Actel推出第三代以Flash為基礎的可編程邏輯方案
發(fā)布時間:2008/5/28 0:00:00 訪問次數(shù):433
基于其成功的proasic plus系列,actel全新的單芯片器件具有64位、66 mhz pci性能,是業(yè)界首個具備片上用戶flash存儲器的fpga。該器件的系統(tǒng)門密度范圍從3萬至300萬個,并提供先進的安全isp (系統(tǒng)內可編程) 技術。
除了單位成本低之外,proasic3/e系列還可通過去除系統(tǒng)板上的多種器件,降低系統(tǒng)整體成本。舉例說,該系列器件無需外部引導程序或微控制器來支持器件編程,而其上電即行特性無需外部cpld即可在上電期間讓系統(tǒng)運行起來。器件數(shù)目的減少可節(jié)省線路板空間,從而提高可靠性、簡化庫存管理,以及降低總系統(tǒng)成本。
proasic3/e系列提供1024位 (128x8頁) 片上非揮發(fā)性用戶flash存儲,以及基于多達6個板上鎖相環(huán) (pll) 的時鐘調節(jié)電路。這種用戶可用的非揮發(fā)性存儲器可用于多種系統(tǒng)應用,包括ip設備尋址、用戶喜好選項存儲、系統(tǒng)校準設置、設備序列號和/或庫存控制及日期設定。該器件還帶有高達504 kb嵌入式真實雙端口sram,以及604個用戶i/o,達致66 mhz、64位pci性能。
與基于sram的fpga不同,proasic3/e帶有安全機制,可防止外界對所有編程信息進行訪問,而且采用業(yè)界標準的128位aes算法,確保重編程可以安全地在系統(tǒng)內實行。在支持未來的迭代設計及現(xiàn)場升級時,更無需擔心寶貴的ip會被損壞或復制。該系列器件還集成了flashlock,無需額外成本即可提供可重編程和設計安全的獨特組合。內置的解密引擎和基于flash的aes密匙使得proasic3/e成為當今市場上功能最齊全的可編程邏輯方案。此外,非揮發(fā)性flash技術還為該器件提供了低功耗和上電即行的優(yōu)點。
proasic3/e系列的非揮發(fā)和可重編程特性是通過業(yè)界領先的先進flash lvcmos工藝實現(xiàn),該工藝具有7層金屬 -- 6銅1鋁。標準cmos設計技術用于實現(xiàn)pll等邏輯和控制功能,因此具有可預測的性能。精細顆粒的結構、增強的靈活布局,以及豐富的flash開關,這些特點的完美結合使得該器件在高度擁擠的設計中的利用率高達到100%,并對性能的影響極微。
proasic3e 600器件樣本現(xiàn)已透過actel的早期存取計劃供應,預計到2005年第四季度批量生產(chǎn)。查詢進一步價格及供貨信息,請聯(lián)系actel。
基于其成功的proasic plus系列,actel全新的單芯片器件具有64位、66 mhz pci性能,是業(yè)界首個具備片上用戶flash存儲器的fpga。該器件的系統(tǒng)門密度范圍從3萬至300萬個,并提供先進的安全isp (系統(tǒng)內可編程) 技術。
除了單位成本低之外,proasic3/e系列還可通過去除系統(tǒng)板上的多種器件,降低系統(tǒng)整體成本。舉例說,該系列器件無需外部引導程序或微控制器來支持器件編程,而其上電即行特性無需外部cpld即可在上電期間讓系統(tǒng)運行起來。器件數(shù)目的減少可節(jié)省線路板空間,從而提高可靠性、簡化庫存管理,以及降低總系統(tǒng)成本。
proasic3/e系列提供1024位 (128x8頁) 片上非揮發(fā)性用戶flash存儲,以及基于多達6個板上鎖相環(huán) (pll) 的時鐘調節(jié)電路。這種用戶可用的非揮發(fā)性存儲器可用于多種系統(tǒng)應用,包括ip設備尋址、用戶喜好選項存儲、系統(tǒng)校準設置、設備序列號和/或庫存控制及日期設定。該器件還帶有高達504 kb嵌入式真實雙端口sram,以及604個用戶i/o,達致66 mhz、64位pci性能。
與基于sram的fpga不同,proasic3/e帶有安全機制,可防止外界對所有編程信息進行訪問,而且采用業(yè)界標準的128位aes算法,確保重編程可以安全地在系統(tǒng)內實行。在支持未來的迭代設計及現(xiàn)場升級時,更無需擔心寶貴的ip會被損壞或復制。該系列器件還集成了flashlock,無需額外成本即可提供可重編程和設計安全的獨特組合。內置的解密引擎和基于flash的aes密匙使得proasic3/e成為當今市場上功能最齊全的可編程邏輯方案。此外,非揮發(fā)性flash技術還為該器件提供了低功耗和上電即行的優(yōu)點。
proasic3/e系列的非揮發(fā)和可重編程特性是通過業(yè)界領先的先進flash lvcmos工藝實現(xiàn),該工藝具有7層金屬 -- 6銅1鋁。標準cmos設計技術用于實現(xiàn)pll等邏輯和控制功能,因此具有可預測的性能。精細顆粒的結構、增強的靈活布局,以及豐富的flash開關,這些特點的完美結合使得該器件在高度擁擠的設計中的利用率高達到100%,并對性能的影響極微。
proasic3e 600器件樣本現(xiàn)已透過actel的早期存取計劃供應,預計到2005年第四季度批量生產(chǎn)。查詢進一步價格及供貨信息,請聯(lián)系actel。