英特爾近日在美國檀香山開幕的半導(dǎo)體制造技術(shù)國際會議“2004 Symposium onVLSITechnology”上進行了技術(shù)發(fā)表，闡述了一種采用銅互連(CopperInterconnect)和CMOS的高速信號技術(shù)，這種技術(shù)有可能使半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)至少在15納米以前，不需要光互連技術(shù)。

這種光互連技術(shù)采用130納米、8Gbps源同步I/O連接。使用便宜的數(shù)字邏輯電路來克服信道/電路損害，該技術(shù)同時也使用了模擬訊號處理、數(shù)字自適應(yīng)控制和內(nèi)置測試技術(shù)。

英特爾公司位于Oregon的電路研究實驗室主任，同時也是IntelFellow的ShekharBokar表示，公司的I/O訊號技術(shù)正處于研發(fā)階段，但在可預(yù)見的未來銅仍然在chip-to-chip互連方面有著相當(dāng)重要的應(yīng)用。

“十年前，人們認為銅互連不太好，我們現(xiàn)在的工作就是改變大家對銅互連技術(shù)的看法。”Bokar說，“不過，我對光互連解決方案的前景看淡，成熟的銅互連技術(shù)將降低對光互連的需求�！�

Bokar日前表示，芯片制造商使用90納米3GbpsI/O連接。發(fā)展到32納米后，芯片制造商將使用連接速度6到8Gbps的速率。而在22到16納米工藝方面，英特爾公司預(yù)測采用銅技術(shù)的I/O訊號連接可以執(zhí)行在20Gbps速度，英特爾還暗示，到那時為止I/O訊號連接最高可能執(zhí)行在25~30Gbps。