熱釋電傳感器原理與應(yīng)用
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熱釋電傳感器原理與應(yīng)用
一、前言
熱釋電紅外傳感器是一種非常有應(yīng)用潛力的傳感器。它能檢測(cè)人或某些動(dòng)物發(fā)射的紅外線(xiàn)并轉(zhuǎn)換成電信號(hào)輸出。早在1938年,有人就提出利用熱釋電效應(yīng)探測(cè)紅外輻射,但并未受到重視。直到六十年代,隨著激光、紅外技術(shù)的迅速發(fā)展,才又推動(dòng)了對(duì)熱釋電效應(yīng)的研究和對(duì)熱釋電晶體的應(yīng)用開(kāi)發(fā)。近年來(lái),伴隨著集成電路技術(shù)的飛速發(fā)展,以及對(duì)該傳感器的特性的深入研究,相關(guān)的專(zhuān)用集成電路處理技術(shù)也迅速增長(zhǎng)。本文先介紹熱釋電傳感器的原理,然后再描述相關(guān)的專(zhuān)用集成電路處理技術(shù)。
二、熱釋電效應(yīng)
當(dāng)一些晶體受熱時(shí),在晶體兩端將會(huì)產(chǎn)生數(shù)量相等而符號(hào)相反的電荷,這種由于熱變化產(chǎn)生的電極化現(xiàn)象,被稱(chēng)為熱釋電效應(yīng)。通常,晶體自發(fā)極化所產(chǎn)生的束縛電荷被來(lái)自空氣中附著在晶體表面的自由電子所中和,其自發(fā)極化電矩不能表現(xiàn)出來(lái)。當(dāng)溫度變化時(shí),晶體結(jié)構(gòu)中的正負(fù)電荷重心相對(duì)移位,自發(fā)極化發(fā)生變化,晶體表面就會(huì)產(chǎn)生電荷耗盡,電荷耗盡的狀況正比于極化程度,圖1表示了熱釋電效應(yīng)形成的原理。
能產(chǎn)生熱釋電效應(yīng)的晶體稱(chēng)之為熱釋電體或熱釋電元件,其常用的材料有單晶(LiTaO3 等)、壓電陶瓷(PZT等)及高分
能產(chǎn)生熱釋電效應(yīng)的晶體稱(chēng)之為熱釋電體或熱釋電元件,其常用的材料有單晶(LiTaO3 等)、壓電陶瓷(PZT等)及高分
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熱釋電傳感器原理與應(yīng)用
一、前言
熱釋電紅外傳感器是一種非常有應(yīng)用潛力的傳感器。它能檢測(cè)人或某些動(dòng)物發(fā)射的紅外線(xiàn)并轉(zhuǎn)換成電信號(hào)輸出。早在1938年,有人就提出利用熱釋電效應(yīng)探測(cè)紅外輻射,但并未受到重視。直到六十年代,隨著激光、紅外技術(shù)的迅速發(fā)展,才又推動(dòng)了對(duì)熱釋電效應(yīng)的研究和對(duì)熱釋電晶體的應(yīng)用開(kāi)發(fā)。近年來(lái),伴隨著集成電路技術(shù)的飛速發(fā)展,以及對(duì)該傳感器的特性的深入研究,相關(guān)的專(zhuān)用集成電路處理技術(shù)也迅速增長(zhǎng)。本文先介紹熱釋電傳感器的原理,然后再描述相關(guān)的專(zhuān)用集成電路處理技術(shù)。
二、熱釋電效應(yīng)
當(dāng)一些晶體受熱時(shí),在晶體兩端將會(huì)產(chǎn)生數(shù)量相等而符號(hào)相反的電荷,這種由于熱變化產(chǎn)生的電極化現(xiàn)象,被稱(chēng)為熱釋電效應(yīng)。通常,晶體自發(fā)極化所產(chǎn)生的束縛電荷被來(lái)自空氣中附著在晶體表面的自由電子所中和,其自發(fā)極化電矩不能表現(xiàn)出來(lái)。當(dāng)溫度變化時(shí),晶體結(jié)構(gòu)中的正負(fù)電荷重心相對(duì)移位,自發(fā)極化發(fā)生變化,晶體表面就會(huì)產(chǎn)生電荷耗盡,電荷耗盡的狀況正比于極化程度,圖1表示了熱釋電效應(yīng)形成的原理。
能產(chǎn)生熱釋電效應(yīng)的晶體稱(chēng)之為熱釋電體或熱釋電元件,其常用的材料有單晶(LiTaO3 等)、壓電陶瓷(PZT等)及高分
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