輻射EMI的抑制措施
發(fā)布時(shí)間:2008/10/10 0:00:00 訪問(wèn)次數(shù):748
要降低輻射干擾,可以應(yīng)用電壓緩沖電路,如在開(kāi)關(guān)管兩端并聯(lián)rod緩沖電路,或電流緩沖電路,如在開(kāi)關(guān)管的集電極上串聯(lián)20~80μh的電感。 |
開(kāi)關(guān)管的集電極是一個(gè)強(qiáng)干擾源9開(kāi)關(guān)管的散熱片應(yīng)接到集電極上,以確保集電極與散熱片之間由于分布電容而產(chǎn)生的電流流入主電路中。為了減小散熱片和機(jī)殼之間的分布電容,散熱片應(yīng)盡量遠(yuǎn)離機(jī)殼,如有條件的話可以采用有屏蔽措施的散熱片。整流二極管應(yīng)采用恢復(fù)電荷小,且反向恢復(fù)時(shí)間短的二極管,如肖特基二極管,最好是選用反向恢復(fù)為軟特性的二極管。另外,在肖特基管兩端套上磁珠和并聯(lián)rc吸收網(wǎng)絡(luò)都可以減小干擾。電阻、電容的取值可以是幾歐姆和數(shù)千微微法,電容的引線應(yīng)盡可能短,以減小引線電感。
負(fù)載電流越大、二極管的反向恢復(fù)時(shí)間也越長(zhǎng),則尖峰電流的影響也越大。采用多個(gè)二極管并聯(lián)分擔(dān),可以降低短路尖峰電流的影響。
開(kāi)關(guān)電源必須屏蔽,采用模塊式全密封結(jié)構(gòu),一般用1mm以上厚度的鍍鋅鋼板,屏蔽層必須良好接地,可以抑制干擾的電磁耦合。將高頻脈沖變壓器、輸出濾波電感等磁性元件加上屏蔽罩,可以將磁力線限制在磁阻小的屏蔽體內(nèi)。
例如,對(duì)于輻射干擾超過(guò)標(biāo)準(zhǔn)限值20db的某開(kāi)關(guān)電源,采用了如下一些在實(shí)驗(yàn)室容易實(shí)現(xiàn)的措施進(jìn)行了改進(jìn):
。1)在所有整流二極管兩端并聯(lián)470pf的電容;
。2)在開(kāi)關(guān)管的g極輸入端并聯(lián)50pf的電容,與原有的39ω電阻形成一個(gè)rc低通濾波器;
。3)在各輸出濾波電容(電解電容)上并聯(lián)0.01 pf電容;
。4)在整流二極管引腳上套一個(gè)小磁珠;
(5)改善屏蔽體的接地。
經(jīng)過(guò)上述改進(jìn)后,此電源就可以通過(guò)輻射干擾測(cè)試的限值要求
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開(kāi)關(guān)管的集電極是一個(gè)強(qiáng)干擾源9開(kāi)關(guān)管的散熱片應(yīng)接到集電極上,以確保集電極與散熱片之間由于分布電容而產(chǎn)生的電流流入主電路中。為了減小散熱片和機(jī)殼之間的分布電容,散熱片應(yīng)盡量遠(yuǎn)離機(jī)殼,如有條件的話可以采用有屏蔽措施的散熱片。整流二極管應(yīng)采用恢復(fù)電荷小,且反向恢復(fù)時(shí)間短的二極管,如肖特基二極管,最好是選用反向恢復(fù)為軟特性的二極管。另外,在肖特基管兩端套上磁珠和并聯(lián)rc吸收網(wǎng)絡(luò)都可以減小干擾。電阻、電容的取值可以是幾歐姆和數(shù)千微微法,電容的引線應(yīng)盡可能短,以減小引線電感。
負(fù)載電流越大、二極管的反向恢復(fù)時(shí)間也越長(zhǎng),則尖峰電流的影響也越大。采用多個(gè)二極管并聯(lián)分擔(dān),可以降低短路尖峰電流的影響。
開(kāi)關(guān)電源必須屏蔽,采用模塊式全密封結(jié)構(gòu),一般用1mm以上厚度的鍍鋅鋼板,屏蔽層必須良好接地,可以抑制干擾的電磁耦合。將高頻脈沖變壓器、輸出濾波電感等磁性元件加上屏蔽罩,可以將磁力線限制在磁阻小的屏蔽體內(nèi)。
例如,對(duì)于輻射干擾超過(guò)標(biāo)準(zhǔn)限值20db的某開(kāi)關(guān)電源,采用了如下一些在實(shí)驗(yàn)室容易實(shí)現(xiàn)的措施進(jìn)行了改進(jìn):
(1)在所有整流二極管兩端并聯(lián)470pf的電容;
(2)在開(kāi)關(guān)管的g極輸入端并聯(lián)50pf的電容,與原有的39ω電阻形成一個(gè)rc低通濾波器;
。3)在各輸出濾波電容(電解電容)上并聯(lián)0.01 pf電容;
。4)在整流二極管引腳上套一個(gè)小磁珠;
(5)改善屏蔽體的接地。
經(jīng)過(guò)上述改進(jìn)后,此電源就可以通過(guò)輻射干擾測(cè)試的限值要求
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