為什么要在晶閘管兩端并聯(lián)阻容網絡
發(fā)布時間:2007/8/15 0:00:00 訪問次數(shù):417
在實際晶閘管電路中,常在其兩端并聯(lián)RC串聯(lián)網絡,該網絡常稱為RC阻容吸收電路。
我們知道,晶閘管有一個重要特性參數(shù)-斷態(tài)電壓臨界上升率dlv/dlt。它表明晶閘管在額定結溫和門極斷路條件下,使晶閘管從斷態(tài)轉入通態(tài)的最低電壓上升率。若電壓上升率過大,超過了晶閘管的電壓上升率的值,則會在無門極信號的情況下開通。即使此時加于晶閘管的正向電壓低于其陽極峰值電壓,也可能發(fā)生這種情況。因為晶閘管可以看作是由三個PN結組成。
在晶閘管處于阻斷狀態(tài)下,因各層相距很近,其J2結結面相當于一個電容C0。當晶閘管陽極電壓變化時,便會有充電電流流過電容C0,并通過J3結,這個電流起了門極觸發(fā)電流作用。如果晶閘管在關斷時,陽極電壓上升速度太快,則C0的充電電流越大,就有可能造成門極在沒有觸發(fā)信號的情況下,晶閘管誤導通現(xiàn)象,即常說的硬開通,這是不允許的。因此,對加到晶閘管上的陽極電壓上升率應有一定的限制。
為了限制電路電壓上升率過大,確保晶閘管安全運行,常在晶閘管兩端并聯(lián)RC阻容吸收網絡,利用電容兩端電壓不能突變的特性來限制電壓上升率。因為電路總是存在電感的(變壓器漏感或負載電感),所以與電容C串聯(lián)電阻R可起阻尼作用,它可以防止R、L、C電路在過渡過程中,因振蕩在電容器兩端出現(xiàn)的過電壓損壞晶閘管。同時,避免電容器通過晶閘管放電電流過大,造成過電流而損壞晶閘管。
由于晶閘管過流過壓能力很差,如果不采取可靠的保護措施是不能正常工作的。RC阻容吸收網絡就是常用的保護方法之一。
(轉自 中國電子技術信息網)
在實際晶閘管電路中,常在其兩端并聯(lián)RC串聯(lián)網絡,該網絡常稱為RC阻容吸收電路。
我們知道,晶閘管有一個重要特性參數(shù)-斷態(tài)電壓臨界上升率dlv/dlt。它表明晶閘管在額定結溫和門極斷路條件下,使晶閘管從斷態(tài)轉入通態(tài)的最低電壓上升率。若電壓上升率過大,超過了晶閘管的電壓上升率的值,則會在無門極信號的情況下開通。即使此時加于晶閘管的正向電壓低于其陽極峰值電壓,也可能發(fā)生這種情況。因為晶閘管可以看作是由三個PN結組成。
在晶閘管處于阻斷狀態(tài)下,因各層相距很近,其J2結結面相當于一個電容C0。當晶閘管陽極電壓變化時,便會有充電電流流過電容C0,并通過J3結,這個電流起了門極觸發(fā)電流作用。如果晶閘管在關斷時,陽極電壓上升速度太快,則C0的充電電流越大,就有可能造成門極在沒有觸發(fā)信號的情況下,晶閘管誤導通現(xiàn)象,即常說的硬開通,這是不允許的。因此,對加到晶閘管上的陽極電壓上升率應有一定的限制。
為了限制電路電壓上升率過大,確保晶閘管安全運行,常在晶閘管兩端并聯(lián)RC阻容吸收網絡,利用電容兩端電壓不能突變的特性來限制電壓上升率。因為電路總是存在電感的(變壓器漏感或負載電感),所以與電容C串聯(lián)電阻R可起阻尼作用,它可以防止R、L、C電路在過渡過程中,因振蕩在電容器兩端出現(xiàn)的過電壓損壞晶閘管。同時,避免電容器通過晶閘管放電電流過大,造成過電流而損壞晶閘管。
由于晶閘管過流過壓能力很差,如果不采取可靠的保護措施是不能正常工作的。RC阻容吸收網絡就是常用的保護方法之一。
(轉自 中國電子技術信息網)
熱門點擊
- 用4:1數(shù)據(jù)選擇器實現(xiàn)全加器邏輯功能
- 設計一個帶有進位輸出端的七進制加法計數(shù)器
- 目前AD/DA的常用芯片介紹
- 網上成功交易必備的五大要素
- IrDA簡介
- 可控溫的電熱毯溫控器電路圖(圖)
- 常見ttl,cmos型號介紹
- 交流電的最大值與有效值
- 元器件常識:74系列芯片功能大全
- 受控源
推薦技術資料
- FU-19推挽功放制作
- FU-19是國產大功率發(fā)射雙四極功率電二管,EPL20... [詳細]