GaAsMMIC控制電路由于體積小、重量輕、開關(guān)速度快、抗輻射、可靠性高、幾乎無功耗等顯著優(yōu)點(diǎn)在許多電子系統(tǒng)中獲得廣泛應(yīng)用。眾所周知，在現(xiàn)代先進(jìn)的移動通信等系統(tǒng)（如空間分集智能天線和相控陣系統(tǒng)）中，均需進(jìn)行幅度和相位的調(diào)整，一般系統(tǒng)均要求相位調(diào)整時，幅度變化越小越好。而幅度調(diào)整時，相位變化越小越好。文中所提DC-50GHz超寬帶的GaAsMMIC壓控電調(diào)衰減器除了具有大動態(tài)衰減范圍、優(yōu)良的衰減隨控制電壓變化的線性度、優(yōu)異的輸入/輸出駐波及多功能等特點(diǎn)外，低的插入相移是這種芯片的最顯著的特點(diǎn)。因此，這種電路可以用作：a）低插入相移條件下，作為 DC50GHzMMIC可變衰減器，組成自動損耗控制組件；b）在多倍頻程的矢量調(diào)制器中，在引入低插入相移時完成幅度調(diào)制和幅度調(diào)整功能；c）DC- 50GHz的高性能吸收式（或稱匹配型）單刀單擲開關(guān)；d）多倍頻程的脈沖幅度調(diào)制器；e）與寬帶放大器級聯(lián)組成寬頻帶、大動態(tài)、衰減量隨控制電壓高線性變化的AGC（自動增益控制）放大器。

2　設(shè)計(jì)

　　這種單片壓控可變衰減器的設(shè)計(jì)和實(shí)現(xiàn)，總體考慮如下：
　　——根據(jù)電性能指標(biāo)要求，選擇合適的電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和設(shè)計(jì)合理的開關(guān)MESMET；
　　——獲得DC-50GHz頻率范圍下開關(guān)MESFET的等效電路模型參數(shù)比例縮放方程；
　　——采用串聯(lián)和并聯(lián)開關(guān)MESFET兩個控制端等負(fù)載設(shè)計(jì)方法，簡化電路和降低功耗。

圖1電原理圖

圖2芯片照片

　　由于這種電路工作時，控制電壓是一組互補(bǔ)電壓，分別控制串聯(lián)和并聯(lián)的開關(guān)MESFET。電調(diào)過程中兩控制端的負(fù)載必須相同，否則壓控電調(diào)時，駐波特性明顯惡化。通常設(shè)計(jì)直流參數(shù)電路來平衡兩控制端的負(fù)載使其相同，達(dá)到電調(diào)控制中改善駐波特性的目的。本文采用了設(shè)計(jì)時選定兩控制負(fù)載相同的方法，達(dá)到改善電調(diào)控制端中駐波特性的目的。過程如下：

　　——采用成熟的