cy14b102 2 mbit nvsram 與 cy14b108 8 mbit nvsram 均符合 rohs 指令，可直接取代sram、電池供電的 sram、eprom 及 eeprom 器件，毋需安裝電池就能確�？煽康姆且资�性數據存儲。斷電時，數據可自動從 sram 傳輸到 nvsram 器件的非易失性存儲單元。通電時，數據則能從非易失性存儲器恢復到 sram 中。上述兩種操作都能通過軟件控制實現。新型 nvsram采用賽普拉斯的 s8 0.13 微米硅氧化氮氧化硅 (sonos) 嵌入式非易失性存儲器工藝制造而成，具有更高的密度、更短的存取時間以及高出色的性能。

　　2 mbit 和 8 mbit 的nvsram 支持實時時鐘特性，既能實現業(yè)界最低的待機振蕩器電流，又能確保集成存儲器的最高性能，從而在非易失性存儲器的支持下可實現事件時間戳功能。

　　nvsram 是業(yè)界最佳的高速非易失性存儲器解決方案，相對于電池供電的 sram 而言，其板級空間更少、設計復雜性更低，而且比磁性隨機存儲器 (mram) 或鐵電存儲器 (fram) 更加經濟可靠。2 mbit 和 8 mbit 的nvsram是賽普拉斯nvsram 產品系列中的最新成員，該系列旗下目前已實現量產的其它產品還包括16 kbit、64 kbit、256 kbit、1 mbit和4 mbit的器件。

　　作為 sonos 工藝技術的領先公司，賽普拉斯將在新一代 psoc? 混合信號陣列、ovationons 激光導航傳感器、可編程時鐘及其它產品中采用 s8 技術。sonos 與標準 cmos工藝高度兼容且具有高耐用性、低功耗和抗輻射加固等眾多優(yōu)勢。此外，sonos 相對于其它嵌入式非易失性存儲器技術而言，也是一款更穩(wěn)健、更易于制造、更低成本的解決方案。

供貨情況

　　賽普拉斯的 2 mbit和 8 mbit的 nvsram 目前已提供樣品，預計將于 2008 年第三季度開始投產。上述產品可采用 48 引腳 fbga 封裝以及 44 引腳和 54 引腳的 tsopii 封裝。此類非易失性 sram 是根據賽普拉斯公司此前與西姆泰克公司（simtek corporation）簽訂的協(xié)作產品開發(fā)協(xié)議而共同開發(fā)的器件系列中的第二批產品。

關于賽普拉斯的 nvsram 產品

　　賽普拉斯的nvsram使用存儲于外部電容器（而非電池）內的電量，使產品更適用于標準印刷電路板（pcb）組裝流程。該系列產品可采用如下不同配置：8 mbit/3v、4 mbit/3v、2 mbit/3v、1 mbit/3v、256 kbit/3v、256 kbit/5v、64 kbit/5v 以及 16 kbit/5v 等。這些產品具有高度的可擴展性，其中1 mbit 和 256 kbit 的產品采用32 引腳soic和48引腳ssop小型封裝。8 mbit、4 mbit 和 2 mbit的產品采用 48 引腳 fbga 封裝、44引腳tsopii 封裝和 54 引腳 tsopii 封裝。nvsram產品系列支持引腳兼容的升級，以滿足更高的密度及實時時鐘要求。

　　在raid應用中，即使在電量耗盡時， nvsram 也能在確保數據完整性的情況下進行高速數據傳輸。用于復印機中的 nvsram 產品能夠實現數據的高速存取而不需要電池。得益于nvsram 提供的數據緩沖功能，手持儀表能夠實現服務器加載數據的高速讀取。