串聯(lián)PNP型晶體管的低壓線性調(diào)節(jié)器
發(fā)布時(shí)間:2008/10/6 0:00:00 訪問(wèn)次數(shù):1139
串聯(lián)pnp型晶體管的線性調(diào)節(jié)器最小壓差可以降至1v,甚至0.5v。其原因結(jié)合如圖說(shuō)明如下。
如圖a 串聯(lián)npn型晶體管的線性調(diào)節(jié)器和pnp型晶體管的線性調(diào)節(jié)器
如圖a為串聯(lián)npn型晶體管的情況。晶體管基極要求注入電流,產(chǎn)生電流的電壓必須高于(uo+ube),約為(uo+1v)。若基極串聯(lián)一個(gè)電阻,則電阻的輸人端電壓必須高于(uo+1v)以使電流流過(guò)。而最經(jīng)濟(jì)易行的方法是用串接晶體管的供電電壓(初始直流電壓)向基極電阻供電。
但是,初始直流電壓(市電電壓低限輸入時(shí)對(duì)應(yīng)的紋波谷值)不能與(uo+1v)(額定基極輸入電壓)太接近。若太接近,則串聯(lián)電阻rb的阻值必須很小,以使大電流輸出時(shí)仍可以提供足夠的基極電流。但這樣做在市電電壓高限輸入(udc-uo)很大時(shí),rb將向基極提供過(guò)大的電流使大量電流轉(zhuǎn)向電流放大器而加大其損耗。
正是因?yàn)榇嬖谏鲜鰡?wèn)題,所以要求市電電壓低限輸人時(shí),對(duì)應(yīng)的紋波谷值電壓必須比輸出電壓保有2.5v(而非1v)最小壓差。這樣做就使rb基本成為恒流電阻,使流過(guò)rb的電流在整個(gè)輸入市電電壓的波動(dòng)范圍內(nèi)基本不變。
然而若串聯(lián)pnp型晶體管,如圖b所示,則由于驅(qū)動(dòng)電流是向外流動(dòng),并且是流入電流放大器的,所以不會(huì)出現(xiàn)上述問(wèn)題。udc和uo的差值只受串聯(lián)晶體管uce-ic曲線彎度(knee)的影響。它使串聯(lián)pnp型晶體管時(shí)的最小壓差可以降至1v甚至0.5v,從而減少損耗提高了效率。但就集成電路制造工藝而言,在同樣芯片上集成較大電流的pnp型晶體管要比集成較小電流的npn型晶體管更困難。
歡迎轉(zhuǎn)載,信息來(lái)自維庫(kù)電子市場(chǎng)網(wǎng)(www.dzsc.com)
串聯(lián)pnp型晶體管的線性調(diào)節(jié)器最小壓差可以降至1v,甚至0.5v。其原因結(jié)合如圖說(shuō)明如下。
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如圖a為串聯(lián)npn型晶體管的情況。晶體管基極要求注入電流,產(chǎn)生電流的電壓必須高于(uo+ube),約為(uo+1v)。若基極串聯(lián)一個(gè)電阻,則電阻的輸人端電壓必須高于(uo+1v)以使電流流過(guò)。而最經(jīng)濟(jì)易行的方法是用串接晶體管的供電電壓(初始直流電壓)向基極電阻供電。
但是,初始直流電壓(市電電壓低限輸入時(shí)對(duì)應(yīng)的紋波谷值)不能與(uo+1v)(額定基極輸入電壓)太接近。若太接近,則串聯(lián)電阻rb的阻值必須很小,以使大電流輸出時(shí)仍可以提供足夠的基極電流。但這樣做在市電電壓高限輸入(udc-uo)很大時(shí),rb將向基極提供過(guò)大的電流使大量電流轉(zhuǎn)向電流放大器而加大其損耗。
正是因?yàn)榇嬖谏鲜鰡?wèn)題,所以要求市電電壓低限輸人時(shí),對(duì)應(yīng)的紋波谷值電壓必須比輸出電壓保有2.5v(而非1v)最小壓差。這樣做就使rb基本成為恒流電阻,使流過(guò)rb的電流在整個(gè)輸入市電電壓的波動(dòng)范圍內(nèi)基本不變。
然而若串聯(lián)pnp型晶體管,如圖b所示,則由于驅(qū)動(dòng)電流是向外流動(dòng),并且是流入電流放大器的,所以不會(huì)出現(xiàn)上述問(wèn)題。udc和uo的差值只受串聯(lián)晶體管uce-ic曲線彎度(knee)的影響。它使串聯(lián)pnp型晶體管時(shí)的最小壓差可以降至1v甚至0.5v,從而減少損耗提高了效率。但就集成電路制造工藝而言,在同樣芯片上集成較大電流的pnp型晶體管要比集成較小電流的npn型晶體管更困難。
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