隨著半導體技術的飛速發(fā)展，對封裝材料的要求也越來越高，以前應用的普通環(huán)氧樹脂已不能完全滿足技術要求。目前國外對環(huán)氧樹脂的技術改進主要集中在以下兩個方面。

1、低粘度化 用環(huán)氧樹脂封裝成型的半導體器件是由不同的線膨脹系數的材料組成的。在封裝器件內部，由于成型固化收縮和熱收縮而產生的熱應力，是強度下降、老化開裂、封裝裂紋、空洞、鈍化、離層等各種缺陷的主要原因。而低粘度化的主要目的就是降低封裝樹脂的內應力，使其具有高填充性和可靠性，以使封裝器件具有高可靠性。可采用的方法主要有三種：(1)降低封裝材料的玻璃化溫度；(2)降低封裝材料的模量；(3)降低封裝材料的線膨脹系數。但是當采用上述方法(1)、(2)時，在降低玻璃化溫度的同時，也降低了封裝材料的耐熱性，最后的結果是封裝器件的可靠性也降低了。比較而言，方法(3)是比較理想的，現在已成為降低內應力的主要方法。該方法通常是在環(huán)氧樹脂中添加大量的二氧化硅之類的無機填充劑粉末，大幅度降低封裝材料的線膨脹系數，達到降低內應力的目的。為了使填充的大量無機填充劑均勻，要求環(huán)氧樹脂粘度低或熔融粘度低，只有這樣才能使封裝材料具有優(yōu)良的流動性，使封裝器件實現小型、薄型化，既具有高性能，又具有低應力。

2、提高耐熱性、降低吸水串 近年來，隨著電子領域高密度安裝技術的迅速發(fā)展，采用薄型化封裝的越來越多。但是當這種薄型封裝器件安裝到印刷線路板上時，要把封裝件整體放到錫浴中浸漬，這種焊接工藝要經受200℃以上的高溫，此外，在航天航空、國防等高科技領域，由于使用環(huán)境的惡劣，要求封裝材料必須具備高耐熱性。為了提高封裝材料的耐熱性，一般是要提高封裝材料的交聯(lián)度。另外，在環(huán)氧樹脂的結構中導入奈環(huán)、恿環(huán)等多環(huán)基，或者在二聚環(huán)戊二烯骨架中導入酚基也可達到提高耐熱性的目的。很顯然多官能團型的環(huán)氧樹脂是有利于提高封裝材料的交聯(lián)度的。 隨著封裝器件的高性能化，要求環(huán)氧樹脂不僅要具有高耐熱性，還必須具有低吸水率。如果所用環(huán)氧樹脂封裝材料的耐濕性不好，則封裝件金屬配線易被腐蝕鈍化；另一方面，如果封裝件處在高溫高濕環(huán)境中，則水分易從封裝材料和引出線框界面或孔隙處浸入，使配線結構產生松動等不良缺陷。為了降低封裝材料的吸水率，在環(huán)氧樹脂結構中盡量減少經基和醚基等極性大的基團濃度，導入極性小的C—H鍵和憎水性較大的含硅和含氟結構。 提高耐熱性和降低吸水率是一對矛盾。因為提高封裝材料的耐熱性，一般是要提高封裝材料的交聯(lián)度。但是，封裝材料的自由體積也增加了，導致吸水率也提高了。這就需要在二者中找到最佳平衡值，既使封裝材料具有高耐熱性，又具有低吸水率。經實驗證明：最好采用官能團數多，分子量大的原料與環(huán)氧氯丙烷反應后形成縮水甘油醚，這類原料包括聯(lián)苯、榮和脂肪族多環(huán)化合物(如二聚環(huán)戊二烯)。此外，添加填料對防止水分滲透是有利的，但是增加填料含量是有限度的，太多的填料容易引起塑封料熔融粘度上升，影響到塑封料的成型性能。

環(huán)氧樹脂在電子封裝材料中有著極其重要的作用，但是為了適應半導體技術的飛速發(fā)展，封裝材料技術也在不斷地進步。目前國外高性能封裝材料的需求和開發(fā)正向以下兩個方面發(fā)展：(1)開發(fā)低粘度或熔融粘度低的二官能團型的環(huán)氧樹脂，通過填充高含量無機填充劑，大幅度降低封裝器件的內應力，減少鈍化開裂、配線松動和導線斷裂等不良缺陷；(2)開發(fā)多宮能團型的環(huán)氧樹脂，同時在環(huán)氧樹脂中導入耐熱和耐濕結構的化合物，使封裝器件既具有高耐熱性，又具有低吸水率和低的內應力。