這種方法相對其他方法具有原理簡單、增加輔助器件少的特點，通過采用p通道m(xù)osfet管和具有穩(wěn)定標(biāo)識輸出的 dc/dc電源模塊來實現(xiàn)。p通道m(xù)osfet管作為電源分配開關(guān)，dc/dc的電源的穩(wěn)定狀態(tài)輸出引腳（pg：低電平表示電 源達(dá)到理想值）作為電源分配開關(guān)的控制信號，控制dsp的i/o供電，如圖1所示。

　　在上電過程中，i/o供電電源經(jīng)過mosfet管連接到外部電源上，外部電源通過dc/dc模塊變換后作為內(nèi)核電源。只 有當(dāng)內(nèi)核電源的穩(wěn)定狀態(tài)輸出引腳輸出低電平時，才會接通外部i/o電源，保證了內(nèi)核先于i/o供電。

　　在掉電過程中，由于外部供電線路中某些容性器件的存在，外部電源電壓由正常值到0狀態(tài)會有一個過程。因此， 當(dāng)外部電源降低到dc/dc模塊的輸出電壓以下時，穩(wěn)定狀態(tài)輸出引腳（pg）會輸出高電平從而關(guān)閉mosfet，關(guān)閉i/o電源。然后外部電源繼續(xù)降低，dc/dc輸出也隨之降低從而使內(nèi)核電源斷電。這樣就控制了系統(tǒng)的掉電次序。

　圖1 內(nèi)核和i/o電源均為3.3 v供電的dsp系統(tǒng)

　　這種方法采用p通道m(xù)osfet管作為電源分配開關(guān)，以514465為例，該器件有一個大約9 mω的回流吸收電阻。當(dāng)g端電壓大于2.5 v時（so-8封裝），mosfet管導(dǎo)通允許有幾安培的電流。對于不同封裝的514465器件，導(dǎo)通電壓和最大允許的電流也有所區(qū)別，可以根據(jù)需要選擇合適的封裝。此外，選擇p通道m(xù)osfet管也要注意其內(nèi)阻，必須保證內(nèi)阻上的壓降不能大于通過mosfet管電壓的1％～2％。此外，在電路設(shè)計時還必須保證pg能夠正確地打開mosfet管。由于大部分器件的pg都是集電極開路（open drain），為保證當(dāng)pg處于高阻狀態(tài)能夠關(guān)斷mosfet管，需要增加一個上拉電阻，如圖1所示。

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