硅直接鍵合技術(shù)廣泛應(yīng)用于壓力傳感器和加速度計(jì)，是一種制備密封腔的重要的工藝手段。硅-硅直接鍵合技術(shù)制備壓力傳感器具有很大的優(yōu)勢(shì)：成本低，應(yīng)力小，性能高，可以大規(guī)模生產(chǎn)。壓力傳感器分為兩種，一種是基于壓阻的變化，一種是基于電容的改變。壓阻式壓力傳感器是在密封腔上面懸空的硅層上制備壓敏電阻，隨著壓力的變化，硅膜的應(yīng)力變化，相應(yīng)的壓阻發(fā)生變化，鍵合壓阻式壓力傳感器如圖1.19所示。主要的工藝工藝步驟為：（1）襯底硅片進(jìn)行腐蝕，腐蝕出要求的密封腔；（2）把襯底和另外一個(gè)硅片鍵合，并經(jīng)過1000~1200℃的高溫退火，使鍵合界面達(dá)到一體化；（3）把鍵合好的硅片進(jìn)行減薄和拋光達(dá)到要求的厚度（5~25µm或更厚）；（4）按照標(biāo)準(zhǔn)的ic工藝制備壓敏電阻器。

電容式壓力傳感器是在密封腔的底部和上面懸空的硅層上制備電容的上下極板，隨著壓力的變化，兩個(gè)極板的距離發(fā)生變化，電容也就變化，鍵合電容式壓力傳感器如圖

硅直接鍵合技術(shù)廣泛應(yīng)用于壓力傳感器和加速度計(jì)，是一種制備密封腔的重要的工藝手段。硅-硅直接鍵合技術(shù)制備壓力傳感器具有很大的優(yōu)勢(shì)：成本低，應(yīng)力小，性能高，可以大規(guī)模生產(chǎn)。壓力傳感器分為兩種，一種是基于壓阻的變化，一種是基于電容的改變。壓阻式壓力傳感器是在密封腔上面懸空的硅層上制備壓敏電阻，隨著壓力的變化，硅膜的應(yīng)力變化，相應(yīng)的壓阻發(fā)生變化，鍵合壓阻式壓力傳感器如圖1.19所示。主要的工藝工藝步驟為：（1）襯底硅片進(jìn)行腐蝕，腐蝕出要求的密封腔；（2）把襯底和另外一個(gè)硅片鍵合，并經(jīng)過1000~1200℃的高溫退火，使鍵合界面達(dá)到一體化；（3）把鍵合好的硅片進(jìn)行減薄和拋光達(dá)到要求的厚度（5~25µm或更厚）；（4）按照標(biāo)準(zhǔn)的ic工藝制備壓敏電阻器。

電容式壓力傳感器是在密封腔的底部和上面懸空的硅層上制備電容的上下極板，隨著壓力的變化，兩個(gè)極板的距離發(fā)生變化，電容也就變化，鍵合電容式壓力傳感器如圖