選擇氧化技術(shù)最初是應(yīng)用于邊發(fā)射激光器領(lǐng)域中，后來才被引入到vcsel的制作中，如圖1所示。其原理是將高a1組分的a1，ga；￣，as在350～500℃下與水汽反應(yīng)生成化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定、絕緣性能良好且折射率低的氧化層。由于這種結(jié)構(gòu)對(duì)光子和電子都能進(jìn)行有效的橫向限制，因此得到了廣泛的關(guān)注。

　　圖1 半導(dǎo)體vcsel選擇氧化型

　　構(gòu)造選擇氧化型vcsel，要預(yù)先設(shè)計(jì)好氧化后各層的組成及分布情況，以此來決定氧化的速率，而且希望在鄰近諧振腔的algaas層上能夠得到大的氧化范圍，即小的氧化孔徑，如圖2所示。

　　圖2 選擇氧化型vcsel剖面圖

　　通過在vcsel中進(jìn)行a1組分的選擇氧化，構(gòu)成一個(gè)或者多個(gè)掩埋氧化層，利用氧化層良好的絕緣性，以及低的折射率特性，有效地約束了光子和電子的橫向擴(kuò)散范圍。

　　在mocvd的選擇氧化型vcsel制作流程的第一步是制作電極，然后用硅的氮化物掩模將電極覆蓋住進(jìn)行下一步的刻蝕。通常采用反應(yīng)離子束刻蝕法（rie），將vcsel刻蝕成一個(gè)臺(tái)面結(jié)構(gòu)，露出氧化層。氧化層的面積由該層的組分結(jié)構(gòu)及氧化的時(shí)間所決定。例如，在440℃下，a10.98ga0.02as氧化速率在1μm／min左右。氧化完成后要將氮化物掩膜除去，以便進(jìn)行激光的性能測試。

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