內(nèi)存芯片參數(shù)介紹
發(fā)布時(shí)間:2008/8/12 0:00:00 訪問次數(shù):569
具體含義解釋:
例:samsung k4h280838b-tcb0
主要含義:
第1位——芯片功能k,代表是內(nèi)存芯片。
第2位——芯片類型4,代表dram。
第3位——芯片的更進(jìn)一步的類型說明,s代表sdram、h代表ddr、g代表sgram。
第4、5位——容量和刷新速率,容量相同的內(nèi)存采用不同的刷新速率,也會(huì)使用不同的編號(hào)。64、62、63、65、66、67、6a代表64mbit的容量;28、27、2a代表128mbit的容量;56、55、57、5a代表256mbit的容量;51代表512mbit的容量。
第6、7位——數(shù)據(jù)線引腳個(gè)數(shù),08代表8位數(shù)據(jù);16代表16位數(shù)據(jù);32代表32位數(shù)據(jù);64代表64位數(shù)據(jù)。
第11位——連線“-”。
第14、15位——芯片的速率,如60為6ns;70為 7ns;7b為7.5ns (cl=3);7c為7.5ns (cl=2) ;80為 8ns;10 為10ns (66mhz)。
知道了內(nèi)存顆粒編碼主要數(shù)位的含義,拿到一個(gè)內(nèi)存條后就非常容易計(jì)算出它的容量。例如一條三星ddr內(nèi)存,使用18片samsung k4h280838b-tcb0顆粒封裝。顆粒編號(hào)第4、5位“28”代表該顆粒是128mbits,第6、7位“08”代表該顆粒是8位數(shù)據(jù)帶寬,這樣我們可以計(jì)算出該內(nèi)存條的容量是128mbits(兆數(shù)位) × 16片/8bits=256mb(兆字節(jié))。
注:“bit”為“數(shù)位”,“b”即字節(jié)“byte”,一個(gè)字節(jié)為8位則計(jì)算時(shí)除以8。關(guān)于內(nèi)存容量的計(jì)算,文中所舉的例子中有兩種情況:一種是非ecc內(nèi)存,每8片8位數(shù)據(jù)寬度的顆粒就可以組成一條內(nèi)存;另一種ecc內(nèi)存,在每64位數(shù)據(jù)之后,還增加了8位的ecc校驗(yàn)碼。通過校驗(yàn)碼,可以檢測(cè)出內(nèi)存數(shù)據(jù)中的兩位錯(cuò)誤,糾正一位錯(cuò)誤。所以在實(shí)際計(jì)算容量的過程中,不計(jì)算校驗(yàn)位,具有ecc功能的18片顆粒的內(nèi)存條實(shí)際容量按16乘。在購買時(shí)也可以據(jù)此判定18片或者9片內(nèi)存顆粒貼片的內(nèi)存條是ecc內(nèi)存。
hynix(hyundai)現(xiàn)代
現(xiàn)代內(nèi)存的含義:
hy5dv641622at-36
hy xx x xx xx xx x x x x x xx
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1、hy代表是現(xiàn)代的產(chǎn)品
2、內(nèi)存芯片類型:(57=sdram,5d=ddr sdram);
3、工作電壓:空白=5v,v=3.3v,u=2.5v
4、芯片容量和刷新速率:16=16mbits、4k ref;64=64mbits、8k ref;65=64mbits、4k ref;128=128mbits、8k ref;129=128mbits、4k ref;256=256mbits、16k ref;257=256mbits、8k ref
5、代表芯片輸出的數(shù)據(jù)位寬:40、80、16、32分別代表4位、8位、16位和32位
6、bank數(shù)量:1、2、3分別代表2個(gè)、4個(gè)和8個(gè)bank,是2的冪次關(guān)系
7、i/o界面:1 :sstl_3、 2 :sstl_2
8、芯片內(nèi)核版本:可以為空白或a、b、c、d等字母,越往后代表內(nèi)核越新
9、代表功耗:l=低功耗芯片,空白=普通芯片
10、內(nèi)存芯片封裝形式:jc=400mil soj,tc=400mil tsop-ⅱ,td=13mm tsop-ⅱ,tg=16mm tsop-ⅱ
11、工作速度:55 :183mhz、5 :200mhz、45 :222mhz、43 :233mhz、4 :250mhz、33 :300nhz、l :ddr200、h :ddr266b、 k :ddr266a
infineon(億恒)
infineon是德國西門子的一個(gè)分公司,目前國內(nèi)市場(chǎng)上西門子的子公司infineon生產(chǎn)的內(nèi)存顆粒只有兩種容量:容量為128mbits的顆粒和容量為256mbits的顆粒。編號(hào)中詳細(xì)列出了其內(nèi)存的容量、數(shù)據(jù)寬度。infineon的內(nèi)存隊(duì)列組織管理模式都是每個(gè)顆粒由4個(gè)bank組成。所以其內(nèi)存顆粒型號(hào)比較少,辨別也是最容易的。
hyb39s128400即128mb/ 4bits,“128”標(biāo)識(shí)的是該顆粒的容量,后三位標(biāo)識(shí)的是該內(nèi)存數(shù)據(jù)寬度。其它也是如此,如:hyb39s128800即128mb/8bits;hyb39s128160即128mb/16bits;hyb39s256800即256mb/8bits。
infineon內(nèi)存顆粒工作速率的表示方法是在其型號(hào)最后加一短線,然后標(biāo)上工作速率。
-7.5——表示該內(nèi)存的工作頻率是133mhz;
-8——表示該內(nèi)存的工作頻率是100mhz。
例如:
1條kingston的內(nèi)存條,采用16片infineon的hyb39s128400-7.5的內(nèi)存顆粒生產(chǎn)。其容量計(jì)算為: 128mbits(兆數(shù)位)×16片/8=256mb(兆字節(jié))。
1條ramaxel的內(nèi)存條,采用8片infineon的hyb39s128800-7.5的內(nèi)存顆粒生產(chǎn)。其容量計(jì)算為: 128mbits(兆數(shù)位) × 8 片/8=128mb(兆字節(jié))。
kingmax、kti
kingmax內(nèi)存的說明
kingmax內(nèi)存都是采用tinybga封裝(tiny ball grid array)。并且該封裝模式是專利產(chǎn)品,所以我們看到采用kingmax顆粒制作的內(nèi)存條全是該廠自己生產(chǎn)。kingmax內(nèi)存顆粒有兩種容量:64mbits和128mbits。在此可以將每種容量系列的內(nèi)存顆粒型號(hào)列表出來。
容量備注:
ksva44t4a0a——64mbits,16m地址空間 × 4位數(shù)據(jù)寬度;
ksv884t4a0a——64mbits,8m地址空間 × 8位數(shù)據(jù)寬度;
ksv244t4xxx
具體含義解釋:
例:samsung k4h280838b-tcb0
主要含義:
第1位——芯片功能k,代表是內(nèi)存芯片。
第2位——芯片類型4,代表dram。
第3位——芯片的更進(jìn)一步的類型說明,s代表sdram、h代表ddr、g代表sgram。
第4、5位——容量和刷新速率,容量相同的內(nèi)存采用不同的刷新速率,也會(huì)使用不同的編號(hào)。64、62、63、65、66、67、6a代表64mbit的容量;28、27、2a代表128mbit的容量;56、55、57、5a代表256mbit的容量;51代表512mbit的容量。
第6、7位——數(shù)據(jù)線引腳個(gè)數(shù),08代表8位數(shù)據(jù);16代表16位數(shù)據(jù);32代表32位數(shù)據(jù);64代表64位數(shù)據(jù)。
第11位——連線“-”。
第14、15位——芯片的速率,如60為6ns;70為 7ns;7b為7.5ns (cl=3);7c為7.5ns (cl=2) ;80為 8ns;10 為10ns (66mhz)。
知道了內(nèi)存顆粒編碼主要數(shù)位的含義,拿到一個(gè)內(nèi)存條后就非常容易計(jì)算出它的容量。例如一條三星ddr內(nèi)存,使用18片samsung k4h280838b-tcb0顆粒封裝。顆粒編號(hào)第4、5位“28”代表該顆粒是128mbits,第6、7位“08”代表該顆粒是8位數(shù)據(jù)帶寬,這樣我們可以計(jì)算出該內(nèi)存條的容量是128mbits(兆數(shù)位) × 16片/8bits=256mb(兆字節(jié))。
注:“bit”為“數(shù)位”,“b”即字節(jié)“byte”,一個(gè)字節(jié)為8位則計(jì)算時(shí)除以8。關(guān)于內(nèi)存容量的計(jì)算,文中所舉的例子中有兩種情況:一種是非ecc內(nèi)存,每8片8位數(shù)據(jù)寬度的顆粒就可以組成一條內(nèi)存;另一種ecc內(nèi)存,在每64位數(shù)據(jù)之后,還增加了8位的ecc校驗(yàn)碼。通過校驗(yàn)碼,可以檢測(cè)出內(nèi)存數(shù)據(jù)中的兩位錯(cuò)誤,糾正一位錯(cuò)誤。所以在實(shí)際計(jì)算容量的過程中,不計(jì)算校驗(yàn)位,具有ecc功能的18片顆粒的內(nèi)存條實(shí)際容量按16乘。在購買時(shí)也可以據(jù)此判定18片或者9片內(nèi)存顆粒貼片的內(nèi)存條是ecc內(nèi)存。
hynix(hyundai)現(xiàn)代
現(xiàn)代內(nèi)存的含義:
hy5dv641622at-36
hy xx x xx xx xx x x x x x xx
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1、hy代表是現(xiàn)代的產(chǎn)品
2、內(nèi)存芯片類型:(57=sdram,5d=ddr sdram);
3、工作電壓:空白=5v,v=3.3v,u=2.5v
4、芯片容量和刷新速率:16=16mbits、4k ref;64=64mbits、8k ref;65=64mbits、4k ref;128=128mbits、8k ref;129=128mbits、4k ref;256=256mbits、16k ref;257=256mbits、8k ref
5、代表芯片輸出的數(shù)據(jù)位寬:40、80、16、32分別代表4位、8位、16位和32位
6、bank數(shù)量:1、2、3分別代表2個(gè)、4個(gè)和8個(gè)bank,是2的冪次關(guān)系
7、i/o界面:1 :sstl_3、 2 :sstl_2
8、芯片內(nèi)核版本:可以為空白或a、b、c、d等字母,越往后代表內(nèi)核越新
9、代表功耗:l=低功耗芯片,空白=普通芯片
10、內(nèi)存芯片封裝形式:jc=400mil soj,tc=400mil tsop-ⅱ,td=13mm tsop-ⅱ,tg=16mm tsop-ⅱ
11、工作速度:55 :183mhz、5 :200mhz、45 :222mhz、43 :233mhz、4 :250mhz、33 :300nhz、l :ddr200、h :ddr266b、 k :ddr266a
infineon(億恒)
infineon是德國西門子的一個(gè)分公司,目前國內(nèi)市場(chǎng)上西門子的子公司infineon生產(chǎn)的內(nèi)存顆粒只有兩種容量:容量為128mbits的顆粒和容量為256mbits的顆粒。編號(hào)中詳細(xì)列出了其內(nèi)存的容量、數(shù)據(jù)寬度。infineon的內(nèi)存隊(duì)列組織管理模式都是每個(gè)顆粒由4個(gè)bank組成。所以其內(nèi)存顆粒型號(hào)比較少,辨別也是最容易的。
hyb39s128400即128mb/ 4bits,“128”標(biāo)識(shí)的是該顆粒的容量,后三位標(biāo)識(shí)的是該內(nèi)存數(shù)據(jù)寬度。其它也是如此,如:hyb39s128800即128mb/8bits;hyb39s128160即128mb/16bits;hyb39s256800即256mb/8bits。
infineon內(nèi)存顆粒工作速率的表示方法是在其型號(hào)最后加一短線,然后標(biāo)上工作速率。
-7.5——表示該內(nèi)存的工作頻率是133mhz;
-8——表示該內(nèi)存的工作頻率是100mhz。
例如:
1條kingston的內(nèi)存條,采用16片infineon的hyb39s128400-7.5的內(nèi)存顆粒生產(chǎn)。其容量計(jì)算為: 128mbits(兆數(shù)位)×16片/8=256mb(兆字節(jié))。
1條ramaxel的內(nèi)存條,采用8片infineon的hyb39s128800-7.5的內(nèi)存顆粒生產(chǎn)。其容量計(jì)算為: 128mbits(兆數(shù)位) × 8 片/8=128mb(兆字節(jié))。
kingmax、kti
kingmax內(nèi)存的說明
kingmax內(nèi)存都是采用tinybga封裝(tiny ball grid array)。并且該封裝模式是專利產(chǎn)品,所以我們看到采用kingmax顆粒制作的內(nèi)存條全是該廠自己生產(chǎn)。kingmax內(nèi)存顆粒有兩種容量:64mbits和128mbits。在此可以將每種容量系列的內(nèi)存顆粒型號(hào)列表出來。
容量備注:
ksva44t4a0a——64mbits,16m地址空間 × 4位數(shù)據(jù)寬度;
ksv884t4a0a——64mbits,8m地址空間 × 8位數(shù)據(jù)寬度;
ksv244t4xxx
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