制作折射率導(dǎo)引型結(jié)構(gòu)的vcsel，需要改變光腔周圍的折射率。這可以通過(guò)刻蝕／再生長(zhǎng)工藝來(lái)實(shí)現(xiàn)，其基本原理就是在光腔周圍生成一個(gè)新的半導(dǎo)體材料（折射率也隨之變化），起到光場(chǎng)的橫向限制作用，如圖所示。具體步驟為先制作刻蝕掩模（sio2，sinx），將光腔刻蝕成柱型，然后在刻蝕掉的地方通過(guò)再次外延工藝生長(zhǎng)出新的材料。

　　刻蝕／再生長(zhǎng)結(jié)構(gòu)除了對(duì)出射光有著良好的限制作用外，還可以對(duì)注入電流進(jìn)行有效的橫向限制，并且鈍化有源區(qū)的側(cè)面及有著良好的熱沉特性。然而，由于構(gòu)成dbr的algaas非常容易受到諸如化學(xué)工藝、離子轟擊及空氣氧化等因素的影響，這些都會(huì)對(duì)外延生長(zhǎng)造成影響。尤其是algaas表面氧化層非常難去除。因此在進(jìn)行外延生長(zhǎng)工藝之前，需要進(jìn)行特殊的清除及刻蝕處理，并避免將器件暴露在空氣中。

　　在高a1組分的vcsel上進(jìn)行再生長(zhǎng)的可行方法有3種。

　　第一種方法是掩埋異質(zhì)結(jié)型vcsel，先用干法刻蝕，再用液相外延（lpe）生長(zhǎng)。只是lpe中所用到的回熔清除工藝難以控制，不利于制作小尺寸的vcsel。而且lpe只能再gaas上外延生長(zhǎng)，因此需要非常深的刻蝕（≥8 μm），并且還要再生長(zhǎng)幾個(gè)；μm的材料才能覆蓋諧振腔。

　　第二種方法是原位干法刻蝕和mbe再生長(zhǎng)。將刻蝕設(shè)備和mbe的生長(zhǎng)室用一個(gè)超高真空環(huán)境的傳送裝置連接，以避免a1gaas表面與空氣的接觸。采用此工藝可以得到良好的生長(zhǎng)質(zhì)量，不好的方面是，整個(gè)設(shè)備都需要置于真空環(huán)境中，操作復(fù)雜且成本較高。

　　第三種方法是先用干法刻蝕和化學(xué)刻蝕去除光腔周圍的材料，然后再用mocvd外延生長(zhǎng)。mocvd的一個(gè)主要優(yōu)點(diǎn)就是可以選擇區(qū)域生長(zhǎng)（可以抑制在掩模材料上生長(zhǎng)），因此被看做是一個(gè)理想的制作平臺(tái)。然而，用mocvd在高al組分algaas上再生長(zhǎng)，需要預(yù)先進(jìn)行嚴(yán)格的非選擇性和控制性良好的刻蝕工藝。比較好的辦法就是在干法刻蝕完成后，再用濕法刻蝕去掉氧化層，之后立刻送入mocvd反應(yīng)室。

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