主存儲器部件的組成與設(shè)計
發(fā)布時間:2008/9/1 0:00:00 訪問次數(shù):586
主存儲器概述
(1)主存儲器的兩個重要技術(shù)指標
◎讀寫速度:常常用存儲周期來度量,存儲周期是連續(xù)啟動兩次獨立的存儲器操作(如讀操作)所必需的時間間隔。
◎存儲容量:通常用構(gòu)成存儲器的字節(jié)數(shù)或字數(shù)來計量。
。ǎ玻┲鞔鎯ζ髋ccpu及外圍設(shè)備的連接
是通過地址總線、數(shù)據(jù)總線、控制總線進行連接,見下圖
主存儲器與cpu的連接
◎地址總線用于選擇主存儲器的一個存儲單元,若地址總線的位數(shù)k,則最大可尋址空間為2k。如k=20,可訪問1mb的存儲單元。
◎數(shù)據(jù)總線用于在計算機各功能部件之間傳送數(shù)據(jù)。
◎控制總線用于指明總線的工作周期和本次輸入/輸出完成的時刻。
(3)主存儲器分類
◎按信息保存的長短分:rom與ram
◎按生產(chǎn)工藝分:靜態(tài)存儲器與動態(tài)存儲器
靜態(tài)存儲器(sram):讀寫速度快,生產(chǎn)成本高,多用于容量較小的高速緩沖存儲器。
動態(tài)存儲器(dram):讀寫速度較慢,集成度高,生產(chǎn)成本低,多用于容量較大的主存儲器。
靜態(tài)存儲器與動態(tài)存儲器主要性能比較如下表:
靜態(tài)和動態(tài)存儲器芯片特性比較
。螅颍幔怼。洌颍幔
存儲信息 觸發(fā)器 電容
破壞性讀出 非 是
需要刷新 不要 需要
送行列地址 同時送 分兩次送
運行速度 快 慢
集成度 低 高
發(fā)熱量 大 小
存儲成本 高 低
動態(tài)存儲器的定期刷新:在不進行讀寫操作時,dram 存儲器的各單元處于斷電狀態(tài),由于漏電的存在,保存在電容cs 上的電荷會慢慢地漏掉,為此必須定時予以補充,稱為刷新操作。
。病討B(tài)存儲器的記憶原理和讀寫過程
。ǎ保﹦討B(tài)存儲器的組成:由單個mos管來存儲一位二進制信息。信息存儲在mos管的源極的寄生電容cs中。
◎?qū)憯?shù)據(jù)時:字線為高電平,t導(dǎo)通。
寫“1”時,位線(數(shù)據(jù)線)為低電平,。觯洌洌娫矗⿲⑾螂娙莩潆
寫“0時,位線(數(shù)據(jù)線)為高電平, 若電容存儲了電荷,則將會使電容完成放電,就表示存儲了“0”。
◎讀數(shù)據(jù)時:先使位線(數(shù)據(jù)線)變?yōu)楦唠娖,?dāng)字線高電平到來時t導(dǎo)通,若電容原存儲有電荷( 是“1”。,則電容就要放電,就會使數(shù)據(jù)線電位由高變低;若電容沒有存儲電荷( 是“0”。瑒t數(shù)據(jù)線電位不會變化。檢測數(shù)據(jù)線上電位的變化就可以區(qū)分讀出的數(shù)據(jù)是1還是0。
注意
、僮x操作使電容原存儲的電荷丟失,因此是破壞性讀出。為保持原記憶內(nèi)容,必須在讀操作后立刻跟隨一次寫入操作,稱為預(yù)充電延遲。
②向動態(tài)存儲器的存儲單元提供地址,是先送行地址再送列地址。原因就是對動態(tài)存儲器必須定時刷新(如2ms),刷新不是按字處理,而是每次刷新一行,即為連接在同一行上所有存儲單元的電容補充一次能量。
、墼趧討B(tài)存儲器的位線上讀出信號很小,必須接讀出放大器,通常用觸發(fā)器線路實現(xiàn)。
、艽鎯ζ餍酒瑑(nèi)部的行地址和列地址鎖存器分先后接受行、列地址。
、荩颍幔、cas、we、din、dout時序關(guān)系如下圖:
3、教學(xué)計算機的內(nèi)存儲器組成與設(shè)計
。ǎ保╈o態(tài)存儲器的存儲原理和芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)(p207)
。ǎ玻┙虒W(xué)計算機內(nèi)存儲器的組成與設(shè)計
◎地址總線:記為ab15~ab0,統(tǒng)一由地址寄存器ar驅(qū)動,地址寄存器ar只接收alu輸出的信息。
◎控制總線:控制總線的信號由譯碼器74ls139給出,功能是指出總線周期的類型:
※內(nèi)存寫周期 用mmw信號標記
※內(nèi)存讀周期 用mmr信號標記
※外設(shè)(接口)寫周期 用iow信號標記
※外設(shè)(接口)讀周期 用ior信號標記
※內(nèi)存在工作 用mmreq信號標記
※外設(shè)在工作 用ioreq信號標記
※寫控存周期 用swa信號標記
◎數(shù)據(jù)總線:分為內(nèi)部數(shù)據(jù)總線ib與外部數(shù)據(jù)總線db兩部分。主要完成計算機各功能部件之間的數(shù)據(jù)傳送。
設(shè)計總
主存儲器概述
(1)主存儲器的兩個重要技術(shù)指標
◎讀寫速度:常常用存儲周期來度量,存儲周期是連續(xù)啟動兩次獨立的存儲器操作(如讀操作)所必需的時間間隔。
◎存儲容量:通常用構(gòu)成存儲器的字節(jié)數(shù)或字數(shù)來計量。
。ǎ玻┲鞔鎯ζ髋ccpu及外圍設(shè)備的連接
是通過地址總線、數(shù)據(jù)總線、控制總線進行連接,見下圖
主存儲器與cpu的連接
◎地址總線用于選擇主存儲器的一個存儲單元,若地址總線的位數(shù)k,則最大可尋址空間為2k。如k=20,可訪問1mb的存儲單元。
◎數(shù)據(jù)總線用于在計算機各功能部件之間傳送數(shù)據(jù)。
◎控制總線用于指明總線的工作周期和本次輸入/輸出完成的時刻。
。ǎ常┲鞔鎯ζ鞣诸
◎按信息保存的長短分:rom與ram
◎按生產(chǎn)工藝分:靜態(tài)存儲器與動態(tài)存儲器
靜態(tài)存儲器(sram):讀寫速度快,生產(chǎn)成本高,多用于容量較小的高速緩沖存儲器。
動態(tài)存儲器(dram):讀寫速度較慢,集成度高,生產(chǎn)成本低,多用于容量較大的主存儲器。
靜態(tài)存儲器與動態(tài)存儲器主要性能比較如下表:
靜態(tài)和動態(tài)存儲器芯片特性比較
。螅颍幔怼。洌颍幔
存儲信息 觸發(fā)器 電容
破壞性讀出 非 是
需要刷新 不要 需要
送行列地址 同時送 分兩次送
運行速度 快 慢
集成度 低 高
發(fā)熱量 大 小
存儲成本 高 低
動態(tài)存儲器的定期刷新:在不進行讀寫操作時,dram 存儲器的各單元處于斷電狀態(tài),由于漏電的存在,保存在電容cs 上的電荷會慢慢地漏掉,為此必須定時予以補充,稱為刷新操作。
2、動態(tài)存儲器的記憶原理和讀寫過程
。ǎ保﹦討B(tài)存儲器的組成:由單個mos管來存儲一位二進制信息。信息存儲在mos管的源極的寄生電容cs中。
◎?qū)憯?shù)據(jù)時:字線為高電平,t導(dǎo)通。
寫“1”時,位線(數(shù)據(jù)線)為低電平,。觯洌洌娫矗⿲⑾螂娙莩潆
寫“0時,位線(數(shù)據(jù)線)為高電平, 若電容存儲了電荷,則將會使電容完成放電,就表示存儲了“0”。
◎讀數(shù)據(jù)時:先使位線(數(shù)據(jù)線)變?yōu)楦唠娖剑?dāng)字線高電平到來時t導(dǎo)通,若電容原存儲有電荷( 是“1”。瑒t電容就要放電,就會使數(shù)據(jù)線電位由高變低;若電容沒有存儲電荷( 是“0” ),則數(shù)據(jù)線電位不會變化。檢測數(shù)據(jù)線上電位的變化就可以區(qū)分讀出的數(shù)據(jù)是1還是0。
注意
①讀操作使電容原存儲的電荷丟失,因此是破壞性讀出。為保持原記憶內(nèi)容,必須在讀操作后立刻跟隨一次寫入操作,稱為預(yù)充電延遲。
、谙騽討B(tài)存儲器的存儲單元提供地址,是先送行地址再送列地址。原因就是對動態(tài)存儲器必須定時刷新(如2ms),刷新不是按字處理,而是每次刷新一行,即為連接在同一行上所有存儲單元的電容補充一次能量。
、墼趧討B(tài)存儲器的位線上讀出信號很小,必須接讀出放大器,通常用觸發(fā)器線路實現(xiàn)。
、艽鎯ζ餍酒瑑(nèi)部的行地址和列地址鎖存器分先后接受行、列地址。
、荩颍幔蟆ⅲ悖幔、we、din、dout時序關(guān)系如下圖:
。场⒔虒W(xué)計算機的內(nèi)存儲器組成與設(shè)計
。ǎ保╈o態(tài)存儲器的存儲原理和芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)(p207)
。ǎ玻┙虒W(xué)計算機內(nèi)存儲器的組成與設(shè)計
◎地址總線:記為ab15~ab0,統(tǒng)一由地址寄存器ar驅(qū)動,地址寄存器ar只接收alu輸出的信息。
◎控制總線:控制總線的信號由譯碼器74ls139給出,功能是指出總線周期的類型:
※內(nèi)存寫周期 用mmw信號標記
※內(nèi)存讀周期 用mmr信號標記
※外設(shè)(接口)寫周期 用iow信號標記
※外設(shè)(接口)讀周期 用ior信號標記
※內(nèi)存在工作 用mmreq信號標記
※外設(shè)在工作 用ioreq信號標記
※寫控存周期 用swa信號標記
◎數(shù)據(jù)總線:分為內(nèi)部數(shù)據(jù)總線ib與外部數(shù)據(jù)總線db兩部分。主要完成計算機各功能部件之間的數(shù)據(jù)傳送。
設(shè)計總
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