在l波段和s波段脈沖雷達(dá)應(yīng)用中廣泛使用高功率的分立式硅雙極型晶體管，這些晶體管工作在丙類(lèi)放大狀態(tài)，在l波段的輸出功率一般在200w~370w，在s波段一般在100w。而用戶雷達(dá)系統(tǒng)的輸出功率一般都在數(shù)千瓦的范圍，遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于單個(gè)晶體管的輸出功率水平。用戶通常會(huì)涉及1kw或2kw的組件，以此為基礎(chǔ)組合多個(gè)組件，合成達(dá)到雷達(dá)系統(tǒng)所要求的輸出功率水平。

傳統(tǒng)方法

　　應(yīng)用傳統(tǒng)方法，用戶將合成220w晶體管(1×4×16),并使用阻抗從2ω變換到50ω，而且工程設(shè)計(jì)和生產(chǎn)階段也要進(jìn)行rf電路的調(diào)試。傳統(tǒng)方法在復(fù)雜性、時(shí)間、效率及性能上都有一定的不足。

　　例如，在l波段最為常用的2kw組件會(huì)使用21只晶體管，如1214-220m，采用如圖1所示的1推4推16的結(jié)構(gòu)來(lái)實(shí)現(xiàn)。此例中分立晶體管的端阻抗在1~2ω之間，用戶需要設(shè)計(jì)輸入輸出的外匹配電路將上述低阻抗變換到50ω，從而與系統(tǒng)中其他的rf分系統(tǒng)對(duì)接使用。這些工作要求具備專(zhuān)門(mén)的rf/微波領(lǐng)域的知識(shí)、技能和經(jīng)驗(yàn)，并且非常費(fèi)時(shí)。在單個(gè)晶體管匹配到50ω之后，用戶還需要對(duì)4管和16管部分設(shè)計(jì)一到多路的輸入功率分配到多到一路的輸出合成電路在經(jīng)過(guò)如此大數(shù)量的合成之后，由于16路合成器的損耗，組件整體的效率會(huì)下降50%到35~40%。同時(shí)，組件的尺寸也會(huì)很大，16個(gè)晶體管的偏置電路和低頻濾波電路也增加了組件整體的復(fù)雜性和生產(chǎn)裝配調(diào)試的勞動(dòng)強(qiáng)度。