英飛凌科技公司的研究表明，用碳納米管制造的功率晶體管其典型開關(guān)電阻只有常規(guī)晶體管的二十分之一。這就相應(yīng)降低功率損耗。研究還發(fā)現(xiàn)，碳基晶體管能夠承受的電流密度大約是硅基晶體管的 200 倍。

納米技術(shù)領(lǐng)域的幾項(xiàng)新進(jìn)展均被融合到了這種納米管功率晶體管的生產(chǎn)中。其中，英飛凌公司的研究人員能夠在600°C 的“低溫”下生長出高質(zhì)量的單壁碳納米管，而此前則需要大約 900 °C的溫度。

英飛凌公司用鈀來制造帶有漏極觸點(diǎn)、源極觸點(diǎn)和柵極觸點(diǎn)的整個(gè)晶體管。硅被用作襯底，盡管任何傳導(dǎo)材料都滿足要求。然后，研究人員在高-k二氧化鋁柵極介質(zhì)上生長出碳納米管。碳納米管在相對簡單的工藝中隨機(jī)分布，不過平行排列的碳納米管數(shù)量足以用作漏極和源極之間的連線。