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高精度時(shí)鐘芯片SD2001E及其應(yīng)用

摘要：介紹一種內(nèi)置晶振、充電電池、串行NVRAM的高精度和免調(diào)校實(shí)時(shí)時(shí)鐘芯片SD2001E。由該芯片構(gòu)成的時(shí)鐘電路具有精度高、外圍電路和接口電路簡(jiǎn)單的特點(diǎn)。文中詳細(xì)描述芯片的主要特性、引腳說明及其工作原理，給出在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用方法、硬件接口電路及應(yīng)用程序。

關(guān)鍵詞：SD2001E 實(shí)時(shí)時(shí)鐘 單片機(jī)

實(shí)時(shí)時(shí)鐘電路在以單片機(jī)為核心構(gòu)成的智能儀器儀表、測(cè)控系統(tǒng)、工業(yè)控制等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用，但現(xiàn)有的時(shí)鐘電路存在著外圍電路（如需外接晶振、電池）和接口電路（并行接口）復(fù)雜、功能單一等缺點(diǎn)。SD2001E則是在內(nèi)部集成了實(shí)時(shí)時(shí)鐘電路、串行非易失性SRAM、可充電電池、晶振及電池管理電路的新型實(shí)時(shí)時(shí)鐘芯片。該芯片與單片機(jī)的接口電路采用工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)I2C總線，從而簡(jiǎn)化了接口電路設(shè)計(jì)。利用該芯片無需擴(kuò)展任何外圍元件，即可構(gòu)成一個(gè)高精度實(shí)時(shí)時(shí)鐘及具有256Kb非易失性SRAM的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)電路。

1 主要特性及引腳說明

SD2001E時(shí)鐘芯片的主要特性如下：

*年、月、日、星期、時(shí)、分、秒的BCD碼輸入/輸出；

*I2C總線接口（包括實(shí)時(shí)時(shí)鐘部分和SRAM部分）；

*自動(dòng)日歷到2099年（包括閏年自動(dòng)換算功能）；

*內(nèi)置晶振，出廠前已對(duì)時(shí)鐘進(jìn)行校準(zhǔn)，保證精度為±4×10 -6，即時(shí)鐘年誤差小于2min；

*低功耗，典型值為1.0μA（VDD=3.5V）；

*工作電壓為3.0～5.5V（其中NVRAM在4.5～5.5V工作）；

*可設(shè)置的兩路鬧鐘輸出及32 768Hz～1Hz的方波信號(hào)輸出；

*可設(shè)置的每分鐘固定中斷輸出或選定