三星開(kāi)發(fā)出2.25μm像素間隔CMOS傳感器
發(fā)布時(shí)間:2008/5/29 0:00:00 訪(fǎng)問(wèn)次數(shù):380
韓國(guó)三星電子日前發(fā)布了像素間隔僅2.25μm，而開(kāi)口率卻高達(dá)55％以上的cmos攝影元件（cmos晶體管）。該元件攝影部分對(duì)角長(zhǎng)度為1/2英寸（約8mm），集成了約720萬(wàn)個(gè)像素。
在像素間隔不足2.5μm的攝影元件中，開(kāi)口率一般為25％左右。開(kāi)口率越高，相應(yīng)地就越容易提高攝影元件輸出信號(hào)的級(jí)別。據(jù)悉，三星電子在此次開(kāi)發(fā)的產(chǎn)品中使用了銅布線(xiàn)。在cmos傳感器中使用銅布線(xiàn)的試制品，曾由美國(guó)ibm和柯達(dá)組成的研究小組在2005年6月9日～11日召開(kāi)的“2005ieeeworkshop
在像素間隔不足2.5μm的攝影元件中，開(kāi)口率一般為25％左右。開(kāi)口率越高，相應(yīng)地就越容易提高攝影元件輸出信號(hào)的級(jí)別。據(jù)悉，三星電子在此次開(kāi)發(fā)的產(chǎn)品中使用了銅布線(xiàn)。在cmos傳感器中使用銅布線(xiàn)的試制品，曾由美國(guó)ibm和柯達(dá)組成的研究小組在2005年6月9日～11日召開(kāi)的“2005ieeeworkshop
oncharge-coupleddevicesandadvancedimagesensors（ccd&ais）”國(guó)際會(huì)議上發(fā)表過(guò)。
在同一個(gè)會(huì)議上，三星電子發(fā)表了開(kāi)口率高達(dá)約50％、像素間隔為2.0μm的cmos傳感器試制結(jié)果。不過(guò)，并沒(méi)說(shuō)是否使用了銅布線(xiàn)，只是表示為了提高開(kāi)口率，將布線(xiàn)寬度縮小到了90nm或130nm。目前，上市日期未予公布。
在同一個(gè)會(huì)議上，三星電子發(fā)表了開(kāi)口率高達(dá)約50％、像素間隔為2.0μm的cmos傳感器試制結(jié)果。不過(guò)，并沒(méi)說(shuō)是否使用了銅布線(xiàn)，只是表示為了提高開(kāi)口率，將布線(xiàn)寬度縮小到了90nm或130nm。目前，上市日期未予公布。
韓國(guó)三星電子日前發(fā)布了像素間隔僅2.25μm，而開(kāi)口率卻高達(dá)55％以上的cmos攝影元件（cmos晶體管）。該元件攝影部分對(duì)角長(zhǎng)度為1/2英寸（約8mm），集成了約720萬(wàn)個(gè)像素。
在像素間隔不足2.5μm的攝影元件中，開(kāi)口率一般為25％左右。開(kāi)口率越高，相應(yīng)地就越容易提高攝影元件輸出信號(hào)的級(jí)別。據(jù)悉，三星電子在此次開(kāi)發(fā)的產(chǎn)品中使用了銅布線(xiàn)。在cmos傳感器中使用銅布線(xiàn)的試制品，曾由美國(guó)ibm和柯達(dá)組成的研究小組在2005年6月9日～11日召開(kāi)的“2005ieeeworkshop
在像素間隔不足2.5μm的攝影元件中，開(kāi)口率一般為25％左右。開(kāi)口率越高，相應(yīng)地就越容易提高攝影元件輸出信號(hào)的級(jí)別。據(jù)悉，三星電子在此次開(kāi)發(fā)的產(chǎn)品中使用了銅布線(xiàn)。在cmos傳感器中使用銅布線(xiàn)的試制品，曾由美國(guó)ibm和柯達(dá)組成的研究小組在2005年6月9日～11日召開(kāi)的“2005ieeeworkshop
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在同一個(gè)會(huì)議上，三星電子發(fā)表了開(kāi)口率高達(dá)約50％、像素間隔為2.0μm的cmos傳感器試制結(jié)果。不過(guò)，并沒(méi)說(shuō)是否使用了銅布線(xiàn)，只是表示為了提高開(kāi)口率，將布線(xiàn)寬度縮小到了90nm或130nm。目前，上市日期未予公布。
在同一個(gè)會(huì)議上，三星電子發(fā)表了開(kāi)口率高達(dá)約50％、像素間隔為2.0μm的cmos傳感器試制結(jié)果。不過(guò)，并沒(méi)說(shuō)是否使用了銅布線(xiàn)，只是表示為了提高開(kāi)口率，將布線(xiàn)寬度縮小到了90nm或130nm。目前，上市日期未予公布。
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