前訊系統(tǒng)公司宣布推出512mbit(64mbyte)nand型閃存，將委由力晶半導(dǎo)體代工，預(yù)計于7月起開始小量生產(chǎn)，從今年9月起即可量產(chǎn)出貨。

　　前訊公司表示，此次推出的兩款產(chǎn)品ac79lv512b與 ac79lv512w，其存儲區(qū)架構(gòu)分別為64mb ×8以及32mb×16。該產(chǎn)品總共有4096個標(biāo)準(zhǔn)塊，每一標(biāo)準(zhǔn)塊含32頁，ac79lv512w每頁包含528字節(jié)，而ac79lv512b每頁含264字組。其電壓超作范圍為2.7v至3.6v，并提供糾錯碼(ecc)、以及標(biāo)準(zhǔn)塊在讀寫中發(fā)生錯誤時以其它完好的標(biāo)準(zhǔn)塊替換(block replacement)之功能。

　　在各類消費性電子產(chǎn)品，如mp3播放器、閃存盤、數(shù)碼像機(jī)等均對nand閃存有龐大需求的同時，前訊系統(tǒng)公司跨入此一市場，企圖希望能在三星、東芝等大廠之外，為客戶提供另一種選擇。

　　根據(jù)前訊系統(tǒng)提供的資料指出，該公司系采用全新的分散閘閃存技術(shù)，并以0.15微米工藝技術(shù)成功應(yīng)用于此一高密度512mb nand型閃存。其分散閘技術(shù)使用三層復(fù)晶硅(triple poly)，并用第三層復(fù)晶硅形成緊臨記憶細(xì)胞的選擇閘。

　　重復(fù)此一單元結(jié)構(gòu)衍生之nand架構(gòu)與市場上主流結(jié)構(gòu)堆棧閘nand比較，前訊系統(tǒng)具有較小的單位nand面積、較低之抹除與寫入操作高電壓(前訊僅需12v、而堆棧閘nand需18~20v)、以及較小之高電壓藕合需求等優(yōu)點。此外，由于采用不同的物理機(jī)制，前訊系統(tǒng)之分散閘技術(shù)可以較快的速度進(jìn)行資料抹除與寫入操作，此一優(yōu)勢在系統(tǒng)應(yīng)用上可減少操作間等待時間、提升使用效率。