半導(dǎo)體發(fā)光二極管工作原理、特性及應(yīng)用
發(fā)布時(shí)間:2008/8/30 0:00:00 訪(fǎng)問(wèn)次數(shù):450
(一)led發(fā)光原理
發(fā)光二極管是由ⅲ-ⅳ族化合物,如gaas(砷化鎵)、gap(磷化鎵)、gaasp(磷砷化鎵)等半導(dǎo)體制成的,其核心是pn結(jié)。因此它具有一般p-n結(jié)的i-n特性,即正向?qū)ǎ聪颡そ刂、擊穿特性。此外,在一定條件下,它還具有發(fā)光特性。在正向電壓下,電子由n區(qū)注入p區(qū),空穴由p區(qū)注入n區(qū)。進(jìn)入對(duì)方區(qū)域的少數(shù)載流子(少子)一部分與多數(shù)載流子(多子)復(fù)合而發(fā)光,如圖1所示。
假設(shè)發(fā)光是在p區(qū)中發(fā)生的,那么注入的電子與價(jià)帶空穴直接復(fù)合而發(fā)光,或者先被發(fā)光中心捕獲后,再與空穴復(fù)合發(fā)光。除了這種發(fā)光復(fù)合外,還有些電子被非發(fā)光中心(這個(gè)中心介于導(dǎo)帶、介帶中間附近)捕獲,而后再與空穴復(fù)合,每次釋放的能量不大,不能形成可見(jiàn)光。發(fā)光的復(fù)合量相對(duì)于非發(fā)光復(fù)合量的比例越大,光量子效率越高。由于復(fù)合是在少子擴(kuò)散區(qū)內(nèi)發(fā)光的,所以光僅在靠近pn結(jié)面數(shù)μm以?xún)?nèi)產(chǎn)生。
理論和實(shí)踐證明,光的峰值波長(zhǎng)λ與發(fā)光區(qū)域的半導(dǎo)體材料禁帶寬度eg有關(guān),即λ≈1240/eg(mm)式中eg的單位為電子伏特(ev)。若能產(chǎn)生可見(jiàn)光(波長(zhǎng)在380nm紫光~780nm紅光),半導(dǎo)體材料的eg應(yīng)在3.26~1.63ev之間。比紅光波長(zhǎng)長(zhǎng)的光為紅外光,F(xiàn)在已有紅外、紅、黃、綠及藍(lán)光發(fā)光二極管,但其中藍(lán)光二極管成本、價(jià)格很高,使用不普遍。
(二)led的特性
。保畼O限參數(shù)的意義
。ǎ保┰试S功耗pm:允許加于led兩端正向直流電壓與流過(guò)它的電流之積的最大值。超過(guò)此值,led發(fā)熱、損壞。
(2)最大正向直流電流ifm:允許加的最大的正向直流電流。超過(guò)此值可損壞二極管。
(3)最大反向電壓vrm:所允許加的最大反向電壓。超過(guò)此值,發(fā)光二極管可能被擊穿損壞。
。ǎ矗┕ぷ鳝h(huán)境topm:發(fā)光二極管可正常工作的環(huán)境溫度范圍。低于或高于此溫度范圍,發(fā)光二極管將不能正常工作,效率大大降低。
。玻妳(shù)的意義
。ǎ保┕庾V分布和峰值波長(zhǎng):某一個(gè)發(fā)光二極管所發(fā)之光并非單一波長(zhǎng),其波長(zhǎng)大體按圖2所示。由圖可見(jiàn),該發(fā)光管所發(fā)之光中某一波長(zhǎng)λ0的光強(qiáng)最大,該波長(zhǎng)為峰值波長(zhǎng)。
。ǎ玻┌l(fā)光強(qiáng)度iv:發(fā)光二極管的發(fā)光強(qiáng)度通常是指法線(xiàn)(對(duì)圓柱形發(fā)光管是指其軸線(xiàn))方向上的發(fā)光強(qiáng)度。若在該方向上輻射強(qiáng)度為(1/683)w/sr時(shí),則發(fā)光1坎德拉(符號(hào)為cd)。由于一般led的發(fā)光二強(qiáng)度小,所以發(fā)光強(qiáng)度常用坎德拉(mcd)作單位。
。ǎ常┕庾V半寬度δλ:它表示發(fā)光管的光譜純度.是指圖3中1/2峰值光強(qiáng)所對(duì)應(yīng)兩波長(zhǎng)之間隔.
。ǎ矗┌胫到铅龋保埠鸵暯牵害龋保彩侵赴l(fā)光強(qiáng)度值為軸向強(qiáng)度值一半的方向與發(fā)光軸向(法向)的夾角。半值角的2倍為視角(或稱(chēng)半功率角)。
圖3給出的二只不同型號(hào)發(fā)光二極管發(fā)光強(qiáng)度角分布的情況。中垂線(xiàn)(法線(xiàn))ao的坐標(biāo)為相對(duì)發(fā)光強(qiáng)度(即發(fā)光強(qiáng)度與最大發(fā)光強(qiáng)度的之比)。顯然,法線(xiàn)方向上的相對(duì)發(fā)光強(qiáng)度為1,離開(kāi)法線(xiàn)方向的角度越大,相對(duì)發(fā)光強(qiáng)度越小。由此圖可以得到半值角或視角值。
。ǎ担┱蚬ぷ麟娏鳎椋妫核侵赴l(fā)光二極管正常發(fā)光時(shí)的正向電流值。在實(shí)際使用中應(yīng)根據(jù)需要選擇if在0.6·ifm以下。
。ǎ叮┱蚬ぷ麟妷海觯妫簠(shù)表中給出的工作電壓是在給定的正向電流下得到的。一般是在。椋妫剑玻埃恚釙r(shí)測(cè)得的。發(fā)光二極管正向工作電壓vf在1.4~3v。在外界溫度升高時(shí),vf將下降。
(7)v-i特性:發(fā)光二極管的電壓與電流的關(guān)系可用圖4表示。在正向電壓正小于某一值(叫閾值)時(shí),電流極小,不發(fā)光。當(dāng)電壓超過(guò)某一值后,正向電流隨電壓迅速增加,發(fā)光。由v-i曲線(xiàn)可以得出發(fā)光管的正向電壓,反向電流及反向電壓等參數(shù)。正向的發(fā)光管反向漏電流ir<10μa以下。
(三)led的分類(lèi)
1.按發(fā)光管發(fā)光顏色分
按發(fā)光管發(fā)光顏色分,可分成紅色、橙色、綠色(又細(xì)分黃綠、標(biāo)準(zhǔn)綠和純綠)、藍(lán)光等。另外,有的發(fā)光二極管中包含二種或三種顏色的芯片。根據(jù)發(fā)光二極管出光處摻或不摻散射劑、有色還是無(wú)色,上述各種顏色的發(fā)光二極管還可分成有色透明、無(wú)色透明、有色散射和無(wú)色散射四種類(lèi)型。散射型發(fā)光二極管和達(dá)于做指示燈用。
。玻窗l(fā)光管出光面特征分
按發(fā)光管出光面特征分圓燈、方燈、矩形、面發(fā)光管、側(cè)向管、
(一)led發(fā)光原理
發(fā)光二極管是由ⅲ-ⅳ族化合物,如gaas(砷化鎵)、gap(磷化鎵)、gaasp(磷砷化鎵)等半導(dǎo)體制成的,其核心是pn結(jié)。因此它具有一般p-n結(jié)的i-n特性,即正向?qū),反向截止、擊穿特性。此外,在一定條件下,它還具有發(fā)光特性。在正向電壓下,電子由n區(qū)注入p區(qū),空穴由p區(qū)注入n區(qū)。進(jìn)入對(duì)方區(qū)域的少數(shù)載流子(少子)一部分與多數(shù)載流子(多子)復(fù)合而發(fā)光,如圖1所示。
假設(shè)發(fā)光是在p區(qū)中發(fā)生的,那么注入的電子與價(jià)帶空穴直接復(fù)合而發(fā)光,或者先被發(fā)光中心捕獲后,再與空穴復(fù)合發(fā)光。除了這種發(fā)光復(fù)合外,還有些電子被非發(fā)光中心(這個(gè)中心介于導(dǎo)帶、介帶中間附近)捕獲,而后再與空穴復(fù)合,每次釋放的能量不大,不能形成可見(jiàn)光。發(fā)光的復(fù)合量相對(duì)于非發(fā)光復(fù)合量的比例越大,光量子效率越高。由于復(fù)合是在少子擴(kuò)散區(qū)內(nèi)發(fā)光的,所以光僅在靠近pn結(jié)面數(shù)μm以?xún)?nèi)產(chǎn)生。
理論和實(shí)踐證明,光的峰值波長(zhǎng)λ與發(fā)光區(qū)域的半導(dǎo)體材料禁帶寬度eg有關(guān),即λ≈1240/eg(mm)式中eg的單位為電子伏特(ev)。若能產(chǎn)生可見(jiàn)光(波長(zhǎng)在380nm紫光~780nm紅光),半導(dǎo)體材料的eg應(yīng)在3.26~1.63ev之間。比紅光波長(zhǎng)長(zhǎng)的光為紅外光。現(xiàn)在已有紅外、紅、黃、綠及藍(lán)光發(fā)光二極管,但其中藍(lán)光二極管成本、價(jià)格很高,使用不普遍。
(二)led的特性
1.極限參數(shù)的意義
。ǎ保┰试S功耗pm:允許加于led兩端正向直流電壓與流過(guò)它的電流之積的最大值。超過(guò)此值,led發(fā)熱、損壞。
。ǎ玻┳畲笳蛑绷麟娏鳎椋妫恚涸试S加的最大的正向直流電流。超過(guò)此值可損壞二極管。
(3)最大反向電壓vrm:所允許加的最大反向電壓。超過(guò)此值,發(fā)光二極管可能被擊穿損壞。
。ǎ矗┕ぷ鳝h(huán)境topm:發(fā)光二極管可正常工作的環(huán)境溫度范圍。低于或高于此溫度范圍,發(fā)光二極管將不能正常工作,效率大大降低。
。玻妳(shù)的意義
。ǎ保┕庾V分布和峰值波長(zhǎng):某一個(gè)發(fā)光二極管所發(fā)之光并非單一波長(zhǎng),其波長(zhǎng)大體按圖2所示。由圖可見(jiàn),該發(fā)光管所發(fā)之光中某一波長(zhǎng)λ0的光強(qiáng)最大,該波長(zhǎng)為峰值波長(zhǎng)。
。ǎ玻┌l(fā)光強(qiáng)度iv:發(fā)光二極管的發(fā)光強(qiáng)度通常是指法線(xiàn)(對(duì)圓柱形發(fā)光管是指其軸線(xiàn))方向上的發(fā)光強(qiáng)度。若在該方向上輻射強(qiáng)度為(1/683)w/sr時(shí),則發(fā)光1坎德拉(符號(hào)為cd)。由于一般led的發(fā)光二強(qiáng)度小,所以發(fā)光強(qiáng)度常用坎德拉(mcd)作單位。
。ǎ常┕庾V半寬度δλ:它表示發(fā)光管的光譜純度.是指圖3中1/2峰值光強(qiáng)所對(duì)應(yīng)兩波長(zhǎng)之間隔.
。ǎ矗┌胫到铅龋保埠鸵暯牵害龋保彩侵赴l(fā)光強(qiáng)度值為軸向強(qiáng)度值一半的方向與發(fā)光軸向(法向)的夾角。半值角的2倍為視角(或稱(chēng)半功率角)。
圖3給出的二只不同型號(hào)發(fā)光二極管發(fā)光強(qiáng)度角分布的情況。中垂線(xiàn)(法線(xiàn))ao的坐標(biāo)為相對(duì)發(fā)光強(qiáng)度(即發(fā)光強(qiáng)度與最大發(fā)光強(qiáng)度的之比)。顯然,法線(xiàn)方向上的相對(duì)發(fā)光強(qiáng)度為1,離開(kāi)法線(xiàn)方向的角度越大,相對(duì)發(fā)光強(qiáng)度越小。由此圖可以得到半值角或視角值。
。ǎ担┱蚬ぷ麟娏鳎椋妫核侵赴l(fā)光二極管正常發(fā)光時(shí)的正向電流值。在實(shí)際使用中應(yīng)根據(jù)需要選擇if在0.6·ifm以下。
(6)正向工作電壓vf:參數(shù)表中給出的工作電壓是在給定的正向電流下得到的。一般是在 if=20ma時(shí)測(cè)得的。發(fā)光二極管正向工作電壓vf在1.4~3v。在外界溫度升高時(shí),vf將下降。
。ǎ罚觯樘匦裕喊l(fā)光二極管的電壓與電流的關(guān)系可用圖4表示。在正向電壓正小于某一值(叫閾值)時(shí),電流極小,不發(fā)光。當(dāng)電壓超過(guò)某一值后,正向電流隨電壓迅速增加,發(fā)光。由v-i曲線(xiàn)可以得出發(fā)光管的正向電壓,反向電流及反向電壓等參數(shù)。正向的發(fā)光管反向漏電流ir<10μa以下。
(三)led的分類(lèi)
。保窗l(fā)光管發(fā)光顏色分
按發(fā)光管發(fā)光顏色分,可分成紅色、橙色、綠色(又細(xì)分黃綠、標(biāo)準(zhǔn)綠和純綠)、藍(lán)光等。另外,有的發(fā)光二極管中包含二種或三種顏色的芯片。根據(jù)發(fā)光二極管出光處摻或不摻散射劑、有色還是無(wú)色,上述各種顏色的發(fā)光二極管還可分成有色透明、無(wú)色透明、有色散射和無(wú)色散射四種類(lèi)型。散射型發(fā)光二極管和達(dá)于做指示燈用。
。玻窗l(fā)光管出光面特征分
按發(fā)光管出光面特征分圓燈、方燈、矩形、面發(fā)光管、側(cè)向管、
熱門(mén)點(diǎn)擊
- PTH和NPTH有何區(qū)別
- 影響印刷電路板(PCB)的特性阻抗因素及對(duì)策
- 電子管與晶體管收音機(jī)音質(zhì)區(qū)別
- 自動(dòng)電平控制電路概述
- 壓敏電阻器的應(yīng)用原理介紹
- 什么是看門(mén)狗(watchdog)
- 電容的搭配
- 晶體管CMOS的基本知識(shí)
- 高速電路印刷電路板的可靠性設(shè)計(jì)
- 怎樣測(cè)三極管好壞以及管腳
推薦技術(shù)資料
- 羅盤(pán)誤差及補(bǔ)償
- 造成羅盤(pán)誤差的主要因素有傳感器誤差、其他磁材料干擾等。... [詳細(xì)]
- 電源管理 IC (PMIC)&
- I2C 接口和 PmBUS 以及 OTP/M
- MOSFET 和柵極驅(qū)動(dòng)器單
- 數(shù)字恒定導(dǎo)通時(shí)間控制模式(CO
- Power Management Buck/
- 反激變換器傳導(dǎo)和輻射電磁干擾分析和抑制技術(shù)
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動(dòng)IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機(jī)遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計(jì)
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究