向flash存儲器的特定寄存器寫入地址和數(shù)據(jù)命令，就可對flash存儲器進行燒寫、擦除等操作，但操作必須按照一定的順序，否則就會導致flash存儲器復位而使操作命令無法完成。編程指令只能使“1”變?yōu)椤?”，而擦除命令可使“0”變?yōu)椤?”，因此正確的操作順序是先擦除，后編程p當flash存儲器被擦除以后，讀出的內(nèi)容應全為0xff。

　　對flash操作的程序流程如圖所示。

　　圖 對flash的操作流程

　　系統(tǒng)啟動后，對系統(tǒng)關鍵設備（包括arm、sdram、nor-flash和nand-flash等）進行初始化操作，然后啟動boot－loader，將nand-fash上的linux內(nèi)核讀入sdram執(zhí)行。

　　初始化時，除了對hash內(nèi)部寄存器進行初始化設置外，還需要設置arm的寄存器。

　　歡迎轉(zhuǎn)載,信息來自維庫電子市場網(wǎng)（www.dzsc.com）