對開關(guān)管的要求是快速開通、快速關(guān)斷，只有快速地進行狀態(tài)轉(zhuǎn)換才符合pwm dc/dc轉(zhuǎn)換器的工作需要，才會使開關(guān)過程中的交疊損耗減小。 pwm dc/dc轉(zhuǎn)換器常用的開關(guān)管有兩種：一種是功率場效應管mosfet；另一種是絕緣柵雙極晶體管igbt。

　　n型溝道m(xù)osfet的電路圖形符號及其結(jié)構(gòu)如圖所示。這是一種場控器件，各電極的作用類似于npn型晶體管。漏極d相當于集電極c，源極s相當 于發(fā)射極e，柵極g相當于基極b。最顯著的區(qū)別是：mosfet管是電壓控制式開關(guān)器件，柵一源之間只需幾伏的電壓（不需要靜態(tài)電流），就可以控 制它的輸出電壓和輸出電流。

　　如圖 n型溝道m(xù)osfet的電路圖形符號及其結(jié)構(gòu)

　　功率mosfet的結(jié)構(gòu)，是由大量細小的元包（如105個/cm2）（mosfet單體）并聯(lián)組成的，元包結(jié)構(gòu)如圖所示。采用新工藝的縱向（垂直）導電溝道型可以減小通態(tài)電阻。源極和漏極在溝道兩側(cè)擴散而成，用二氧化硅使柵極與溝道絕緣。

　　場控的原理是：柵極g與源極s之間外加控制電壓時，產(chǎn)生電場控制，溝道變成與源極s和漏極d同樣類型的半導體，就消去了pn結(jié)，使漏極d和源極s之間可以通過大電流。

　　晶體管部分多子器件，沒有pn結(jié)的存儲效應，開關(guān)速度快。

　　晶體管部分電流的方向，取決于外電路，正、負方向都可以通過電流。

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