guī)則。由于這套
摘要:IDT70V9289是IDT公司新推出的一款高速同步雙口靜態(tài)存儲(chǔ)器(SRAM),可實(shí)現(xiàn)不同傳輸方式的雙路高速數(shù)據(jù)流的無損傳輸。文中詳細(xì)介紹該電路的結(jié)構(gòu)和原理,給出IDT70V9289的典型應(yīng)用電路及設(shè)計(jì)時(shí)應(yīng)注意的問題。
關(guān)鍵詞:SRAM 同步 流通模式 流水線模式
1 引言
隨著科技的發(fā)展和高速設(shè)備的不斷涌現(xiàn),數(shù)據(jù)傳輸率也越來越高。而由于傳輸方式的不同,各種高速設(shè)備在連接時(shí)能否實(shí)現(xiàn)可靠的數(shù)據(jù)交換就顯得十分重要。高速雙口SRAM的出現(xiàn)為解決這一問題提供了一種有效途徑。IDT70V9289是IDT公司新推出的高速同步雙口靜態(tài)存儲(chǔ)器,其容量為64k×16bit,具有設(shè)計(jì)簡單,應(yīng)用靈活等特點(diǎn)。
2 IDT70V9289的結(jié)構(gòu)及功能
2.1 內(nèi)部結(jié)構(gòu)
圖1示出IDT70V9289的結(jié)構(gòu)框圖,它主要由I/O控制器、存儲(chǔ)器陣列、計(jì)數(shù)器/地址寄存器和一些邏輯電路組成。
圖1
2.2 功能特點(diǎn)
·真正的雙端口存儲(chǔ)器,完全同步操作
3.5ns時(shí)鐘建立時(shí)間,0ns保持時(shí)間(所有控制、數(shù)據(jù)和地址輸入)
具有數(shù)據(jù)輸入、地址和控制寄存器
·存儲(chǔ)容量達(dá)1024kbit(64k×16bit);
·高速數(shù)據(jù)存取,其TCD(時(shí)鐘上升沿與數(shù)據(jù)輸入/輸出的時(shí)延)為
商業(yè)級(jí):6/7.5/9/12ns(最大)
工業(yè)級(jí):9ns(最大)
·應(yīng)用IDT公司的高性能CMOS技術(shù),所耗低
工作時(shí):500mW(典型值)
待機(jī)時(shí):1.5mw(典型值)
·計(jì)數(shù)使能和重置功能
·通過FT/PIPE引腳選擇任意端口的流通(folw-through)或流水線輸出模式
·可對多路傳輸總線中的獨(dú)立高位字節(jié)和低位字節(jié)進(jìn)行控制
·LVTTL接口電平,3.3V(±0.3V)單電源供電
2.3 引腳功能(以左邊端口引腳為例)
VDD:電源輸入端,起濾波作用的旁路電容器應(yīng)盡可能靠近電源引腳,并直接連接到地;
VSS:接地引腳;
CE0L,CE1L:使能端,當(dāng)CE0L為低電平且CE1L為高電平時(shí),電路工作。該引腳可允許每個(gè)端口的片上電路進(jìn)入低功耗的待機(jī)模式;
R/WL:讀/寫使能,此端為高電平時(shí)讀出,為低電平時(shí)寫入;
OEL:異步輸出使能;
A0L-A15L:地址同步輸入端;
I/O0L-I/O15L:數(shù)據(jù)輸入/輸出端;
CLK::存儲(chǔ)器工作時(shí)鐘,所以輸入信號(hào)在該時(shí)鐘上升沿有效;
UBL:高位字節(jié)選擇,低電平有效;
LBL:低位字節(jié)選擇,低電平有效;
CNTENL:計(jì)數(shù)器使能,當(dāng)時(shí)鐘上升沿到來時(shí),如果該引腳為低電平,則地址計(jì)數(shù)器工作,優(yōu)先級(jí)高于其它引腳;
CNTRSTL:計(jì)數(shù)器重置,低電平有效,優(yōu)先級(jí)高于其他引腳;
FT/PIPEL:流通(flow-through)和流水線模式選擇,高電平有時(shí)為流水線模式,此時(shí)輸出有效發(fā)生在CE0L為低電平且CE1L為高電平的二個(gè)周期。
ADSL:地址選通使能,低電平有效,優(yōu)先級(jí)高于其他引腳。
3 應(yīng)用舉例
以IDT70V9289為核心,配以適當(dāng)?shù)目刂菩盘?hào),即可使不同傳輸方式的雙路高速數(shù)據(jù)流實(shí)現(xiàn)無損傳輸。下面以某高速誤碼儀與CY7C68013型高速USB單片機(jī)的連接為例,介紹IDT70V9289的應(yīng)用及應(yīng)注意的問題。
3.1 讀模式選擇
在設(shè)計(jì)中,高速誤碼儀的Virtex_II XC2V250與CY7C68013進(jìn)行數(shù)據(jù)交換,由于CY7C68013采用突發(fā)方式傳輸且傳輸速度高達(dá)300Mbit/s,而Virtex-II XC2V250只能檢測連續(xù)數(shù)據(jù)流的誤碼,因此正好可以應(yīng)用IDT70V9289實(shí)現(xiàn)高速數(shù)據(jù)流的無損傳輸。IDT70V9289提供二種讀數(shù)據(jù)模式(流通模式和流水線模式)。為了實(shí)現(xiàn)高速傳輸和降低時(shí)序設(shè)計(jì)的復(fù)雜度,設(shè)計(jì)選擇了流水線模式。下面簡述二種模式的區(qū)別。
(1)結(jié)構(gòu)差別
二者在寫入過程中完全一樣,都是通過輸入寄存器緩沖數(shù)據(jù),但在讀出過程中,流水線模式通過輸出寄存器緩沖數(shù)據(jù)而流通模式則沒有。如圖2所示,在流水線模式中輸入寄存器和輸出寄存器工作在同一時(shí)鐘邊沿。
(2)時(shí)序差別
結(jié)構(gòu)差別反映在時(shí)序關(guān)系上就是流通模式的數(shù)據(jù)輸出比流水線模式提前一周期,并與存儲(chǔ)器陣列的讀數(shù)據(jù)同在一個(gè)時(shí)鐘周期,并與存儲(chǔ)器陣列的讀數(shù)據(jù)同在一個(gè)時(shí)鐘周期,如圖3所示,這樣,可以實(shí)現(xiàn)地址輸入和數(shù)據(jù)輸出的同步,從而滿足一些電路的時(shí)序要求;而流水線模式由于有輸出寄存器,其輸出引腳上的讀數(shù)據(jù)在幾乎整個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)都是可用的,因而為器件取數(shù)據(jù)提供最佳的建立時(shí)間,并允許在更高的時(shí)鐘頻率下進(jìn)行操作,同時(shí)設(shè)計(jì)者也無需擔(dān)心電路設(shè)計(jì)技巧和定時(shí)通路。更要注意的是:由于存在這種時(shí)序差別,設(shè)計(jì)者在選擇讀模式時(shí),要考慮到相應(yīng)的時(shí)序變化,以免造成讀取數(shù)據(jù)錯(cuò)誤。
3.2 電路設(shè)計(jì)
由于本設(shè)計(jì)的數(shù)據(jù)傳輸率高達(dá)300Mbit/s,而IDT70V9289的容量僅有1024kbit,所以必須采取邊讀邊寫的方式緩沖數(shù)據(jù)。但是,IDT70V9289并不允許雙端口對同一地址同時(shí)進(jìn)行讀和寫,也沒有像以前的SRAM(如IDT7024)那樣設(shè)計(jì)操作忙邏輯,而是制定了一套讀寫規(guī)則。由于這套
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