cmos圖像傳感器的像素結構目前主要有無源像素圖像傳感器（passive pixel sensor，pps）和有源像素圖像傳感器（active pixel sensor，aps）兩種，如圖1所示。由于pps信噪比低、成像質量差，所以目前絕大多數cmos圖像傳感器采用的是aps結構。aps結構的像素內部包含一個有源器件。由于該放大器在像素內部具有放大和緩沖功能，具有良好的消噪功能，且電荷不需要像ccd器件那樣經過遠距離移位到達輸出放大器，因此避免了所有與電荷轉移有關的ccd器件的缺陷。

　　圖1 cmos的兩種像素結構

　　由于每個放大器僅在讀出期間被激發(fā)，所以將經光電轉換后的信號在像素內放大，然后用x－y地址方式讀出，提高了固體圖像傳感器的靈敏度。aps像素單元有放大器，它不受電荷轉移效率的限制，速度快，圖像質量較pps得到了明顯地改善。但是與pps相比，aps的像素尺寸較大、填充系數小，所設計的填充系數典型值為0.2～0.3。

　　一個典型的cmos圖像傳感器的總體結構如圖2所示。在同一芯片上集成有模擬信號處理電路、i(2)c控制接口、曝光／白平衡控制、視頻時序產生電路、數字轉換電路、行選擇、列選擇及放大和光敏單元陣列。芯片上的模擬信號處理電路主要執(zhí)行相關雙采樣（correlateddouble sampling，cds）功能。芯片上的a／d轉換器可以分為像素級、列級和芯片級幾種情況，即每一個像素有一個a／d轉換器，每一個列像素有一個a／d轉換器，或者每一個感光陣列有一個a／d轉換器。由于受芯片尺寸的限制，所以像素級的a／d轉換器不易實現。cmos片內部提供了一系列控制寄存器，通過總線編程（如pc總線）來對自增益、自動曝光、白色平衡、／校正等功能進行控制，編程簡單、控制靈活。直接輸出的數字圖像信號可以很方便地與后續(xù)處理電路接口，供數字信號處理器對其進行處理。

　　圖2 cmos芯片組成方框圖

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