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首款2兆位串行F-RAM存儲(chǔ)器

發(fā)布時(shí)間:2008/6/5 0:00:00 訪問次數(shù):518

  ramtron international corporation推出業(yè)界首款2兆位 (mb) 串行f-ram存儲(chǔ)器,采用8腳tdfn (5.0 x 6.0 mm) 封裝。fm25h20 采用先進(jìn)的130納米 (nm) cmos工藝生產(chǎn),是高密度的非易失性f-ram存儲(chǔ)器,以低功耗操作,并備有高速串行外設(shè)接口 (spi)。該3v、2mb串行f-ram器件以最大的總線速度寫入,具有幾乎無(wú)限的耐用性,通過微型封裝提供更大的數(shù)據(jù)采集能力,使系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員能夠在計(jì)量和打印機(jī)等高級(jí)應(yīng)用中減少成本和板卡空間。

  fm25h20是串行閃存的理想替代產(chǎn)品,用于要求低功耗和最小板卡空間的精密電子系統(tǒng)中,包括便攜式醫(yī)療設(shè)備如助聽器等,它們實(shí)際上是微型數(shù)據(jù)處理器,但受到空間有限及功耗低的限制。與閃存相比,f-ram的優(yōu)勢(shì)包括大幅降低工作電流、寫入速度更快、寫入耐用性更比閃存高出多個(gè)數(shù)量級(jí)。

  fm25h20是256k x 8位非易失性存儲(chǔ)器,以高達(dá)40mhz的總線速度進(jìn)行讀寫操作,具有幾乎無(wú)限的耐用性、10年的數(shù)據(jù)保存能力,以及低工作電流。該器件設(shè)有工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)spi接口,優(yōu)化了f-ram的高速寫入能力。fm25h20還備有軟件和硬件寫保護(hù)功能,能避免意外的寫入與數(shù)據(jù)損壞。

  該2mb串行f-ram以低功耗工作,在40mhz下讀/寫操作的耗電低于10ma,待機(jī)狀態(tài)下耗電為80µa (典型值),超低電流睡眠模式下耗電為3µa (典型值)。fm25h20與同等串行閃存器件接腳兼容,并且具備快速存取、高耐用性和低工作電流等特性,比較閃存更為優(yōu)勝。該器件在整個(gè)工業(yè)溫度范圍內(nèi) (-40℃ 至+85℃) 于2.7至3.6v電壓下工作。

  fm25h20以德州儀器公認(rèn)的130納米 (nm) cmos制造工藝為基礎(chǔ)。在標(biāo)準(zhǔn)cmos 130 nm邏輯工藝內(nèi)嵌入非易失性f-ram模塊,僅使用了兩個(gè)額外的掩模步驟。

  fm25h20現(xiàn)提供樣品,并采用符合rohs要求的8腳tdfn封裝,與8腳soic封裝器件占位面積兼容。



  ramtron international corporation推出業(yè)界首款2兆位 (mb) 串行f-ram存儲(chǔ)器,采用8腳tdfn (5.0 x 6.0 mm) 封裝。fm25h20 采用先進(jìn)的130納米 (nm) cmos工藝生產(chǎn),是高密度的非易失性f-ram存儲(chǔ)器,以低功耗操作,并備有高速串行外設(shè)接口 (spi)。該3v、2mb串行f-ram器件以最大的總線速度寫入,具有幾乎無(wú)限的耐用性,通過微型封裝提供更大的數(shù)據(jù)采集能力,使系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員能夠在計(jì)量和打印機(jī)等高級(jí)應(yīng)用中減少成本和板卡空間。

  fm25h20是串行閃存的理想替代產(chǎn)品,用于要求低功耗和最小板卡空間的精密電子系統(tǒng)中,包括便攜式醫(yī)療設(shè)備如助聽器等,它們實(shí)際上是微型數(shù)據(jù)處理器,但受到空間有限及功耗低的限制。與閃存相比,f-ram的優(yōu)勢(shì)包括大幅降低工作電流、寫入速度更快、寫入耐用性更比閃存高出多個(gè)數(shù)量級(jí)。

  fm25h20是256k x 8位非易失性存儲(chǔ)器,以高達(dá)40mhz的總線速度進(jìn)行讀寫操作,具有幾乎無(wú)限的耐用性、10年的數(shù)據(jù)保存能力,以及低工作電流。該器件設(shè)有工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)spi接口,優(yōu)化了f-ram的高速寫入能力。fm25h20還備有軟件和硬件寫保護(hù)功能,能避免意外的寫入與數(shù)據(jù)損壞。

  該2mb串行f-ram以低功耗工作,在40mhz下讀/寫操作的耗電低于10ma,待機(jī)狀態(tài)下耗電為80µa (典型值),超低電流睡眠模式下耗電為3µa (典型值)。fm25h20與同等串行閃存器件接腳兼容,并且具備快速存取、高耐用性和低工作電流等特性,比較閃存更為優(yōu)勝。該器件在整個(gè)工業(yè)溫度范圍內(nèi) (-40℃ 至+85℃) 于2.7至3.6v電壓下工作。

  fm25h20以德州儀器公認(rèn)的130納米 (nm) cmos制造工藝為基礎(chǔ)。在標(biāo)準(zhǔn)cmos 130 nm邏輯工藝內(nèi)嵌入非易失性f-ram模塊,僅使用了兩個(gè)額外的掩模步驟。

  fm25h20現(xiàn)提供樣品,并采用符合rohs要求的8腳tdfn封裝,與8腳soic封裝器件占位面積兼容。



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