利用SiO2薄膜，臺(tái)灣淡江大學(xué)推出小型壓力傳感器
發(fā)布時(shí)間:2008/5/29 0:00:00 訪問次數(shù):377
臺(tái)灣淡江大學(xué)機(jī)械與電機(jī)工程系日前開發(fā)成功出尺寸為50μm×50μm的小型壓力傳感器芯片。通過對(duì)壓力傳感器部分的薄膜形成手法進(jìn)行改進(jìn)，實(shí)現(xiàn)了小型化。同時(shí)還使用明膠對(duì)傳感器部分進(jìn)行了封裝。這種壓力傳感器可用于生物相關(guān)領(lǐng)域。
據(jù)介紹，此次開發(fā)的工藝在傳感器部分的薄膜中使用了sio2(二氧化硅)層，在生產(chǎn)過程中支撐薄膜的犧牲層中使用了金屬層，在檢測(cè)壓力的傳感器壓電電阻中使用了多晶硅。全部均可采用臺(tái)積電雙層多晶硅四層金屬的cmos工藝形成。在sio2層的一部分中切出孔，并形成過孔，然后就能利用后續(xù)的蝕刻工藝去除犧牲層和過孔金屬。犧牲層去除后，位于犧牲層下方的硅底板也需進(jìn)行蝕刻處理，以使壓電電阻部分能除壓力而變化。金屬和硅底板的蝕刻采用的是普通蝕刻材料。
封閉帶孔薄膜的工藝使用的是不同于cmos的其他工藝。具體來說，就是從切孔中填入蛋白質(zhì)明膠，將薄膜的下部空間填充上。只需利用旋涂法涂布液態(tài)明膠即可。通過填充明膠，能夠排除外部環(huán)境的干擾。壓力靈敏度為8.56±0.13mv/v/psi，高于過去的壓電電阻型壓力傳感器。
據(jù)介紹，此次開發(fā)的工藝在傳感器部分的薄膜中使用了sio2(二氧化硅)層，在生產(chǎn)過程中支撐薄膜的犧牲層中使用了金屬層，在檢測(cè)壓力的傳感器壓電電阻中使用了多晶硅。全部均可采用臺(tái)積電雙層多晶硅四層金屬的cmos工藝形成。在sio2層的一部分中切出孔，并形成過孔，然后就能利用后續(xù)的蝕刻工藝去除犧牲層和過孔金屬。犧牲層去除后，位于犧牲層下方的硅底板也需進(jìn)行蝕刻處理，以使壓電電阻部分能除壓力而變化。金屬和硅底板的蝕刻采用的是普通蝕刻材料。
封閉帶孔薄膜的工藝使用的是不同于cmos的其他工藝。具體來說，就是從切孔中填入蛋白質(zhì)明膠，將薄膜的下部空間填充上。只需利用旋涂法涂布液態(tài)明膠即可。通過填充明膠，能夠排除外部環(huán)境的干擾。壓力靈敏度為8.56±0.13mv/v/psi，高于過去的壓電電阻型壓力傳感器。
臺(tái)灣淡江大學(xué)機(jī)械與電機(jī)工程系日前開發(fā)成功出尺寸為50μm×50μm的小型壓力傳感器芯片。通過對(duì)壓力傳感器部分的薄膜形成手法進(jìn)行改進(jìn)，實(shí)現(xiàn)了小型化。同時(shí)還使用明膠對(duì)傳感器部分進(jìn)行了封裝。這種壓力傳感器可用于生物相關(guān)領(lǐng)域。
據(jù)介紹，此次開發(fā)的工藝在傳感器部分的薄膜中使用了sio2(二氧化硅)層，在生產(chǎn)過程中支撐薄膜的犧牲層中使用了金屬層，在檢測(cè)壓力的傳感器壓電電阻中使用了多晶硅。全部均可采用臺(tái)積電雙層多晶硅四層金屬的cmos工藝形成。在sio2層的一部分中切出孔，并形成過孔，然后就能利用后續(xù)的蝕刻工藝去除犧牲層和過孔金屬。犧牲層去除后，位于犧牲層下方的硅底板也需進(jìn)行蝕刻處理，以使壓電電阻部分能除壓力而變化。金屬和硅底板的蝕刻采用的是普通蝕刻材料。
封閉帶孔薄膜的工藝使用的是不同于cmos的其他工藝。具體來說，就是從切孔中填入蛋白質(zhì)明膠，將薄膜的下部空間填充上。只需利用旋涂法涂布液態(tài)明膠即可。通過填充明膠，能夠排除外部環(huán)境的干擾。壓力靈敏度為8.56±0.13mv/v/psi，高于過去的壓電電阻型壓力傳感器。
據(jù)介紹，此次開發(fā)的工藝在傳感器部分的薄膜中使用了sio2(二氧化硅)層，在生產(chǎn)過程中支撐薄膜的犧牲層中使用了金屬層，在檢測(cè)壓力的傳感器壓電電阻中使用了多晶硅。全部均可采用臺(tái)積電雙層多晶硅四層金屬的cmos工藝形成。在sio2層的一部分中切出孔，并形成過孔，然后就能利用后續(xù)的蝕刻工藝去除犧牲層和過孔金屬。犧牲層去除后，位于犧牲層下方的硅底板也需進(jìn)行蝕刻處理，以使壓電電阻部分能除壓力而變化。金屬和硅底板的蝕刻采用的是普通蝕刻材料。
封閉帶孔薄膜的工藝使用的是不同于cmos的其他工藝。具體來說，就是從切孔中填入蛋白質(zhì)明膠，將薄膜的下部空間填充上。只需利用旋涂法涂布液態(tài)明膠即可。通過填充明膠，能夠排除外部環(huán)境的干擾。壓力靈敏度為8.56±0.13mv/v/psi，高于過去的壓電電阻型壓力傳感器。
相關(guān)技術(shù)資料- 8-12高頻、高效音頻功放IC模塊技術(shù)工藝封裝
- 8-128英寸180納米GaN固態(tài)變壓器（SST）
- 8-12新一代光纖通信光收發(fā)器接收器芯片
- 8-12第三代半導(dǎo)體SiC（碳化硅）和 GaN（氮化鎵）
- 8-12全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)終端市場(chǎng)需求及技術(shù)應(yīng)用前景
- 8-12GaN與SiC材料單片集成技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)探究
- 8-11iNEMO系統(tǒng)級(jí)封裝 (SiP) 6軸單片式解決方案
- 8-11增強(qiáng)型模塊化輸入輸出系統(tǒng) (eMIOS)
- 8-11最新60和100V器件FERD30H100S
- 8-1132位汽車微控制器SPC5系列設(shè)計(jì)應(yīng)用
- 8-11新一代高性能接近和測(cè)距傳感器
- 8-11新型場(chǎng)效應(yīng)整流二極管（FERD）技術(shù)封裝
- 相關(guān)IC型號(hào)
熱門點(diǎn)擊
- AD590 集成電路溫度傳感器的特性測(cè)量與應(yīng)
- 氧化物半導(dǎo)體甲烷敏感元件的研究進(jìn)展
- 聲表面波無源無線傳感器研究
- 汽車空氣質(zhì)量傳感器的最新進(jìn)展及探討
- 基于Labview的光纖傳感器相位解調(diào)技術(shù)
- Crossbow推出了新一代無線傳感器網(wǎng)絡(luò)研
- 安捷倫新型130萬像素CMOS圖像傳感器大幅
- ADXL105 加速度傳感器在車輛平順性測(cè)試
- 能溫度傳感器Dsl8b20在多路測(cè)溫中的應(yīng)用
- Microchip兩線式溫度傳感器最大誤差值
推薦技術(shù)資料
- 滑雪繞樁機(jī)器人
- 本例是一款非常有趣，同時(shí)又有一定調(diào)試難度的玩法。EDE2116AB... [詳細(xì)]
- 高頻、高效音頻功放IC模塊&#
- 8英寸180納米GaN固態(tài)變壓器（SST）
- 新一代光纖通信光收發(fā)器接收器芯
- 第三代半導(dǎo)體SiC（碳化硅）和
- 全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)終端市場(chǎng)需求及技
- GaN與SiC材料單片集成技術(shù)
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動(dòng)IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機(jī)遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計(jì)
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究
公網(wǎng)安備44030402000607
