對于一個給定電路，即di/dt不變的情況下，要減小同步開關(guān)噪聲就得盡量減小回路的等效電感l(wèi)eff。可以把leff劃分為3個部分：芯片內(nèi)部開關(guān)輸出回路等效電感l(wèi)eff,p；芯片外部開關(guān)驅(qū)動從高電平到低電平輸出的回路等效電感l(wèi)eff,hl；芯片外部開關(guān)驅(qū)動從低電平到高電平輸出的回路等效電感l(wèi)eff,lh。

　　由于芯片外同步開關(guān)在工作的時候，1到0的變化與0到1的變化同時存在，并且跳變不一致，因而導(dǎo)致某些回流方向相反，會因耦合而降低等效電感。在實際分析中，為了預(yù)測最壞的可能，都把所有的同步開關(guān)狀態(tài)按一致變化情況處理。

　　芯片封裝問題是導(dǎo)致同步開關(guān)噪聲的根源，除此之外還有接插件和連接器。如何比較芯片封裝的優(yōu)劣，上面介紹的信號回路等效電感l(wèi)eff就是一個很好的參考指標(biāo)，一般leff越大，意味著同步開關(guān)噪聲也越大。如表所示舉例分析了兩種封裝的等效電感。但在實際應(yīng)用中，為了權(quán)衡電源穩(wěn)定性和信號干擾之間的重要性，leff大也并不代表封裝質(zhì)量很差。

　　表 信號回路等效電感l(wèi)eff評估芯片封裝舉例

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