由于引線互連帶來的種種問題，人們開始研究如何改進(jìn)互連技術(shù)，以避免采用引線。1995年以后，陸續(xù)開發(fā)出了一些無引線的集成功率模塊，其特點(diǎn)是：互連結(jié)構(gòu)的電感小、散熱好、封裝牢固等。圖1（a）、圖1（b）、圖1（c）分別給出了三種不同引線鍵合（non-wire bond）的集成功率模塊技術(shù)：（a）嵌人功率器件（cpes，1999），（b）層疊式器件poweroverlay，（c）倒裝芯片法（參考apec⒛00）。嵌入功率器件的平面金屬化封裝技術(shù)是其中較好的一種。

　　圖1 不用引線鍵合的集成功率模塊

　　圖2給出了一個(gè)集成模塊的剖面圖，應(yīng)用了嵌入功率器件的多層集成封裝技術(shù)。包括：散熱板、基板、絕緣傳熱材料、功率母線、功率器件、銅層、陶瓷、集成無源模塊、金屬層、表面貼裝芯片（驅(qū)動(dòng)、檢測及保護(hù)元件）等。這種三維多層集成封裝技術(shù)，將功率模塊、集成電路等做成三明治（sandwich）結(jié)構(gòu)形式。

　　圖2 嵌入功率器件的多層集成封裝的剖面圖

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