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ZIPTRONIX對(duì)5層CMOS和光電二極管進(jìn)行封裝

發(fā)布時(shí)間:2007/8/15 0:00:00 訪問次數(shù):441

來源:技術(shù)在線


美國(guó)Ziptronix與RaytheonVisionSystems(RVS)合作,對(duì)5層CMOS元件和光電二極管進(jìn)行了3維層疊。在層疊時(shí),采用了Ziptronix開發(fā)的名為“Directbondinterconnect(DBI)”的3維封裝技術(shù)。


采用DBI技術(shù),在芯片與晶圓、晶圓與晶圓接合時(shí),也可在室溫下實(shí)現(xiàn)3維封裝。布線間距在10μm以下,布線寬度為2μm左右。此次在形成有CMOS元件的晶圓上,層疊了RVS公司的芯片。布線間距為8μm?稍诖_保接合部連接性的同時(shí),通過所有光電二極管獲取圖像。


 

來源:技術(shù)在線


美國(guó)Ziptronix與RaytheonVisionSystems(RVS)合作,對(duì)5層CMOS元件和光電二極管進(jìn)行了3維層疊。在層疊時(shí),采用了Ziptronix開發(fā)的名為“Directbondinterconnect(DBI)”的3維封裝技術(shù)。


采用DBI技術(shù),在芯片與晶圓、晶圓與晶圓接合時(shí),也可在室溫下實(shí)現(xiàn)3維封裝。布線間距在10μm以下,布線寬度為2μm左右。此次在形成有CMOS元件的晶圓上,層疊了RVS公司的芯片。布線間距為8μm。可在確保接合部連接性的同時(shí),通過所有光電二極管獲取圖像。


 

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