在圖1中流入到積分電路中的電流iin的大小，由輸人電阻r和積分輸人電壓ein決定，即

　　圖1中的積分電路的輸人輸出波形。當輸入電壓為－5μa時，此電流變?yōu)椋?pa。此電流iin流過積分電容，開始充電動作(輸出電壓變化是直線的)，當輸人電流變?yōu)?時，保持此時的電壓。

　　當輸人電壓為＋5v(iin＝5pa)時，積分器輸出向負電位積分，變?yōu)閕in＝0時，輸出電壓再被保持。圖中(a)中，積分電容使用無誤的薄膜電容，所以可實現(xiàn)正確的動作。

　　圖1 積分電容使用1μf電容時的輸人輸出波形

　　圖1(b)和(a)中的電容相同，是使用有極性鋁電解電容(1pμf、50wv)的輸入輸出波形。輸人－5v時的積分動作正常，但應(yīng)保持的時間隨著時間的經(jīng)過電壓在下降。另外，當積分輸出變成負電位時，電容上由于加有負電壓，所以充電動作很奇怪。由于絕緣電阻急劇下降(有極性的電容)，所以所保持的電位也逐漸變?yōu)?。

　　(a)是直接并聯(lián)2個2.2μf的鋁電解電容，使用無極性電容時的輸人輸出波形。雖然負輸出的響應(yīng)變好，但隨著時間的經(jīng)過，電壓下降的傾向沒有被改善。這是由于鋁電解電容的特性，絕緣電阻低即施加電壓時泄漏的原因造成。高溫時的泄漏會變得更大。

　　相同的電解電容，鉭電解電容與鋁電解電容相比泄漏就很少。圖(d)是并聯(lián)連接2個2.2μf的鉭電解電容，無極性電容時的輸人輸出波形。電壓下降率確實被改善，但還不如薄膜電容。

　　所以，積分等電路中使用薄膜電容是常識。

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