Cree推出用于5GHzWiMAX的GaN HEMT三極管
發(fā)布時(shí)間:2008/6/16 0:00:00 訪問次數(shù):461
cree發(fā)布了兩款突破性的gan hemt三極管,用于覆蓋4.9-5.8ghz頻帶的wimax。新款三極管cgh55015f與cgh55030f是首次發(fā)布的特定工作在5.8ghz的gan hemt wimax產(chǎn)品,其性能級別進(jìn)一步證實(shí)了cree在gan技術(shù)上的的領(lǐng)導(dǎo)地位。
新款15-watt與30-watt器件的重要潛在特性包括:
1. 相比于類似功率級的gaas mosfet器件,效率增加四倍
2. 相比于商業(yè)可用硅ldmos,提高了工作頻率
3. 在免授權(quán)的5.8ghz ism(工業(yè),科學(xué)與醫(yī)療)頻段和5.3ghz與5.47ghz u-nii(不需許可的國家信息基礎(chǔ)構(gòu)架)頻段內(nèi)的工作性能
4. 在平均功率低于25%流失率的wimax信號,高于2.5% evm優(yōu)越的線性性,覆蓋5.5-5.8ghz瞬時(shí)頻帶。
新款15-watt與30-watt器件的重要潛在特性包括:
1. 相比于類似功率級的gaas mosfet器件,效率增加四倍
2. 相比于商業(yè)可用硅ldmos,提高了工作頻率
3. 在免授權(quán)的5.8ghz ism(工業(yè),科學(xué)與醫(yī)療)頻段和5.3ghz與5.47ghz u-nii(不需許可的國家信息基礎(chǔ)構(gòu)架)頻段內(nèi)的工作性能
4. 在平均功率低于25%流失率的wimax信號,高于2.5% evm優(yōu)越的線性性,覆蓋5.5-5.8ghz瞬時(shí)頻帶。
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新款15-watt與30-watt器件的重要潛在特性包括:
1. 相比于類似功率級的gaas mosfet器件,效率增加四倍
2. 相比于商業(yè)可用硅ldmos,提高了工作頻率
3. 在免授權(quán)的5.8ghz ism(工業(yè),科學(xué)與醫(yī)療)頻段和5.3ghz與5.47ghz u-nii(不需許可的國家信息基礎(chǔ)構(gòu)架)頻段內(nèi)的工作性能
4. 在平均功率低于25%流失率的wimax信號,高于2.5% evm優(yōu)越的線性性,覆蓋5.5-5.8ghz瞬時(shí)頻帶。
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1. 相比于類似功率級的gaas mosfet器件,效率增加四倍
2. 相比于商業(yè)可用硅ldmos,提高了工作頻率
3. 在免授權(quán)的5.8ghz ism(工業(yè),科學(xué)與醫(yī)療)頻段和5.3ghz與5.47ghz u-nii(不需許可的國家信息基礎(chǔ)構(gòu)架)頻段內(nèi)的工作性能
4. 在平均功率低于25%流失率的wimax信號,高于2.5% evm優(yōu)越的線性性,覆蓋5.5-5.8ghz瞬時(shí)頻帶。
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