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采用P通道MOSFET管和電源監(jiān)測(cè)電路

發(fā)布時(shí)間:2009/1/10 0:00:00 訪問次數(shù):650

  如果選用沒有穩(wěn)定狀態(tài)輸出(pg)功能的dc/dc,則可以外部增加1個(gè)電源監(jiān)測(cè)(svs)器件實(shí)現(xiàn)pg的功能,同時(shí)使 用p通道m(xù)osfet管作為電源分配開關(guān)實(shí)現(xiàn)上電次序的控制,如圖1所示。


 圖1 采用p通道m(xù)osfet管和輸入電源監(jiān)測(cè)電路

  在上電過程中,i/o供電電源經(jīng)過mosfet管連接到外部電源上,外部電源通過dc/dc模塊變換后作為內(nèi)核電源。 dc/dc模塊為dsp內(nèi)核(或多個(gè)dsp)以及系統(tǒng)電路供電,根據(jù)需要可以選用線性電源也可以選用開關(guān)電源。采用電 源監(jiān)測(cè)的方法,在外部輸人3.3 v電源達(dá)到監(jiān)測(cè)電路的閥值后,會(huì)自動(dòng)產(chǎn)生一個(gè)zoo ms(一般情況)的低復(fù)位信號(hào) ,可以利用該復(fù)位信號(hào)控制ijo的上電。由于輸人電壓上電200 ms后i/o才上電,因此,只有系統(tǒng)上電20o ms內(nèi)內(nèi)核 供電電壓達(dá)到穩(wěn)定才能夠正確地控制上電次序,但對(duì)一般系統(tǒng)而言,200 ms是可以滿足要求的。

  在掉電過程中,電源監(jiān)測(cè)(svs)單元檢測(cè)到外部電壓斷開,從而使reset輸出高電平關(guān)閉mosfet管,斷開i/o單元 的供電電源。為了在i/o掉電后內(nèi)核電源才切斷,要求外部供電電路掉電時(shí)電壓是逐漸衰減的,只有這樣才能夠滿足系統(tǒng)的電源掉電次序。

  上述方法是監(jiān)測(cè)系統(tǒng)的輸人電壓,實(shí)際上也可以選擇直接檢測(cè)dsp的內(nèi)核電壓,如圖2所示,這樣就不需要⒛0 ms的延時(shí)。在上電過程中,dsp內(nèi)核電壓正常200 ms后才會(huì)給i/o供電;在掉電過程中,一旦內(nèi)核電壓低于監(jiān)測(cè)電路的閥值將會(huì)自動(dòng)關(guān)閉mosfet管,斷開i/o電源。


 圖2 采用p通道m(xù)osfet管和內(nèi)核電源監(jiān)測(cè)電路

  歡迎轉(zhuǎn)載,信息來源維庫(kù)電子市場(chǎng)網(wǎng)(www.dzsc.com)



  如果選用沒有穩(wěn)定狀態(tài)輸出(pg)功能的dc/dc,則可以外部增加1個(gè)電源監(jiān)測(cè)(svs)器件實(shí)現(xiàn)pg的功能,同時(shí)使 用p通道m(xù)osfet管作為電源分配開關(guān)實(shí)現(xiàn)上電次序的控制,如圖1所示。


 圖1 采用p通道m(xù)osfet管和輸入電源監(jiān)測(cè)電路

  在上電過程中,i/o供電電源經(jīng)過mosfet管連接到外部電源上,外部電源通過dc/dc模塊變換后作為內(nèi)核電源。 dc/dc模塊為dsp內(nèi)核(或多個(gè)dsp)以及系統(tǒng)電路供電,根據(jù)需要可以選用線性電源也可以選用開關(guān)電源。采用電 源監(jiān)測(cè)的方法,在外部輸人3.3 v電源達(dá)到監(jiān)測(cè)電路的閥值后,會(huì)自動(dòng)產(chǎn)生一個(gè)zoo ms(一般情況)的低復(fù)位信號(hào) ,可以利用該復(fù)位信號(hào)控制ijo的上電。由于輸人電壓上電200 ms后i/o才上電,因此,只有系統(tǒng)上電20o ms內(nèi)內(nèi)核 供電電壓達(dá)到穩(wěn)定才能夠正確地控制上電次序,但對(duì)一般系統(tǒng)而言,200 ms是可以滿足要求的。

  在掉電過程中,電源監(jiān)測(cè)(svs)單元檢測(cè)到外部電壓斷開,從而使reset輸出高電平關(guān)閉mosfet管,斷開i/o單元 的供電電源。為了在i/o掉電后內(nèi)核電源才切斷,要求外部供電電路掉電時(shí)電壓是逐漸衰減的,只有這樣才能夠滿足系統(tǒng)的電源掉電次序。

  上述方法是監(jiān)測(cè)系統(tǒng)的輸人電壓,實(shí)際上也可以選擇直接檢測(cè)dsp的內(nèi)核電壓,如圖2所示,這樣就不需要⒛0 ms的延時(shí)。在上電過程中,dsp內(nèi)核電壓正常200 ms后才會(huì)給i/o供電;在掉電過程中,一旦內(nèi)核電壓低于監(jiān)測(cè)電路的閥值將會(huì)自動(dòng)關(guān)閉mosfet管,斷開i/o電源。


 圖2 采用p通道m(xù)osfet管和內(nèi)核電源監(jiān)測(cè)電路

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