高頻開關(guān)電源中用了多種磁元件，有一些基本的問題還需要研究解決。例如：

　�。�1）隨著開關(guān)電源的高頻化，在低頻下可以忽略的某些寄生參數(shù)，在高頻下將會對某些電路性能（如開關(guān)尖峰能量、噪聲水平等）產(chǎn)生影響。尤其是磁元件的渦流、漏電感、繞組交流電阻rac和分布電容等，在低頻和高頻下的表現(xiàn)有很大的差別。雖然磁理論的研究已經(jīng)有多年的歷史，但高頻磁技術(shù)理論作為電力電子學(xué)的學(xué)科前沿問題，應(yīng)當受到人們的廣泛重視。例如，磁心損耗的數(shù)學(xué)建模、磁滯回線的仿真建模、高頻磁元件的計算機仿真建模和cad、高頻變壓器一維和二維仿真建模等。有待研究的問題還有：高頻磁元件的設(shè)計決定了高效率開關(guān)電源的性能、損耗分布和波形等，人們需要的是希望給出設(shè)計準則、方法、磁參數(shù)和結(jié)構(gòu)參數(shù)與電路性能的依賴關(guān)系，明確設(shè)計的自由度與約束條件等。

　　（2）對于高頻磁性元件所用的磁性材料有如下的要求：損耗小，散熱性能好，磁性能優(yōu)越。適用于兆赫級頻率的磁性材料為人們所關(guān)注，如5～6 ms超薄鈷基非晶態(tài)磁帶，1mhz（bm=0.1t）時，比損耗僅為0.7～1w/cm3，是mnzn高頻鐵氧體的1/3～1/4。納米結(jié)晶軟磁薄膜（fi1m）也在研究和開發(fā)中應(yīng)用。

　�。�3）研究磁電混合集成技術(shù)，如利用電感箔式繞組層間分布電容，實現(xiàn)磁性元件與電容混合集成；將鐵氧體或其他薄膜材料高密度集成在硅片上（ferrite on si1icon），或?qū)⒐璨牧霞稍阼F氧體上（silicon on ferrite）等。

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