系統(tǒng)中所采用的nand-flash芯片是samsung公司的k9f2808u。該器件存儲容量為16m×8位，除此之外還有512k×8位的空閑存儲區(qū)。該器件采用tssop48封裝，工作電壓為2.7～3.6v。8位i／o端口采用地址、數(shù)據(jù)和命令復用的方法，這樣既可減少引腳數(shù)，又可使接口電路簡捷。

　　由于arm系統(tǒng)沒有nand-hash控制所需要的cle、ale信號，因此需要利用arm的通用gpio口。具體的連接電路如圖所示。

　　圖 nand flash模塊

　　nand－flash引腳定義如表所示。

　　表 nand-flash引腳定義

　　·命令鎖存使能（cle），使輸入的命令發(fā)送到命令寄存器。當變?yōu)楦唠娖綍r，在we上升沿命令通過iio口鎖存到命令寄存器。

　　·地址鎖存使能（ale），控制地址輸入到片內(nèi)的地址寄存器中，地址是在we的上升沿被鎖存的。

　　·片選使能（ce），用于器件的選擇控制。在讀操作、cb變?yōu)楦唠娖綍r，器件返回到備用狀態(tài)；然而，當器件在寫操作或擦除操作過程中保持忙狀態(tài)時，ce的變高將被忽略，不會返回到備用狀態(tài)。

　　·寫使能（we），用于控制把命令、地址和數(shù)據(jù)在它的上升沿寫入到i／o端口；而在讀操作時必須保持高電平。

　　·讀使能（re），控制把數(shù)據(jù)放到i／o總線上，在它的下降沿trea時間后數(shù)據(jù)有效； 同時使內(nèi)部的列地址自動加1。

　　·i／o端口，用于命令、地址和數(shù)據(jù)的輸入及讀操作時的數(shù)據(jù)輸出。當芯片未選中時， i／o口為高阻態(tài)。

　　·工寫保護（wp），禁止寫操作和擦除操作。當它有效時，內(nèi)部的高壓生成器將會復位。

　　·準備／忙（r／b），反映當前器件的狀態(tài)。低電平時，表示寫操作或擦除操作以及隨機讀正進行中；當它變?yōu)楦唠娖綍r，表示這些操作已經(jīng)完成。它采用了開漏輸出結(jié)構(gòu)，在芯片未選中時不會保持高阻態(tài)。

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